스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스

[청구항1] 전자 방출 유닛이 제공되는 제1 기판과, 발광 유닛이 제공되는 제2 기판을 포함하는 진공 용기 내에 설치되어 진공의 내부 공간을 유지시키는 스페이서에 있어서, 상기 스페이서는, 본체와, 상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함하는 스페이서 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 돌기가 도전성 재료형성되는스페이서. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 돌기가 1 ~ 3 ㎛의 높이갖는스페이서. [청구항4] 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함하는 진공 용기와 상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛; 및 상기 진공 용기 내에 설치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간격을 유 지시키는 스페이서를 포함하며, 상기 스페이서는 본체와, 상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 [청구항5] 제4항에 있어서,상기 돌기가 상기 본체와 동일한 물질형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항6] 제5항에 있어서,상기 돌기의 형상을 따라 도전층더욱 형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항7] 제4항에 있어서,상기 돌기가 도전성 재료형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항8] 제4항에 있어서,상기 돌기가 전체적으로 일정한 높이형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항9] 제4항에 있어서,상기 돌기가 1 ~ 3 ㎛의 높이갖는전자 방출 표시 디바이스. [청구항10] 제4항에 있어서,상기 돌기가 원뿔형형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항11] 제4항에 있어서,상기 돌기의 단면이 원형이며, 그 단면 지름이하인전자 방출 표시 디바이스. [청구항12] 제4항에 있어서,상기 돌기의 단면이 사각형이며, 그 단면의 각 변의 길이이하인전자 방출 표시 디바이스. [청구항13] 제4항에 있어서,상기 스페이서가 기둥형 또는 벽체형형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항14] 제4항에 있어서,상기 전자 방출 유닛은 전자 방출부들과, 이 전자 방출부들을 제어하도록 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 배치되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들을 포함하고,상기 발광 유닛은 형광층들과 이 형광층들 사이에 배치되는 흑색층포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항15] 제14항에 있어서,상기 캐소드 전극들 및 상기 게이트 전극들 상부에 집속 전극이 더욱 형성되고,상기 스페이서는 상기 흑색층이 위치하는 영역에 배치되면서 상기 집속 전극접촉하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항16] 제15항에 있어서,상기 돌기 사이에 절연성 접착층채워지는전자 방출 표시 디바이스. [청구항17] 제14항에 있어서,상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스.