논리회로 및 그것을 사용한 반도체 집적회로장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 선택신호 발생회로는 외부에서 부여된 신호에 기준하여 상기 선택신호를 발생하는선택신호발생회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 선택신호 발생회로는 상기 외부에서 부여된 신호를 소정시간 간직하고 상기 외부에서 부여된 신호에 대응하는 상기 선택 선택신호를 발생하는선택신호발생회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 2개의 전원전위중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 일방을 선택하는 제3의 반도체 스위치 회로와 상기 선택신호의 반전 신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치 회로와로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위 중의 일방을 선택하는 제3의 반도체 스위치 회로와 상기 선택신호에 응답하여 상기 제3의 반도체 스위치 회로와는 상보적으로 동작하여 상기 2개의 전원전위중의 타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치 회로와로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 1쌍의 전원전위간에 접속된 전압분배 수단의 소정접속점에서 상기 복수의 전원전위중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기제1의반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제1의 전류로를 형성하는 적어도 1개의전계효과형 트랜지스터로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 9] 제8항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기제2의반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되어 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과적 트랜지스터로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 11] 제10항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기제1의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제1의전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 적어도 1개의 입력 신호에 접속되어 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 선택된 전원전위에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스로의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자동으로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 13] 제12항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도 전형의 베이스와 제2도 전형의 콜렉터와 제2도 전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이며 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기제2의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이터가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되어 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 출력단자에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자등으로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 15] 제14항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도 전형의 베이스와 제2도 전형의 콜렉터와 제2도 전형의 에미터와를 보유한 바이폴러 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는논리회로. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 입력버퍼회로및 또는 상기 내부회로는 상기 복수의 전원전위중의 1개와 상기선택된 전원전위와는 상이한 전원전위와의사이동작하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 입력버퍼회로및 또는 상기 내부회로는 상기 복수의 전원전위중의 최대치와 상기 선택된 전원전위와는 상이한 전원전위와의 사이에서 동작하는 것을특징으로하는것을특징으로하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 내부회로는 상기 입력버퍼회로에서의 신호에 기준하여 미리 정해진 논리기능 동작을 하는내부회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 선택신호 발생회로는 외부에서 부여된 신호에 기준하여 상기 선택신호를 발생하는선택신호발생회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 선택신호 발생회로는 상기 외부에서 부여된 신호를 소정시간 간직하고 상기 외부에서 부여된 신호에 대응하는 상기 선택신호를 발생하는선신호발생회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 22] 제16항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 2개의 전원전위 중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 일방을 선택하는 제3의 반도체 스위치 회로와 상기 선택신호의 반전신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치 회로등으로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 일방을 선택하는 제3의 반도체 스위치 회로와 상기 선택신호에 응답하여 상기 제3의 반도체 스위치 회로와는 상보적으로 동작하여 상기 2개의 전원전위중의 타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치 회로 등으로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 25] 제16항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 1쌍의 전원전위 간에 접속된 전압분배 수단의 소정 접속점에서의 상기 복수의 전원전위중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 26] 제16항에 있어서,상기제1의 반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제1의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 27] 제16항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 28] 제16항에 있어서,상기제2의 반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 29] 제28항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 30] 제16항에 있어서,상기제1의 반도체 스위치 회로느 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제1의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되어 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 선택된 전원전위에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에로 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자등으로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 31] 제30항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도 전형의 베이스와 제2도 전형의 콜렉터와 제2도 전형의 에미터와를 가진 바이폴러 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 32] 제16항에 있어서,상기제2의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 출력단자에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에로 전류로를 형성하는 적어도 1개의전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자와로 형성되는 제2의반도체위치 회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 33] 제32항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도 전형의 베이스와 제2도 전형의 콜렉터와 제2도 전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기제1의 반도체 집적회로장치와 상기 제2의 반도체집적회로장치와는 상이한 반도체 기판에각각집적화된것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 36] 제34항에 있어서,상기제1의 반도체 집적회로장치와 상기 제2의 반도체집적회로장치와는 동일의 반도체 기판에집적화된것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 37] 제34항에 있어서,상기 입력버퍼회로및 또는 상기 내부회로는 상기 복수의 전원전위중의 1개와 상기 선택된 전원전위와는 상이한 전원전위와의사이동작하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 입력버퍼회로및 또는 상기 내부회로는 상기 복수의 전원전위중의 최대치와 상기 선택된 전원전위와는 상이한 전원전위와의사이동작하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 39] 제34항에 있어서,상기 내부회로는 상기 입력버퍼회로에서의 신호에 기준하여 미리 정해진 논리기능 동작을 하는내부회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 