변형된 탄소 나노튜브를 사용하는 전기장 방출 장치

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,나노튜브는 실질적으로 원주형인 탄소 원섬유이고, 상기 탄소 원섬유는 원주 축과 중심이 같은 1 이상의 그래파이트 층을 갖고, 상기의 탄소 원섬유에는 열분해적으로 침착된 탄소 오버코트가 실질적으로 부재하며, 탄소 원섬유의 직경은 1 내지 100 nm 사이로서 실질적으로 균일하고, 길이 대 직경의 비5 이상인,전기장 방출 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,나노튜브는 솜사탕형 응집체로 구성되는 그룹에서 선택된 응집체형태인전기장 방출 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,나노튜브가 생선가시와 유사한 형태갖는전기장 방출 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,나노튜브가단일벽 나노튜브인전기장 방출 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,나노튜브가 필름 또는 매트의형태인전기장 방출 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,나노튜브가 이온 빔처리된전기장 방출 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,나노튜브가 갈륨 이온 빔처리된전기장 방출 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,나노튜브가 수소, 헬륨, 아르곤, 탄소, 산소, 및 제논 이온으로 구성된 그룹에서 선택되는 이온 빔처리된전기장 방출 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,화학적 처리가 산처리, 금속 증기 처리, 화학적 증기 이동 및 화학적 수착으로 구성된 그룹선택되는전기장 방출 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,화학적 처리가 산화제, 친전자체, 친핵체, 환원제, 강산, 강염기 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는화학 시약사용하여수행되는전기장 방출 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,화학적 처리가 프탈로시아닌또는포피린사용하여수행되는전기장 방출 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,에너지 처리가 전자기복사, 전리선, 원자 빔, 전자 빔, 자외선, 마이크로파 복사, 감마선, 엑스선, 중성자 빔, 분자 빔 및 레이저 빔으로 구성된 그룹에서 선택되는에너지원사용하여수행되는전기장 방출 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,플라즈마 처리가 산소, 수소, 암모니아, 헬륨, 아르곤, 물, 질소, 에틸렌, 탄소 테트라플루오라이드, 황 헥사플루오라이드, 퍼플루오로에틸렌, 플루오로폼, 디플루오로-디클로로메탄, 브로모-트리플루오로메탄, 클로로트리플루오로메탄 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는플라즈마사용하여수행되는전기장 방출 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,처리 결과 탄소 나노튜브 위에 금속 원자도입된전기장 방출 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,처리 결과 탄소 나노튜브 위에 작용기도입된전기장 방출 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,작용기가화학적수착에의해도입되는전기장 방출 장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,처리가 금속 증기의 존재하에탄소나노튜브가열하는것을포함하는전기장 방출 장치. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,처리가화학적수착후열처리하는것을포함하는전기장 방출 장치. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,처리가나노튜브를어닐링하는것을포함하는전기장 방출 장치. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,음극이 결합제를 추가포함하는전기장 방출 장치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,결합제가 전도성 탄소 페이스트,전도성 금속페이스트또는탄화가능한중합체인전기장 방출 장치. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,나노튜브는 실질적으로 원주형인 탄소 원섬유이고, 상기 탄소 원섬유는 원주 축과 중심이 같은 1 이상의 그래파이트 층을 갖고, 상기의 탄소 원섬유에는 열분해적으로 침착된 탄소 오버코트가 실질적으로 부재하며, 탄소 원섬유의 직경은 1 내지 100 nm 사이로서 실질적으로 균일하고, 길이 대 직경의 비5 이상인,전기장 방출 음극. [청구항 29] 제 27 항에 있어서,나노튜브는 솜사탕형 응집체 또는 새둥지형 응집체로 구성된 그룹에서 선택되는 응집체형태인전기장 방출 음극. [청구항 30] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 생선가시와 유사한 형태갖는전기장 방출 음극. [청구항 31] 제 27 항에 있어서,나노튜브가단일벽 나노튜브인전기장 방출 음극. [청구항 32] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 필름 또는 매트의형태인전기장 방출 음극. [청구항 33] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 이온 빔처리된전기장 방출 음극. [청구항 34] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 갈륨 이온 빔처리된전기장 방출 음극. [청구항 35] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 수소, 헬륨, 아르곤, 탄소, 산소, 및 제논 이온으로 구성된 그룹에서 선택되는 이온 빔처리된전기장 방출 음극. [청구항 36] 제 27 항에 있어서,화학적 처리가 산처리, 금속 증기 처리, 화학적 증기 이동 및 화학적 수착으로 구성된 그룹선택되는전기장 방출 음극. [청구항 37] 제 27 항에 있어서,화학적 처리가 산화제, 친전자체, 친핵체, 환원제, 강산, 강염기 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는화학 시약사용하여수행되는전기장 방출 음극. [청구항 38] 제 27 항에 있어서,화학적 처리가 프탈로시아닌또는포피린사용하여수행되는전기장 방출 음극. [청구항 39] 제 27 항에 있어서,에너지 처리가 전자기복사, 전리선, 원자 빔, 전자 빔, 자외선, 마이크로파 복사, 감마선, 엑스선, 중성자 빔, 분자 빔 및 레이저 빔으로 구성된 그룹에서 선택되는에너지원사용하여수행되는전기장 방출 음극. [청구항 40] 제 27 항에 있어서,플라즈마 처리가 산소, 수소, 암모니아, 헬륨, 아르곤, 물, 질소, 에틸렌, 탄소 테트라플루오라이드, 황 헥사플루오라이드, 퍼플루오로에틸렌, 플루오로폼, 디플루오로-디클로로메탄, 브로모-트리플루오로메탄, 클로로트리플루오로메탄 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는플라즈마사용하여수행되는전기장 방출 음극. [청구항 41] 제 27 항에 있어서,처리 결과 탄소 나노튜브 위에 금속 원자도입되는전기장 방출 음극. [청구항 42] 제 27 항에 있어서,처리 결과 탄소 나노튜브 위에 작용기도입되는전기장 방출 음극. [청구항 43] 제 42 항에 있어서,작용기가화학적수착에의해도입되는전기장 방출 음극. [청구항 44] 제 27 항에 있어서,처리가 금속 증기의 존재하에탄소나노튜브가열하는것을포함하는전기장 방출 음극. [청구항 45] 제 27 항에 있어서,처리가화학적수착후열처리하는것을포함하는전기장 방출 음극. [청구항 46] 제 27 항에 있어서,처리가상기의나노튜브어닐링하는것을포함하는전기장 방출 음극. [청구항 47] 제 27 항에 있어서,음극이 결합제를 추가포함하는전기장 방출 음극. [청구항 48] 제 47 항에 있어서,결합제가 전도성 탄소 페이스트,전도성 금속페이스트또는탄화가능한중합체인전기장 방출 음극. [청구항 49] 제 27 항에 있어서,나노튜브가 기질 상침착되는전기장 방출 음극.