서셉터 홀더가 부유식으로 장착된 ＣＶＤ 반응기

이러한 유형의 장치는 DE 100 43 600 A1으로부터 공지되어 있다. 이 명세서에서 CVD 반응기는 반응 챔버 내에 프로세스 챔버를 갖고, 프로세스 챔버의 바닥은 서셉터 홀더에 의해 형성되며, 서셉터 홀더는 복수의 포켓을 가지며, 각 경우에 서셉터는 가스 베어링에 의해 회전식으로 구동되는 것으로 설명된다. 기판은 각각의 이들 원형 디스크형 서셉터 상에 놓이며, 프로세스 챔버 내에서 코팅된다. 서셉터 및 서셉터 홀더는 RF에 의해 아래로부터 가열된다. 이를 위해, HF 코일이 프로세스 챔버 외부의 반응 챔버 내에 위치된다. 서셉터와 서셉터 홀더 내에서 유도된 와전류에 의해 프로세스 온도를 얻는데 필요한 열이 발생된다. 프로세스 가스는 프로세스 챔버의 중심에 위치되는 가스 유입구 피처에 의해 프로세스 챔버 내부로 도입되어서, 가스 수집기에 의해 프로세스 가스가 수집된 곳에서 반경 방향으로 외측을 향하여 이동할 수 있다. 회전력 및 가스 베어링을 발생시키는데 필요한 가스를 회전식 가스 베어링에 공급하기 위해, 서셉터 홀더는 수직 통로뿐 아니라 수평 통로를 갖는데, 이는 회전식 가스 베어링을 위한 가스 공급이 중심으로부터 실행되기 때문이다. US 2003/0188687 A1은 유사한 기판 홀더를 설명한다. 이 명세서에서도 서셉터 홀더는 회전가능하게 장착되어야 한다. 홀더는 프로세스 챔버의 바닥에 있는 베어링 홈 내에 설치된다. 홀더는 가스 베어링 상에 부유하며, 이에 따라 또한 부유식으로 장착된다. 그러나 전체 장치, 특히 서셉터 홀더를 수용하는 플레이트는 흑연(graphite)으로 제조되므로 IF(Infra-red) 및 RF(Radio Frequency)에 직접적으로 투과성이 아니다. US 2005/0051101 A1은 상부 및 하부로 이루어진 반응기를 설명한다. 2개의 반응기 부분은 2개의 부분 사이에 챔버를 형성하고, 챔버 내에는 기판이 위치될 것이며, 기판은 적합하게 형성된 노즐을 통해 도입된 가스에 의해 회전 가능하게 지지될 것이다. US 6,824,619 B1은 유사한 장치를 설명한다. US 6,005,226은 급속 열 화상 장치를 설명하며, 이 장치에서 기판은 가스 베어링 또는 개별적인 니이들 팁 상에서 지지되게 된다. 엄밀히 말하면, 기판을 수용하는 서셉터는 이 명세서에서 제공되지 않는다. 기판을 지지하는 요소는 석영(quartz)으로 형성된다. US 5,226,383은 RF-가열 반응기를 설명하며, 이 반응기에서 흑연으로 이루어진 서셉터가 흑연으로 이루어진 서셉터 홀더의 수용 공동 내에 위치된다. EP 0 519 608 A1은 가열 가능하고 비-투과성인 서셉터 블록을 설명하며, 서셉터 블록은 내부에 고 전도성 서셉터가 위치되는 공동을 형성한다. WO 2005/121417 A1은 서셉터 홀더의 공동 내에 위치되는 서셉터를 설명한다. 양 부분들은 모두 흑연으로 이루어진다.