이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기제1 및 제2 절연막은 상기 다수의 광전 변환 소자 전부 상형성된이미지 센서. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 제1 절연막은 상기 기판형성된이미지 센서. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 제2 절연막은 상기 제1 절연막 상에 직접 접하여 형성되며,상기 제3 절연막은 상기 제2 절연막 상형성된이미지 센서. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 제1 절연막은 실리콘 산화막이며, 상기 제2 절연막은 실리콘 질화막이며,상기 제3 절연막은 열처리된 실리콘 산질화막 또는 티타늄산화막인이미지 센서. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 제3 절연막이 상부에 형성된 광전 변환 소자로 입사되는 입사광의 파장은 상기 제3 절연막이 상부에 형성되지 않은 광전 변환 소자입사되는입사광의 파장보다 긴 이미지 센서. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 다수의 광전 변환 소자는, 적색광이 입사되는 제1 광전 변환 소자, 녹색광이 입사되는 제2 광전 변환 소자, 및 청색광이 입사되는 제3 광전 변환 소자를 포함하고,상기 제3 절연막은 상기 제1 광전 변환 소자 및 제2 광전 변환 소자 상형성된이미지 센서. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 광투과도 조절막 구조체 상에 형성되고, 다층 배선을 포함하는 절연막 구조체더 포함하는이미지 센서. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 절연막 구조체 내에는 상기 광전 변환 소자에 대응되도록 형성된 광투과부더 포함하는이미지 센서. [청구항 10] 제 8항에 있어서,상기 절연막 구조체 상에 순차적으로 형성된 컬러 필터 및 렌즈더 포함하는이미지 센서. [청구항 11] 제 8항에 있어서,상기 기판은 픽셀 어레이 영역 및 주변 회로 영역으로 구분되고, 상기 다수의 광전 변환 소자는 상기 픽셀 어레이 영역 내에 형성되며,상기 절연막 구조체는 상기 주변 회로 영역보다 상기 픽셀 어레이 영역형성된이미지 센서. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 광투과도 조절막 구조체는, 상기 제3 절연막 상에 형성되고 상기 제2 절연막과 동일한 물질로 형성된 제4 절연막더 포함하는이미지 센서. [청구항 13] 제 1항에 있어서,상기 광투과도 조절막 구조체는 상기 기판의 일면에 형성되며,상기 기판의 타면에 형성되고, 다층 배선을 포함하는 절연막 구조체더 포함하는이미지 센서. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 제1 절연막은 상기 기판의 일면형성되는이미지 센서. [청구항 15] 제 13항에 있어서,상기 기판의 일면에 형성되고, 상기 광투과도 조절막 구조체 상에 순차적으로 형성된 컬러 필터 및 렌즈더 포함하는이미지 센서. [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 제1 광전 변환 소자는 적색 광전 변환 소자 또는 녹색 광전 변환 소자이며, 상기 제2 광전 변환 소자는 청색광전 변환 소자인이미지 센서.