반도체 기판용 세정액

[청구항2] 제 1 항에 있어서,킬레이트제가 하나 이상의 히드록실 기 및 카르복실기를 갖는 헤테로사이클릭 화합물, 폴리아미노카르복실 산 및 그의 염, 폴리카르복실산 및 그의 염, 포스폰기를 갖는 화합물 및 그의 염, 옥시카르복실산 및 그의 염, 페놀 및 트로폴론으로 구성된 군으로부터 하나 이상선택되는반도체 기판용 세정액. [청구항3] 제 2 항에 있어서,킬레이트제가 에틸렌디아민테트라아세트산, 옥살산, 암모늄 옥살레이트, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 시트르산, 암모늄 시트레이트, 카테콜, 8-퀴놀리놀 및 트로폴론으로 구성된 군으로부터 1 종 이상선택되는반도체 기판용 세정액. [청구항4] 제 1 항에 있어서,킬레이트 촉진제가 히드록실기 및 하나 이상의 플루오리드 및 그의 염을 갖는 화합물포함하는반도체 기판용 세정액. [청구항5] 제 4 항에 있어서,히드록실기를 갖는 화합물이 암모늄 히드록시드, 테트라메틸암모늄 히드록시드 및 트리메틸 (2-히드록시)에틸암모늄 히드록시드로 구성된 군으로부터 하나 이상선택되는반도체 기판용 세정액. [청구항6] 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,플루오리드가 히드로플루오르산이고, 염이 암모늄 플루오리드인반도체 기판용 세정액. [청구항7] 제 6 항에 있어서,히드록실기를 갖는 화합물이 암모늄 히드록시드이고, 하나 이상의 플루오리드 및 그의 염이 암모늄 플루오리드인반도체 기판용 세정액. [청구항8] 제 1 항에 있어서,완충제를 추가nan함유하는반도체 기판용 세정액. [청구항9] 제 8 항에 있어서,완충제가 암모늄 히드로젠 프탈레이트, 암모늄 디히드로젠 시트레이트, 암모늄 클로라이드, 암모늄 시트레이트, 암모늄 히드로젠 카보네이트, 암모늄 카보네이트 및 암모늄 아세테이트로 구성된 군으로부터 하나 이상선택되는반도체 기판용 세정액. [청구항10] 제 1 항에 있어서,화학식1 또는 화학식 2로 표현되는 계면활성제중 하나 이상을 포함하는 반도체 기판용 세정액:[화학식 1]ho-((eo)x-(po)y)z-h(여기서 eo는 옥시에틸렌기를 나타내고, po는 옥시프로필렌기를 나타내고, x 및 y는 x/(x+y)=0.05 ~ 0.4를 만족하는 양수를 나타내고, z 는 양의 정수를 나타내냄)[화학식 2]r-[((eo)x-(po)y)z-h]m(여기서 eo는 옥시에틸렌기를 나타내고, po는 옥시프로필렌기를 나타내고, x 및 y는 x/(x+y)=0.05 ~ 0.4를 만족하는 양수를 나타내고, z 는 양의 정수를 나타내내고, r은 r1-o-, h2n-r2-nh- 및 h2n-r3-o-로 표현되는 1 가 기, h2n-r2-n<, -hn-r3-o- 및 -nh-r3-nh-로 표현되는 2 가 기, -hn-r2-n< 및 >n-r3-o-로 표현되는 3 가 기, 또는 >n-r2-n<로 표현되는 4 가 기를 나타내며, m은 r의 원자가에 대응하는 1 내지 4 의 정수를 나타내며, r1 은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 알킬기를 나타내며, r2 및 r3는 각각 독립적으로 1 내지 10 의 탄소수갖는알킬렌기를 나타냄).