문맥 (context)
[청구항6]
제 5항에 있어서,상기 유기은착체화합물은 하기 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 양면 인쇄회로기판의 제조방법.(화학식 1)(상기의 n은 1∼4의 정수이고, x는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트, 카복실레이트 및 그들의 유도체에서 선택되는 치환기이다)(화학식 2)(화학식 3)(화학식 4)(상기 r1, r2, r3, r4, r5 및 r6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 탄소수 1 내지 30개의 지방족이나 지환족 알킬기 또는 아릴기나 아랄킬(aralkyl)기, 관능기가 치환된 알킬기 및 아릴기와 헤테로고리 화합물기와 고분자화합물기 및 그들의 유도체선택되는치환기이다.)
제 5항에 있어서,상기 유기은착체화합물은 하기 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 양면 인쇄회로기판의 제조방법.(화학식 1)(상기의 n은 1∼4의 정수이고, x는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트, 카복실레이트 및 그들의 유도체에서 선택되는 치환기이다)(화학식 2)(화학식 3)(화학식 4)(상기 r1, r2, r3, r4, r5 및 r6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 탄소수 1 내지 30개의 지방족이나 지환족 알킬기 또는 아릴기나 아랄킬(aralkyl)기, 관능기가 치환된 알킬기 및 아릴기와 헤테로고리 화합물기와 고분자화합물기 및 그들의 유도체선택되는치환기이다.)
[청구항9]
제 7항에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식 5의 하나 이상의 금속화합물 군에서 선택하는 것을 특징으로 하는 양면 인쇄회로기판의 제조방법.(화학식 5)mnx(상기의 m은 제8항의 도전체 중에서 금속 군을, n은 10 이하의 정수, 그리고 x는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트, 머켑토, 아미드, 알콕사이드, 카복실레이트 및 그들의 유도체선택되는치환기이다.)
제 7항에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식 5의 하나 이상의 금속화합물 군에서 선택하는 것을 특징으로 하는 양면 인쇄회로기판의 제조방법.(화학식 5)mnx(상기의 m은 제8항의 도전체 중에서 금속 군을, n은 10 이하의 정수, 그리고 x는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트, 머켑토, 아미드, 알콕사이드, 카복실레이트 및 그들의 유도체선택되는치환기이다.)
[청구항19]
제 18항에 있어서,상기 회로패턴층 및 도금바닥층과 기재층 사이에 프라이머코팅층더 구비하는양면인쇄회로기판.
제 18항에 있어서,상기 회로패턴층 및 도금바닥층과 기재층 사이에 프라이머코팅층더 구비하는양면인쇄회로기판.
[청구항20]
제 18항 또는 제 19항에 있어서,상기 회로패턴층과 커버레이어층 사이에 구리도금층더 구비되는양면인쇄회로기판.
제 18항 또는 제 19항에 있어서,상기 회로패턴층과 커버레이어층 사이에 구리도금층더 구비되는양면인쇄회로기판.
[청구항23]
제 21항에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식 5의 하나 이상의 금속화합물 군에서 선택하는 것을 특징으로 하는 양면 인쇄회로기판의 제조방법.(화학식 5)mnx(상기의 m은 제22항의 도전체 중에서 금속 군을, n은 10 이하의 정수, 그리고 x는 산소, 황, 할로겐, 시아노, 시아네이트, 카보네이트, 니트레이트, 나이트라이트, 설페이트, 포스페이트, 티오시아네이트, 클로레이트, 퍼클로레이트, 테트라플로로 보레이트, 아세틸아세토네이트, 머켑토, 아미드, 알콕사이드, 카복실레이트 및 그들의 유도체선택되는치환기이다.)
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기은착체화합물은 어떠한 화합물들의 반응을 통해 얻어지는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation유기은착체화합물의 제조를 위한 반응물 구성을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 유기은착체화합물의 생성 원료에 관한 문구를 추출한다.
- 상기 유기은착체화합물은 하기 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것
-
3근거 선택
evidence_selection반응에 참여하는 두 가지 주요 성분군을 선택한다.
- 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물
- 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물
-
4논리 통합
logical_integration은 화합물과 암모늄계 화합물이 반응하여 유기은착체화합물이 된다는 논리 구조를 형성한다.
- 반응시켜 얻어지는 것
-
5결론 도출
conclusion_formulation화학식 1의 은 화합물과 화학식 2, 3, 4 중 하나의 암모늄계 화합물이 반응한다는 결론을 도출한다.
- 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것
-
6답변 생성
answer_generation질문에 적합한 형태로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 유기은착체화합물은 하기 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것
- 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물
- 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물
- 반응시켜 얻어지는 것
- 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4의 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어지는 것
최종 답변 (final_answer)
유기은착체화합물은 화학식 1의 하나 이상의 은 화합물과, 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4 중 하나 이상의 암모늄 카바메이트계 또는 암모늄 카보네이트계 화합물을 반응시켜 얻어진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
유기은착체화합물은 은 화합물(화학식 1)과 특정 암모늄계 화합물(화학식 2, 3, 4 중 하나)의 반응을 통해 생성된다.