부저항

이는 영향을 받는 전압이 증가할 때 [[옴의 법칙]]으로 인해 전류의 양이 상대적으로 증가하면서 양[[전기저항|저항]]을 일으키는 일반적인 [[저항기]]와는 대조된다. 양저항이 이를 경유하여 전달되는 전류로부터 전기를 소비하는 반면 부저항은 발전(發電)한다. 특정한 상황에서 전기 신호의 힘을 증가시켜 신호를 [[앰프|증폭]]시킬 수 있다. 부저항은 일부 [[선형 회로|비선형]] 전기 부품들에 나타나는 흔치 않은 속성이다. 비선형 장치에서 두 종류의 저항을 정의할 수 있다: 1) '전압/전류'(v/i,) 비율인 정적(static)/절대 저항(absolute resistanec), 2) '전압 변화/결과가 되는 전류'(Delta v/Delta i) 비율인 미분 저항(differential resistance). 부저항이라는 용어는 ''부성 미분 저항''(negative differential resistance, NDR), 즉 Delta v/Delta i;<;0을 의미한다. 일반적으로 부성 미분 저항은 2개의 끝단을 지니는 컴포넌트로서, 끝단에 적용된 [[직류]] 전원을 [[앰프|증폭]]시키고, 이를 [[교류]] 전력으로 변환하여 동일한 끝단에 적용된 교류 전기신호를 증폭시킬 수 있다. [[발진 (전기공학)|발진기]]와 [[앰프]]에 사용된다. (특히 [[마이크로파]] 주파수에서) 대부분의 마이크로파 에너지는 부성 미분 저항으로 만들어진다. 이들은 [[이력 현상]]을 보일 수 있으며 [[쌍안정]]할 수 있으므로 [[스위칭 회로 이론|스위칭]]과 [[반도체 메모리|메모리]] 회로에 사용된다. 부성 미분 저항을 지니는 장치들으 예로는 [[터널 다이오드]], [[건 다이오드]], [[네온등]] 등의 [[방전관]], [[형광등]]을 들 수 있다. == 각주 == == 추가 문헌 ==