커패시터용 전극 활물질 및 이것을 이용한 커패시터

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기pk의 위치가 2θ=43도보다 고각측에 있는커패시터용 활물질. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기pk의 강도가 2θ=10도의 강도의 3배이상인커패시터용 활물질. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,의 반값폭으로부터 구해지는 결정자의 크기인커패시터용 전극 활물질. [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다공질 탄소 재료의 체적 기준의 세공 직경 분포에 있어서, 1 nm 이하의 세공 직경을 갖는 세공의 적산 용적이 전체 세공 용적이상인커패시터용 전극 활물질. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다공질 탄소 재료의 알칼리 금속 원소의 함유량이 0 ppm∼400 ppm인커패시터용 전극 활물질. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다공질 탄소 재료의 수소 함유량이 0 ppm∼100 ppm인커패시터용 전극 활물질. [청구항 8] 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재하는 세퍼레이터와, 전해액을 구비하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 적어도 한쪽이, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 커패시터용 전극 활물질을 포함하는 커패시터 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 전해액이, 양이온으로서, 리튬 이온(li+), 테트라에틸암모늄 이온(tea+), 트리에틸모노메틸암모늄 이온(tema+), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 이온(emi+) 및 n-메틸-n-프로필피롤리디늄 이온(mppy+)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 또한 음이온으로서, 헥사플루오로인산 이온(pf6-), 과염소산 이온(clo4-), 테트라플루오로붕산 이온(bf4-), 리튬비스(옥살레이트)보레이트 이온(bc4o8-), 비스(플루오로술포닐)이미드 이온(n(so2f)2-), 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 이온(n(so2cf3)2-), 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드 이온(n(so2c2f5)2-), 트리플루오로메탄술폰산 이온(cf3so3-)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종포함하는커패시터. [청구항 10] 정극과, 부극과, 상기 정극과 상기 부극 사이에 개재하는 세퍼레이터와, 리튬 이온 전도성의 비수 전해액을 구비하고, 상기 정극 및 상기 부극의 적어도 한쪽이, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 커패시터용 전극 활물질을 포함하는 리튬 이온 커패시터 [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 비수 전해액이, 비수 용매와, 상기 비수 용매에 용해되는 리튬염을 포함하고, 상기 비수 용매가, 이온성 액체 또는 유기용매인리튬 이온 커패시터. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 이온성 액체가, 양이온으로서, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 이온(emi+) 및 n-메틸-n-프로필피롤리디늄 이온(mppy+)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 또한 음이온으로서, 비스(플루오로술포닐)이미드 이온(n(so2f)2-), 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 이온(n(so2cf3)2-, 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드 이온(n(so2c2f5)2-) 및 트리플루오로메탄술폰산 이온(cf3so3-)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종포함하는리튬 이온 커패시터.