에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀

[청구항1] 챔버의 내부에, 실리콘 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와, 당해 서셉터를 하방으로부터 지지하고, 상기 서셉터의 중심과 동축상에 위치하는 주기둥(主柱)과 당해 주기둥으로부터 방사상으로 연장되는 지지 아암을 갖는 지지 샤프트와, 상기 서셉터에 형성된 관통공 및 상기 지지 아암에 형성된 관통공의 쌍방에 삽입 통과되어 연직 방향으로 이동이 자유롭게 설치된, 리프트 핀을 구비하고, 당해 리프트 핀을 승강시켜 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 서셉터 상에 탈착시키는 에피택셜 성장 장치에 있어서, 상기 리프트 핀의 적어도 그 표층역은 상기 서셉터보다도 경도가 낮은 재료로 구성되고, 상기 서셉터의 관통공 내를 통과하는 상기 리프트 핀의 직동부 상부 영역의 표면 거칠기가 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하이고, 또한, 상기 지지 아암의 관통공 내를 통과하는 상기 리프트 핀의 직동부 하부 영역의 표면 거칠기가 1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 장치 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 리프트 핀의 적어도 그 표층역이 유리상 카본으로 이루어지고, 상기 서셉터는 적어도 그 표층역이 탄화규소(sic)로 이루어지고, 상기 지지 아암석영으로 이루어지는,에피택셜 성장 장치. [청구항3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 리프트 핀의 하단부가 둥글게가공되어 있는,에피택셜 성장 장치. [청구항5] 실리콘 웨이퍼 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 성장 장치 내에 설치하는 서셉터에 형성된 관통공 및 상기 서셉터의 하부를 지지하는 지지 아암에 형성된 관통공의 쌍방에 삽입 통과되고, 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 에피택셜 성장 장치 내에 반입할 때 또는 상기 에피택셜 성장 장치로부터 취출할 때에 상기 실리콘 웨이퍼의 이면을 지지하여 승강되는 리프트 핀으로서, 적어도 표층역이 상기 서셉터보다도 경도가 낮은 재료로 구성되고, 또한 상기 서셉터의 관통공 내를 통과하는 상기 리프트 핀의 직동부 상부 영역의 표면 거칠기보다도, 상기 지지 아암의 관통공 내를 통과하는 상기 리프트 핀의 직동부 하부 영역의 표면 거칠기가 큰 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀 [청구항6] 제5항에 있어서,상기 직동부 상부 영역의 표면거칠기가 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하이고, 또한, 상기 직동부 하부 영역의 표면 거칠기가 1㎛ 이상이하인,에피택셜 성장 장치용 리프트 핀. [청구항7] 제5항 또는 제6항에 있어서,적어도 표층역이nan유리상 카본으로 이루어지는,에피택셜 성장 장치용 리프트 핀. [청구항8] 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 리프트 핀의 하단부가 둥글게가공되어 있는,에피택셜 성장 장치용 리프트 핀.