선택 에피택셜 성장법 및 성막 장치

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기(4) 공정 후에 잔존하는 상기 제1 에피택셜층의 두께를, 상기 에피택셜 성장 영역에 존재하는 결정 결함으로부터 성장하여 상기 제1 에피택셜층 내에 존재하는 결정 결함을, 상기 (4) 공정 후에 있어서 얻어지는 상기 제1 에피택셜층의 표면으로부터 소실시키는 두께설정하는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기(4) 공정 후에 잔존하는 상기 제1 에피택셜층의 두께가, 상기 에피택셜 성장 영역에 존재하는 결정 결함으로부터 성장하여 상기 제1 에피택셜층 내에 존재하는 결정 결함이 상기 (4) 공정 후에 있어서 얻어지는 상기 제1 에피택셜층의 표면으로부터 소실되는 두께로 될 때까지, 상기 (3) 공정 및 상기 (4) 공정반복하는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기(5) 공정에서의 상기 제2 에피택셜층의 성장 시간은, 상기 (3) 공정에서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 시간설정되는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기(4) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 시간, 및 상기 (6) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 시간은, 각각 상기 성장 억제막 상에 퇴적된 상기 퇴적물이 제거되는 시간으로 설정되고,상기 (3) 공정에서 성장된 상기 제1 에피택셜층, 및 상기 (5) 공정에 있어서 성장된 상기 제2 에피택셜층을, 상기 (4) 공정 후 및 상기 (6) 공정 후각각 잔존시키는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기(3) 공정에서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 조건, 및 상기 (4) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 조건은, 상기 (4) 공정 후에 있어서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 레이트가 포화 성장 레이트 영역의 범위 내에 있도록 설정되고,상기 (5) 공정에서의 제2 에피택셜층의 성장 조건, 및 상기 (6) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 조건은, 상기 (6) 공정 후에 있어서의 상기 제2 에피택셜층의 성장 레이트가 포화 성장 레이트 영역의 범위 내설정되는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 포화 성장 레이트 영역은, 상기 제1 및 제2 에피택셜층의 성장 레이트가 최대로 되는 피크 성장 레이트를 포함하고,상기 (3) 공정에서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 조건 및 상기 (4) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 조건과, 상기 (5) 공정에서의 상기 제2 에피택셜층의 성장 조건 및 상기 (6) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 조건은, 각각 상기 피크 성장 레이트에서 볼 때, 상기 제1 및 제2 에피택셜층의 성장 시간 및 상기 퇴적물의 제거 시간이 짧아지는 조건선택되는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기(5) 공정에서의 상기 제2 에피택셜층의 성장 시간 tga와 상기 (6) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 시간 teb의 비 tga/teb와, 상기 (3) 공정에 있어서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 시간 tgc와 상기 (4) 공정에서의 상기 퇴적물의 제거 시간 ted의 비 tgc/ted의 관계설정하는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기(5) 공정에서의 상기 제2 에피택셜층의 성장 레이트를 상기 (3) 공정에 있어서의 상기 제1 에피택셜층의 성장 레이트보다도 높아지도록, 상기 제2 에피택셜층의 성장 조건설정하는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 성장 억제막은, 상기 단결정 기체 상에 상기 에피택셜 성장 영역을 홀 패턴, 또는 라인 앤드 스페이스 패턴 형상으로 구획하고,상기 홀 패턴의 어스팩트비, 또는 상기 라인 앤드 스페이스 패턴 중 상기 스페이스 패턴의 단축 방향을 따른 어스팩트비가, 1 이상 10 이하설정되어 있는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 어스팩트비가 4 이상 10 이하설정되어 있는,선택 에피택셜 성장법. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 단결정 기체는 실리콘이며, 상기 에피택셜층실리콘인,선택 에피택셜 성장법. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기(2) 공정 전에,(7) 상기 에피택셜 성장 영역을 리세스하는 리세스 처리 공정포함하는선택 에피택셜 성장법. [청구항 14] 피처리체를 수용하고, 상기 수용한 피처리체 상의 에피택셜 성장 영역 상에 에피택셜층을 선택적으로 성장시키는 처리실과, 상기 처리실에 상기 에피택셜층의 원료 가스와, 상기 원료 가스에 기인하여 상기 에피택셜 성장 영역을 구획하는 성장 억제막 상에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 에칭 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 처리실 내를 배기하는 배기 기구와, 상기 가스 공급 기구 및 상기 배기 기구를 제어하는 제어 장치 를 포함하고, 상기 제어 장치는, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 선택 에피택셜 성장법이 실행되도록, 상기 가스 공급 기구 및 상기 배기 기구를 제어하는, 성막 장치 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기(2) 공정 전에,(7) 상기 에피택셜 성장 영역을 리세스하는 리세스 처리 공정을 실행할 때, 상기 에피택셜 성장 영역의 리세스에 상기 에칭 가스사용하는,성막 장치.