문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,채널영역은 fet의 정부주면에 채널영역간에 상방으로 연장하는 드리프트영역에 의하여 옆으로 간격지는 것.
[청구항 3]
제2항에 있어서,융기된 게이트전극수단은 각기 제1 및 제2채널영역위에 간격을 떼고, 정부주면에 따라 옆으로 연장하는 제1 및 제2게이트전극부분을 가지고, 적어도 하나의 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것.
[청구항 4]
제3항에 있어서,게이트 전위의 결여에서 오프상태를 가지고, 드리프트영역위의 정부주면위의 중앙게이트 전극부분의 증가된 분리는 오프상태에서 드르프트영역을 통하는 전위전도채널의 바라지 않은 유도를 방지하고, 그것에 의하여 fet의 오프상태의 전압저지 능력증가하는 것.
[청구항 5]
제4항에 있어서,융기된 게이트 전극수단은 제1 및 제2채널영역위에 각기 간격을 떼고 위에 누은 좌 및 우의 말초 끝을 가진 단일의 연속적인 게이트전극을 가지고, 드리프트 영역위의 정부주면위에 융기된 중앙부분가지는 것.
[청구항 6]
제5항에 있어서,게이트 전극밑의 절연의 층은 게이트 전극의 중앙의 융기된 부분밑에 와 드리프트영역위에 중심적으로 배치된 그의 가장 큰 두께와 채널영역위의 그의 외부 모서리에서 그의 가장 작은 두께를 가진 반구의형인 것.
[청구항 7]
제4항에 있어서,융기된 게이트전극수단은 드리프트영역위에 옆으로 상방으로 연장하고 제1채널영역위에 간격을 뗀 제1게이트전극과 제1게이트전극부터 옆으로 간격을 떼어 떨어지고 드리프트영역위에 옆으로 상방으로 연장하고, 제2채널영역위에 간격을 뗀 제2게이트전극을 가진 분할게이트전극가지는 것.
[청구항 8]
제7항에 있어서,및 제4게이트전극은 드리프트영역위에 중앙적으로 배치된 그의 가장 큰 두께와 채널영역위에 그의 외부 모서리에서 그의 가장 작은 두께를 가진 절연의 공통의 반구형의 층에 의하여 정부주면위에 간격떼는 것.
[청구항 9]
제4항에 있어서,소오스영역은 정부주면에 따라 옆으로 간격떼고, 채널영역과 드리프트영역은 소오스영역간배치되는 것.
[청구항 10]
제9항에 있어서,채널영역과 드르피트영역간의 접합은 fet의 오프상단에서 소오스영역의 한쪽으로 흐르는 전류를 저지하고, 채널영역의 다른것과 드리프트영역간의 접합은 fet의 오프상태에서 소오스영역의 다른것쪽으로 흐르는 전류저지하는 것.
[청구항 11]
제10항에 있어서,채널영역은 각기 소오스영역 주위에 적어도 부분적으로 옆으로 연장하는 반대전도성의형의 각각의 터브영역의 부분이고, 소오스 및 채널영역에 각기 오옴적으로 단락하기 위한 그의 각각의 터브영역과 소오스영역에 각기 접속되는 한쌍의 주전극가지는 것.
[청구항 13]
제12항에 있어서,게이트단자수단이 게이트전극수단에 오음적으로 상호 연결되고, 제1주단자수단이 제1, 제3, 제5등등의 주전극에 오음적으로 상호 연결되고, 제2주단자수단이 제2, 제4등등의 주전극에 오음적으로 상호연결되는 것.
[청구항 14]
제13항에 있어서,및 제2주단자수단은 교류부하회로를 가로질러 접속되고, 게이트수단은 게이트 전위수단에 접속되고, 교류회로의 제1반 사이클동안 게이트단자수단은 주단자수단의 하나에 관하여 정이고, 교류회로의 제2반 사이클동안 주단자수단의 다른것에 관하여 정이고, 교류회로의 제1반 사이클동안 전류는 제2주단자수다누의 소오스영역의 기수번호를 통하여 채널영역의 우수번호를 통하여, 터브영역간의 정부주면으로 상방으로 연장하는 기판의 부분을 통하여 채널영역의 기수번호를 통하여 소오스영역의 우수번호를 통하여 제1주단자수단에 흐르고, 교류회로이 제2반사사이클동안 전류는 제1주단자수단부터 소오스영역의 우수번호를 통하여, 채널영역의 기수번호를 통하여 터브영역간의 기판의 상방으로 연장하는 부분을 통하여 채널영역의 우수번호를 통하여, 소스영역의 기수번호를 통하여 제2주단자수단에 흐르는 것.
[청구항 15]
제14항에 있어서,게이트전위의 결여에서 오프상태를 가지고, 터브영역의 기수번호의 채널영역의 모서리와 기판간의 접합으로 제1주단자수단쪽으로의 전류흐름을 저지하고, 터브영역의 우수번호의 채널영역이 모서리와 기판간이 접합으로 제2주단자 수단쪽으로의 전류흐름저지하는 것.
