이질 구조 2극 소자

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1및 제3베이스-에미터 전압에서, 상기 에미터 영역의 적어도 일부분내의 전도 밴드 바닥은 각각 상기 양자 우물의 양자 공진 이하 및 이상이며, 상기 부분은상기양자 우물과에미터의전기접촉사이에있는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 3] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 양자 우물은 상기 에미터 영역 또는 상기 에미터 영역과 콜렉터 영역 사이 또는 상기 베이스영역에있는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 양자 우물 상기 에미터 영역과 상기 콜렉터 영역사이에 있을때는, 상기 소자는 상기 에미터 영역과 상기 베이스 영역에 대하여 중간 영역을 포함하며, 상기 양자 우물은상기중간영역에있는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 양자 우물이 상기 베이스 영역에 있을 때는, 상기 콜렉터 영역과 베이스 영역은 본질적으로 같은밴드갭프로필갖는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 6] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 콜렉터 영역과 베이스 영역은 이질 접합을 형성하여 상기 베이스 영역의 전도 밴드는 콜렉터 영역의 전도 밴드 이하이며, 상기 베이스 영역의 밸런스 밴드는상기콜렉터영역의밸런스 밴드이상인것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 양자 우물의 에지는 두개의이질접합한정되는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 8] 제3항에 있어서,상기 양자 우물이 베이스 영역내에 있을 때는 상기 소자는 상기 양자 우물내에 소수의 캐리어를 터넬링 주사하는 수단을 포함하고, 상기 소자는 적어도 일부 조건에 대해 상기 에미터 영역을 결합하는 상기 베이스 영역 일부분의 전도 밴드는 본질적으로 상기 양자 우물의 접지-상태부밴드 바닥과 같은테벨인것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 베이스 영역의 부분nan은전기적접촉되지않은것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 전도 밴드는 본질적으로평형상태레벨인것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 전도 밴드는 5kt를 넘지 않는 접지-상태부밴드바닥아래놓인것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 양자 우물은 도프되거나 도프되지 않으며 도프되거나 도프되지 않을 수 있는 전위 장벽에 의해한정되는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 14] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 소자는 상기 에미터와 콜렉터 영역에 전기접촉하는이질구조2극광검출기인것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 15] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 전기 접촉은 상기 에미터,베이스및콜렉터영역에하는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자. [청구항 16] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 소자는, (a)복수의 입력을 가지며, 각 베이스의 전기 접촉에 접속된 저항성의 네트워크와 복수의 상기 장치 또는, (b)전기 접촉으로 베이스에 접속된 전압 계수 네트워트와, 병렬로 접속된 복수의 상기 장치 또는,(c)상기 소자와 고정 바이어스에서 베이스-콜렉터 접합을 유지하는 수단과 상기 전기 접촉으로 콜렉터에 접속된 저항을 구비하는회로의일부분형성하는것을특징으로 하는이질 구조 2극 소자.