박막 트랜지스터용 Ｎ-형 반도체 물질

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 유전 층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터이고,제 3 접속 수단이 게이트 전극이고,제 1 접속 수단 및 제 2 접속 수단이 쏘스(source) 전극 및 드레인(drain) 전극이며,상기 게이트 전극 및 유기 반도체 물질의 필름이 둘 다 유전 층에 접속하고 쏘스 전극 및 드레인 전극이 둘 다 유기 반도체 물질의 박막에 접속하는 한, 상기 유전 층, 게이트 전극, 유기 반도체 물질의 박막, 쏘스 전극 및 드레인 전극이 임의의 순서존재하는제품. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질이 0.01cm2/vs보다 큰전자이동도나타낼수있는제품. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질이 하기 화학식 i으로 표시되는 플루오르-함유 n,n'-다이아릴 3,4,9,10 페릴렌계 테트라카복실산 다이이미드 화합물인 화합물을 포함하는 제품:화학식 i상기 식에서, n은 0 내지 8의 정수이고;a1 및 a2는 각각 독립적으로 하나 이상의 플루오르-함유 기로 치환된 탄소환상 또는 헤테로환상 방향족 고리 시스템이며;페릴렌 핵은 물질의 n-형 반도체 특성에 불리하게 영향을 끼치지 않는 독립적선택되는x 유기 또는 무기 치환기 8개 이하로 임의적으로 치환된다. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기a1 및 a2 잔기가 각각 독립적으로 하나 이상의 플루오르 또는 플루오로알킬기 또는 이들의 임의의 조합으로 치환된 페닐 고리 시스템포함하는제품. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 플루오르-함유 기가 플루오르 원자, 플루오로알킬기, 5 내지 10개의 고리 원자를 갖는 플루오르화된 탄소환상 또는 헤테로환상 방향족 고리 및 이들의 조합선택되는제품. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기a1 및 a2가 각각 융합된 방향족 고리포함하는제품. [청구항 8] 제 4 항에 있어서,상기x가 알킬, 알켄일, 알콕시, 할로겐 및 사이아노 및 이들의 조합으로부터 독립적선택되는제품. [청구항 9] 제 4 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질이 하기 화학식 ii로 표시되는 n,n'-다이아릴 3,4,9,10 페릴렌계 테트라카복실산 다이이미드 화합물로부터 선택되는 화합물을 포함하는 제품:화학식 ii상기 식에서, x 및 n은 앞서 정의된 바와 같고;두 페닐 고리 각각에 존재하는 r1 내지 r5중 하나 이상이 플루오르-함유 기인 한, 두 페닐 고리 각각존재하는r1 내지 r5 기는 수소 및 플루오르-함유 기로부터 독립적으로 선택된다. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,페닐 고리 각각에존재하는r1 내지 r5중 둘 이상이 플루오르-함유 기인 제품. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,페닐 고리 각각에존재하는r1 내지 r5 모두가 플루오르-함유 기인 제품. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기n이 0이고, 두 페닐 고리 각각에 존재하는 각각의 r1 내지 r5 및 이들 모두가 플루오르원자인제품. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 104 이상의 쏘스/드레인 전류의 온/오프 비갖는제품. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질이 하기 화학식 iii으로 표시되는 화합물을 포함하는 제품:화학식 iii상기 식에서, x 및 n은 상기정의된 바와 같다. [청구항 15] 제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극이 게이트 전극에 인가되는 전압에 의해 상기 유기 반도체 물질을 통한쏘스전극과드레인 전극사이의전류조절하는데적합한제품. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 게이트 유전체가 무기 또는 유기 전기 절연 물질포함하는제품. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 임의적으로 가요성인 비-참여 지지체를 추가포함하는제품. [청구항 18] 제 2 항에 있어서,상기 쏘스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극이 각각 독립적으로 도핑된 규소, 금속 및 전도성 중합체로부터 선택되는 물질포함하는제품. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,다수개의 박막 트랜지스터가 임의적으로 가요성인 비-참여 지지체 상존재하는전자 장치.