포화 담금질을 감소시킨 양자점들

[청구항1] 조명 디바이스(1)로서, a) 광 수신 면(110)을 포함하는 광 변환기(100) b) 상기 광 수신 면(110)에서 적어도 10 w/cm 2 의 광자속(photon flux)을 가지고 광원 광(11)을 생성하도록 구성되는 고체 상태 광원(10) 을 포함하고, 상기 광 변환기(100)는 상기 광원 광(11)의 적어도 일부를 제1 주파수를 가지는 광 변환기 광(101)으로 변환하도록 구성되고, 상기 광 변환기(100)는 광자 결정 구조체(photonic crystal structure)(31) 및 플라즈몬 구조체(plasmonic structure)(32)로부터 선택되는 광학 구조체(30) 내의 반도체 양자점(20)을 포함하고, 상기 광학 구조체(30)는 포화 담금질(saturation quenching)을 감소시키기 위해 상기 제1 주파수와 공진하는 상기 광 변환기(100)에서 상태들의 광자 밀도를 증가시키도록 구성되고, 상기 양자점(20)은 적어도 80%의 양자 효율을 가지는 조명 디바이스(1) [청구항2] 제1항에 있어서,상기 광 변환기(100)는 상기 광학 구조체(30) 내에 복수의 양자점들(20)을 포함하고, 상기 광학 구조체는 상기 플라즈몬 구조체(32)를 포함하고, 상기 플라즈몬구조체(32)는 불규칙적 플라즈몬 구조체인 조명 디바이스(1). [청구항3] 제1항에 있어서,상기 광 변환기(100)는 상기 광학 구조체(30) 내에 복수의 양자점들(20)을 포함하고, 상기 광학 구조체는 상기 플라즈몬 구조체(32)를 포함하고, 상기 플라즈몬구조체(32)는 규칙적 플라즈몬 구조체인 조명 디바이스(1). [청구항4] 제1항에 있어서,상기 광 변환기(100)는 복수의 상기 양자점(20)을 포함하는 다결정질 광자 결정 구조체포함하는조명 디바이스(1). [청구항5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,양자점 발광 코어(quantum dot luminescent core)(20)는 적어도 5 nm의 상기 광학 구조체(30)에 의해 구성되는 금속성 구조체(302)까지의 최단 거리가지는조명 디바이스(1). [청구항6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자점(20)은 실리카 코팅을 포함하거나, 또는 상기 광학 구조체는 양자점들(20)을 포함하는 실리카 구조체포함하는조명 디바이스(1). [청구항7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 변환기(100)는 상기 광원 광(11)의 적어도 일부를 제1 주파수들의 분포를 가지는 광 변환기 광(101)으로 변환하도록 구성되는 복수의 상이한 반도체 양자점들포함하는조명 디바이스(1). [청구항8] 제7항에 있어서,복수의 광학 구조체 도메인들(310)을 포함하고, 상기 광학 구조체 도메인들(310)은 하나 이상의 양자점들(20)의 근처에 있는 그리고 상기 하나 이상의 양자점들(20)의 제1 주파수와 공진하는상태들의광자밀도증가시키도록구성되는조명 디바이스(1). [청구항9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자점(들)(20)은 적어도 90%의 양자 효율을 가지고, 상기 양자점(들)(20)은 상기 광 변환기(100)에서 4 ns 또는 그 미만의 복사 감쇠 시간가지는조명 디바이스(1). [청구항10] 광 변환기(100)로서, 광원으로부터 광원 광을 수신하도록 구성되는 광 수신 면(110)을 포함하고, 상기 광 변환기(100)는 상기 광원 광의 적어도 일부를 제1 주파수를 가지는 광 변환기 광으로 변환시키도록 구성되고, 상기 광 변환기(100)는 광자 결정 구조체(31) 및 플라즈몬 구조체(32)로부터 선택되는 광학 구조체(30) 내의 반도체 양자점(20)을 포함하고, 상기 광학 구조체(30)는 상기 광 변환기(100) 내의 그리고 포화 담금질을 감소시키기 위해 상기 제1 주파수와 공진하는 상태들의 광자 밀도를 증가시키도록 구성되고, 상기 양자점(20)은 적어도 80%의 양자 효율을 가지는 광 변환기(100) [청구항11] 제10항에 있어서,상기 광 변환기(100)는 복수의 양자점들(20)을 포함하는 다결정질 광자 결정 구조체포함하는광 변환기(100). [청구항12] 제10항 또는 제11항에 있어서,상기 양자점(20)은 실리카 코팅을 포함하거나, 또는 상기 광학 구조체는 상기 양자점들(20)을 포함하는 실리카 구조체포함하는광 변환기(100). [청구항13] 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자점(20)은 적어도 5 nm의 광학 구조체(30)에 의해 구성되는 금속성 구조체(302)까지의 최단 거리가지는광 변환기(100). [청구항14] 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광학 구조체는 적어도 5 nm의 상기 광학 구조체(30)에 의해 구성되는 금속성 구조체(302)까지의 최단 거리를 가지는 상기 양자점들(20)을 포함하는 실리카 구조체(301)를 포함하는 플라즈몬 광학 구조체포함하는광 변환기(100).