[청구항 16]
제15항에 있어서,제2등등의 게이트전극수단의 각각은 연속적인 게이트전극이고, 게이트자수단은 게이트 전위수단에 온게이트상태에서 접속되고, 오프게이트상태에서 제1 및 제2주단자수단의 하나와 공통의 전위관계계레벨로관계되는 것.
[청구항 17]
제15항에 있어서,제2등등의 게이트전극수단의 각각은 옆으로 간격을 떼고 떨어진 분할게이트전극을 가지고, 게이트단자수단은 분할게이트를 상호연결하는 제1 및 제2게이트단자를 가지고, 온게이트상태에서 게이트전위 수단에 접속도고, 오프게이트상태에서 제1 및 제2주단자 수단의 하나와 동일한 전위관계계레벨로 관계되는 공통의 게이트단자에 오음적접속되는 것.
[청구항 18]
제15항에 있어서,제2동등의 게이트전극수단의 각각은 옆으로 간격을 떼고 떨어진 분할게이트 전극을 가지고, 게이트전자수단은 분할게이트전극을 상호연결하는 제1 및 제2게이트단자를 가지고, 제1 및 제이트단자는 온상태에서 하나 또는 그 이상의 게이트전위수단접 속되고, 제1 및 제2주단자는 각기 오프의 게이트상태에서 제1 및 제2주단자수단의 다른하나관계되는 것.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상부로 연장하는 중간터브영역부분은 셀의 중앙의 좌 또는 우에 오프세트되고 주전극 접속점은 역시 각각의 셀의 좌 또는 우에 오프세트되고, 셀의 제1배열에서 각각의 셀은 좌수방위를 가지게 중앙의 좌에 주전극 접속점을 가지고, 셀의 제2열에서, 각각의 셀은 우수방위를 가지게 중앙의 우에 주전극접속점가지는 것.
[청구항 21]
제20항에 있어서,및 제2주전극수단은 상기 열에 수직인 줄의 형으로 연장하고, 제1 및 제2주전극수단은 다수이 단자스트랩에 의하여 손가락모양의 방법으로서에 평행으로 연장하고, 각각의 스트랩은 각각의 열에서 인접하는 셀의 엇갈리는 부분에 충분한 폭으로 되고, 열을 가로질러 수직으로 연장하고, 각각의 스트랩은 게이트전극수단위에 절연되고, 주어진 스트랩이 제1열의 그들밑의 좌수에 방위된 셀에 오음적으로 접촉하고, 그때 제2열의 그들밑이 우수에 방위된 셀에 오음적으로 접촉하고 기타등등하는 것.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
FET의 오프상태에서 드리프트 영역을 통하는 원치 않는 전위전도채널의 유도를 방지하여 전압 저지 능력을 증가시키기 위해, 중앙 게이트 전극 부분은 어떻게 구성되어야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationFET의 오프상태에서 전위전도채널 유도를 방지하고 전압 저지 능력을 높이기 위한 중앙 게이트 전극의 구성 방식을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 오프상태 시 드리프트 영역 위 중앙 게이트 전극 부분의 증가된 분리가 전위전도채널 유도 방지 및 전압 저지 능력 증가와 관련됨을 추출한다.
- 드리프트영역위의 정부주면위의 중앙게이트 전극부분의 증가된 분리는 오프상태에서 드르프트영역을 통하는 전위전도채널의 바라지 않은 유도를 방지하고, 그것에 의하여 fet의 오프상태의 전압저지 능력증가하는 것
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '중앙 게이트 전극 부분의 구성'에 대한 직접적인 근거 구절을 선택한다.
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
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4논리 통합
logical_integration청구항 3과 4를 종합하면, 중앙 게이트 전극 부분이 드리프트 영역 위에서 절연층에 의해 간격이 떼어져(분리되어) 있어야 전위전도채널을 방지할 수 있음을 알 수 있다.
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
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5결론 도출
conclusion_formulation중앙 게이트 전극 부분은 드리프트 영역 위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하며, 절연층에 의해 그들 위에 간격이 떼어져 있어야 한다.
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
근거 (evidence)
- 드리프트영역위의 정부주면위의 중앙게이트 전극부분의 증가된 분리는 오프상태에서 드르프트영역을 통하는 전위전도채널의 바라지 않은 유도를 방지하고, 그것에 의하여 fet의 오프상태의 전압저지 능력증가하는 것
- 중앙게이트전극부분이 드리프트 영역위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들위에 간격떼는 것
최종 답변 (final_answer)
중앙 게이트 전극 부분은 드리프트 영역 위의 정부주면에 옆으로 상방으로 연장하고, 옆으로 상방으로 연장하는 절연층에 의하여 그들 위에 간격이 떼어져 있어야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
FET의 오프상태 전압 저지 능력을 향상시키기 위해, 중앙 게이트 전극을 드리프트 영역 상부의 절연층을 통해 채널 영역과 물리적으로 분리(간격을 띄움)함으로써 원치 않는 전위전도채널의 형성을 억제하는 기술이다.