LI 이차 전지용 가넷 물질

[청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,가넷-유형 전해질이 하기로 구성된 그룹 중에서 선택되는 물질인 방법:lialabm'cm"dzreof, lialabm'cm"dtaeof, lialabm'cm"dnbeof(여기에서 4003c#a003c#8.5, 1.5003c#b003c#4, 0≤c≤2, 0≤d≤2; 0≤e003c#2, 10003c#f≤13이고, m' 및 m"는 각각 독립적으로 각 경우에 al, mo, w, nb, sb, ca, ba, sr, ce, hf, rb, 또는 ta 중에서 선택된다), 및 lialabzrcaldme"eof(여기에서 5003c#a003c#7.7; 2003c#b003c#4; 0003c#c≤2.5; 0≤d003c#2; 0≤e003c#2, 10003c#f≤13이고, me"는 nb, ta, v, w, mo, 또는 sb 중선택되는금속이다). [청구항 43] 제40항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서,필름 두께가 100 ㎛미만인박막. [청구항 44] 제43항에 있어서,필름 두께가 50 ㎛미만인박막. [청구항 46] 제45항에 있어서,애노드 활물질을 포함하는 적어도 하나의 층을 추가포함하는복합 전기화학적 디바이스. [청구항 48] 제47항에 있어서,애노드와접촉하고 있는물질. [청구항 49] 제47항에 있어서,양극전해질 중간층(anolyte interlayer)과 접촉하며; 여기에서 양극전해질 중간층이 애노드 층접촉하는물질. [청구항 50] 제49항에 있어서,양극전해질 중간층이 리튬 실리케이트, 리튬 보레이트, 리튬 알루미네이트, 리튬 포스페이트, 리튬 포스포러스 옥시니트라이드, 리튬 실리코설파이드, 리튬 보로설파이드, 리튬 알루미노설파이드, 및 리튬 포스포설파이드, 리튬 설파이드, 리튬 포스파이드, 리튬 니트라이드, 리튬 옥사이드, 리튬 할라이드로 구성된 그룹 중선택되는물질. [청구항 51] 제47항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서,양극전해질 중간층이 lii-li3po4-p2o5, b2o3-lico3-li3po4, lii-li2o-sio2, lii, lif, libr, licl, li2wo4, liso4, liio3, li4sio4, li2si2o5, lialsio4, li4(si0.7ge0.3)o4, li4geo4, lialcl4, li3po4, li3n, li2s, li3p, li2o, li5alo4, li5gao4, li6zno4, liar2(po4)3, lins2, limgf, lialmgf4, li2s-p2s5, lii-li2s-p2s5, 및 li2s-ges2-p2s5로 구성된 그룹 중선택되는물질. [청구항 52] 제47항에 있어서,제1 애노드의 상부 위에 쌓인 가넷의 제1 층;전류 집전체의 상부 위에 쌓인 제1 애노드;제2 애노드의 상부 위에 쌓인 전류 집전체;가넷의 제2 층의 상부 위에 쌓인 제2 애노드포함하는물질. [청구항 53] 제47항에 있어서,캐소드 전류 집전체가 al, ni, 또는 cu 중선택되는물질. [청구항 54] 제47항에 있어서,캐소드 전류 집전체가 al 중선택되는물질. [청구항 55] 하기 단계를 임의 순서로 포함하는 복합 전기화학적 디바이스의 제조 방법 애노드 전류 집전체(소결되거나 소결되지 않음)를 포함하는 애노드 층을 제공하는 단계 애노드 층의 적어도 한 면과 접촉하는 가넷-유형 고체 전해질(sse) 층을 제공하고 임의로 sse를 소결하는 단계 sse 층과 접촉하는 다공성 가넷 층을 제공하고 임의로 다공성 가넷 층을 소결하는 단계 임의로 카본, 리튬 전도성 중합체, 캐소드 활물질, 및 그의 조합으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 구성원으로 다공성 가넷 층을 침윤시키는 단계; 및 다공성 가넷 층과 접촉하는 캐소드 전류 집전체 층을 제공하는 단계 [청구항 60] 제55항에 있어서,다공성 가넷 층을 활물질로 침윤시키는 단계가 증기/액체침착또는전기영동 전착사용함을포함하는방법