40] 제34항에 있어서,상기 선택된 신호발생회로는 상기 제2의반도체 집적회로 장치에서 부여된 신호에 기준하여 상기 선택신호를 발생하는선택신호발생회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 선택신호 발생회로는 상기 제2의 반도체 집적회로장치에서 부여된 신호를 소정시간 간직하고 상기 제2의 반도체 집적회로장치에서 부여된 신호에 대응하는 상기 선택신호를 발생하는선택신호발생회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 42] 제34항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 2개의 전원전위중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 일방을 선택하는 제3의반도체 스위치 회로와 상기 선택신호의반전신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치 회로 등으로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 상기 선택신호에 응답하여 상기 2개의 전원전위중의 일방을 선택하는 제3의 반도체 스위치회로와 상기 선택신호에 응답하여 상기 제3의 반도체 스위치 회로와는 상보적으로 동작하여 상기 2개의 전원전위중의 타방을 선택하는 제4의 반도체 스위치회로 등으로 구성되는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 45] 제34항에 있어서,상기 전원전위 선택회로는 1쌍의 전원전위간에 접속된 전압분배 수단의 소정의 접속점에서의 상기 복수의 전원전위중의 1개를 선택하는전원전위선택회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 46] 제34항에 있어서,상기제1의 반도체 스위치 회로는 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제1의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 47] 제46항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 48] 제34항에 있어서,상기제2의 반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되고 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 형성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 49] 제48항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 50] 제34항에 있어서,상기제1의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제1의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 적어도 1개의 입력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기선택된 전원전위에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에로 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자와로 구성된 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 51] 제50항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 베이스와 제2도전형의 콜렉터와 제2도전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이며 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는 제1도전형이전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 52] 제34항에 있어서,상기제2의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제2의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 적어도 1개의 입력 신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 출력단자에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스로의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되며 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자와로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 53] 제52항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 베이스와 제2도전형의 콜렉터와 제2도전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이며 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는 제2도전형이전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 54] 제34항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로장치의상기 입력버퍼회로의 적어도 1개는 상기 제1의 반도체 집적회로장치의 상기 출력버퍼회로의 출력신호에 응답하여 소정의 전원전위에서 내부회로에 접속되는 출력자단자로의 제3의 전류로를 형성하는 제1의 반도체 스위치 회로와 상기 제1의 반도체 집적회로장치의 상기 출력버퍼회로의 출력신호에 응답하여 상기 출력단자에서 상기 소정의 전원전위와는 상이한 타의 전원전위로의 사이의 제4의 전류로를 형성하는 제2의반도체스위치회로보유함을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 55] 제54항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로장치의 제1의반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 제1의 반도체 직접회로장치의 출력버퍼회로의 출력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기제3의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 구성되는 1개의 전계효과형 트랜지스터로 성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 56] 제55항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 57] 제54항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로장치의 제2의 반도체 스위치 회로는 게이트가 상기 제1의 반도체직접회로 장치의 출력 버퍼회로의 출력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 제4의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 58] 제57항에 있어서,적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 59] 제54항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로 장치의 제1의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제3의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 제1의 반도체 집적회로장치의 출력버퍼회로의 출력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 선택된 전원저위에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스로의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되어 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자와로 구성되는 제1의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 60] 제59항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 베이스와 제2도전형의 콜렉터와 제2도전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제1도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 61] 제54항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로 장치의 제2의 반도체 스위치 회로는 콜렉터와 에미터와의 전류로가 상기 제4의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터와 게이트가 상기 제1의 반도체 집적회로장치의 출력버퍼회로의 출력신호에 접속되며 소오스와 드레인과의 전류로가 상기 출력단자에서 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스로의 전류로를 형성하는 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터와 상기 적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터의 베이스에 접속되어 상기 베이스에 축적된 전하를 인발하는 반도체 소자와로 구성되는 제2의반도체스위치회로일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 62] 제61항에 있어서,적어도 1개의 바이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 베이스와 제2도전형의 콜렉터와 제2도전형의 에미터와를 보유하는 바이폴러 트랜지스터이고 상기 적어도 1개의 전계효과형 트랜지스터는제2도전형의전계효과형트랜지스터일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 63] 제16항에 있어서,상기 선택신호 발생회로및 또는 상기 전원전위 선택회로는 상기 제1 및 제2의반도체스위치회로단위설치한것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 64] 제16항에 있어서,상기 선택신호 발생회로및 또는 상기 전원전위 선택회로는 복수의 상기 제1 및 제2의반도체스위치회로를그룹단위설치한것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템. [청구항 65] 제34항에 있어서,상기제2의 반도체 집적회로장는메모리일것을특징으로 하는반도체 집적회로장치 시스템.