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스페이서 및 이 스페이서를 구비한 전자 방출 표시디바이스

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01554d30-0272-581d-9b0e-6625c65486a1
출원번호
1020060044230
출원연도
2006
IPC
C01B 31/02
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 진공 용기를 구성하는 제1기판과 제2기판 사이에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 유전체로 이루어지는 모체와, 상기 제1기판 및 제2기판에 형성되는 전극과 간격을 유지하는 상태로 전극에 비하여 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 상기 모체의 표면 일부에 형성되는 열전도층과, 상기 열전도층을 덮으면서 상기 모체의 표면 전체에 형성되는 2차전자방출층을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 열전도층은 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘형성되는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 3] 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 2차전자방출층은 dlc 또는 산화크롬형성되는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 모체의 제1기판 또는 제2기판과 접하는 모서리쪽에 위치하는 상기 2차전자방출층의 위에 형성하는 편향전극층더 포함하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 모체의 제1기판 및 제2기판과 접하는 모서리쪽에 위치하는 상기 2차전자방출층의 위에 형성하는 편향전극층더 포함하는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 6] 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,상기 편향전극층은 도전성 금속이나 이들의 합금, 금속산화물,반도체이용하여형성되는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 7] 서로 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판에 제공되며 복수의 전자 방출 소자들로 이루어지는 전자 방출 디바이스와, 상기 제2기판에 제공되며 형광층들과 이 형광층들의 어느 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치하는 복수의 스페이서들을 포함하고, 상기 스페이서가 제1기판과 제2기판의 두께 방향을 따라 임의의 높이를 가지며 유전체로 이루어지는 모체와, 상기 제1기판 및 제2기판에 형성되는 전극과 간격 을 유지하는 상태로 전극에 비하여 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 상기 모체의 표면 일부에 형성되는 열전도층과, 상기 열전도층을 덮으면서 상기 모체의 표면 전체에 형성되는 2차전자방출층을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 [청구항 8] 청구항 7에 있어서,상기 모체의 제1기판 또는 제2기판과 접하는 모서리쪽에 위치하는 상기 2차전자방출층의 위에 형성하는 편향전극층더 포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 편향전극층은 도전성 금속이나 이들의 합금, 금속산화물,반도체이용하여형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 10] 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 상기 제1기판의 일 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들과; 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들; 및 상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 12] 청구항 10에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 상기 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과 절연을 유지하며 캐소드 전극들과 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극더욱 포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 13] 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,상기 전자 방출 디바이스가 서로 이격되어 위치하는 제1전극들 및 제2전극들과; 상기 제1전극들 위에 형성되는 제1도전 박막들과; 상기 제2전극들 위에 형성되며 상기 각각의 제1도전 박막에 근접하게 위치하는 제2도전 박막들; 및 상기 각각의 제1도전 박막과 제2도전 박막 사이에 제공되는 전자 방출부들포함하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 14] 청구항 13에 있어서,상기 전자 방출부가nan미세 크랙으로 이루어지는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 15] 청구항 13에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 훌러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 방출 표시 디바이스용 스페이서의 구성 요소 중, 모체의 표면 일부에 형성되어 전극에 비해 전기저항은 높고 열전도도는 높은 물질로 이루어진 층은 무엇이며, 해당 층은 어떤 물질로 형성될 수 있습니까?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    모체의 표면 일부에 형성되며 전극 대비 높은 전기저항과 높은 열전도도를 가진 층의 명칭과 그 구성 물질을 찾는 것입니다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 전극에 비해 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 모체의 표면 일부에 형성되는 층이 '열전도층'임을 확인하고, 청구항 2에서 해당 층의 물질을 추출합니다.

    • 상기 제1기판 및 제2기판에 형성되는 전극과 간격을 유지하는 상태로 전극에 비하여 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 상기 모체의 표면 일부에 형성되는 열전도층
    • 상기 열전도층은 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘형성되는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문 조건(전기저항 높음, 열전도도 높음, 모체 표면 일부 형성)에 부합하는 '열전도층'과 그 물질인 '실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘' 구절을 선택합니다.

    • 상기 제1기판 및 제2기판에 형성되는 전극과 간격을 유지하는 상태로 전극에 비하여 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 상기 모체의 표면 일부에 형성되는 열전도층
    • 상기 열전도층은 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘형성되는
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 1의 기능적 정의와 청구항 2의 물질 구성을 결합하여 답변을 도출합니다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    해당 층은 열전도층이며, 구성 물질은 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘임을 확정합니다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 따라 층의 명칭과 물질을 리스트 형식으로 작성합니다.

근거 (evidence)
  • 상기 제1기판 및 제2기판에 형성되는 전극과 간격을 유지하는 상태로 전극에 비하여 전기저항이 높고 열전도도가 높은 물질로 상기 모체의 표면 일부에 형성되는 열전도층
  • 상기 열전도층은 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘형성되는
최종 답변 (final_answer)
열전도층, 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘
핵심 해석 (core_interpretation)
전자 방출 표시 디바이스용 스페이서 내에서 열 방출 효율을 높이면서도 전기적 절연성을 유지하기 위해 모체 표면에 형성된 열전도층의 기능과 구성 물질을 정의함.