구배 조성물 장벽

[청구항2] 제1항에 있어서,무기 층에 인접하게 그리고 기재의 제1 표면 반대편에 배치되는 보호 중합체 층을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항3] 제1항에 있어서,제1 표면과 무기 층 사이에 배치되는 평탄화(smoothing) 중합체 층을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항4] 제1항에 있어서,무기 층은가시광 투과성인장벽 조립체. [청구항5] 제1항에 있어서,제1 무기 물질 및 제2 무기 물질은 iia족, iiia족, iva족, va족, via족, viia족, ib족 또는 iib족으로부터의 원소(atomic element), iiib족, ivb족 또는 vb족의 금속, 희토류 금속, 또는 이들의 조합의 산화물, 질화물, 탄화물 또는 붕소화물포함하는장벽 조립체. [청구항6] 제5항에 있어서,제1 무기 물질은 제1 원소를 포함하며, 제2 무기 물질은 제1 원소와 상이한 제2 원소를 포함하고, 상기 비는 제1 원소 대 제2 원소의 원자비인장벽 조립체. [청구항7] 제6항에 있어서,제1 원소는 규소를 포함하며, 제2 원소는 알루미늄포함하는장벽 조립체. [청구항8] 제1항에 있어서,제1 표면에 수직한 방향으로 0.9 초과로부터 0.1 미만변화하는장벽 조립체. [청구항9] 제1항에 있어서,제1 표면에 수직한 방향으로 0.7 초과로부터 0.3 미만변화하는장벽 조립체. [청구항10] 제1항에 있어서,제1 표면에 수직한 방향으로 단조적변화하는장벽 조립체. [청구항11] 제2항에 있어서,무기 층과 보호 중합체 층 사이에 배치되는 제3 무기 물질을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항12] 제11항에 있어서,제3 무기 물질은 iia족, iiia족, iva족, va족, via족, viia족, ib족 또는 iib족의 원소, iiib족, ivb족 또는 vb족의 금속, 희토류 금속, 또는 이들의 조합의 산화물, 질화물, 탄화물 또는 붕소화물포함하는장벽 조립체. [청구항13] 제1항에 있어서,상대 습도에서 0.005 g/㎡/일 미만의 수증기 투과율갖는장벽 조립체. [청구항14] 제1항에 있어서,상대 습도에서 0.005 g/㎡/일 미만의 수증기 투과율갖는장벽 조립체. [청구항15] 제1항에 있어서,기재는 전자 소자포함하는장벽 조립체. [청구항16] 제15항에 있어서,전자 소자는 유기 전계발광 소자(organic electroluminescent device)(oled), 전기영동 소자(electrophoretic device), 광전지 소자(photovoltaic device), 박막 트랜지스터 소자(thin film transistor device), 또는 이들의 조합포함하는장벽 조립체. [청구항17] 제1항에 있어서,기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(pet), 폴리에틸렌 나프탈레이트(pen), 열 안정화 pet, 열 안정화 pen, 폴리옥시메틸렌, 폴리비닐나프탈렌, 폴리에테르에테르케톤, 플루오로중합체, 폴리카르보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리 α-메틸 스티렌, 폴리설폰, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르설폰, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 또는 폴리프탈아미드,또는이들의블렌드포함하는중합체 기재인장벽 조립체. [청구항18] 제2항에 있어서,보호 중합체 층 상에 배치되거나, 무기 층 상에 배치되거나, 보호 중합체 층과 무기 층 둘 모두의 상에 배치되는 투명 전도성 산화물을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항19] 제18항에 있어서,투명 전도성 산화물은 산화 인듐 주석포함하는장벽 조립체. [청구항21] 제20항에 있어서,무기 산화물 조성물에 인접하게 그리고 기재의 제1 표면 반대편에 배치되는 보호 중합체 층을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항22] 제20항에 있어서,제1 표면과 무기 산화물 조성물 사이에 배치되는 평탄화 중합체 층을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항23] 제21항에 있어서,무기 산화물 조성물과 보호 중합체 층 사이에 배치되는 제3 무기 산화물을 추가포함하는장벽 조립체. [청구항24] 제23항에 있어서,제1 원소의 산화물, 제2 원소의 산화물, 및 제3 무기 산화물은 산화규소 또는 산화알루미늄포함하는장벽 조립체.