문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 반도체 재료체는비정질반도체 합금지는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 비정질 반도체 합금이실리콘함유하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 반도체 재료체는 순수 비정질 실리콘 합금 영역 및 상기 순수영역과 상기 제1 및 제2어드레스 라인들 사이에서 상기 순수 영역의 맞은편 각 측에 한쌍의 도우핑된비정실실리콘 합금영역들포함하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 도우핑된 비정질 실리콘 합금영역의 쌍이반대도전성인것을특징으로 하는어레이.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 반도체 재료체가 다결정질 반도체 재료지는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 7]
제6항에 있어서,다결정질 반도체 재료는실리콘함유하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 8]
제1항에서 7항까지의 어느 한 항에 있어서,상기 제1 라인들이 상기 제2 어드레스 라인들에 직교하게배치되는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 9]
제1항에서 제8항까지의 어느 한 항에 있어서,평상시 사실상 비도전성인 상태 및 셋트가능한 사실상 리셋트 불가능한 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 셋트가능한 재료의 층이상기선택수단과상기복수개의어드레스라인들중의하나사이에있는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 셋트가능한 재료는비정질반도체 합금으로이루어진것을특징으로 하는어레이.
[청구항 11]
제10항에 있어서 상기 셋트가능한 재료는순수비정질실리콘 합금이루어지는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 12]
제1항에서 8항까지의 어느 한 항에 있어서,사실상 비도전성인 상태와 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 리셋트 가능한 재료의 층이 상기 선택수단과 상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나 사이에 있고, 이 리셋트 가능한 재료는 상기 상태들 사이에서셋트및리셋트가능한것을특징으로 하는어레이.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물포함하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 선택수단과 복수개의 어드레스 라인들 사이의 트랜스듀우서 재료의 층을 또한특징으로하는어레이.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 트랜스듀우서 재료는 그것에 가해지는 압력에 응답하여 변화하는 저항을 나타내는형태인것을특징으로 하는어레이.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나는투명도전성 재료지는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 투명 도전성 재료는인듐틴산화물인것을특징으로 하는어레이.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 도우핑된 비정질 실리콘 합금영역의 쌍은반대도전성되는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 20]
제18항 또는 19항의 어느 한 항에 있어서,상기 제1 어드레스 라인들은 상기 제2 어드레스 라인들과 직교하도록배열되는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 셋트가능한 재료가비정질반도체함유하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 23]
제22항에 있어서,상기 셋트가능한 재료가순수비정질실리콘 합금포함하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 24]
제18항중의 어느 한 항에 있어서,리셋트 가능한 재료의 층은 상기 다이오드 수단과 상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나 사이에 사실상 비도전성 상태 및 비교적 높은 도전성 상태를 가지며, 상기 리셋하 가능한 재료는 상기 상태들 사이에서셋트및리셋트가능한것을특징으로 하는어레이.
[청구항 25]
제24항에 있어서,상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물함유하는것을특징으로 하는어레이.
[청구항 70]
제69항에 있어서,상기 선택장치들nan은다이오드들포함하는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 71]
제70항에 있어서,상기 다이오드들nan은비정질실리콘 합금지는것을특징으로하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 72]
제71항에 있어서,상기 다이오드들은 순수영역과 그 순수영역의 맞은편 각측의 한쌍의 도우핑된영역구성되는것을특징으로하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 76]
제75항에 있어서,상기 전극들의 쌍nan은상기액정 디스플레이재료와수평배열되는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 77]
제75항에 있어서,상기 전극들의 쌍nan은상기액정 디스플레이재료와수직배열되는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 87]
제86항에 있어서,상기 감광재료는액정 디스플레이재료포함하는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 89]
제88항에 있어서,상기 다이오드들중의 선정된 것들은회로단락되는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 91]
제88항에 있어서,상기 전극들중의 하나는상기제1도체들중의하나위에놓이는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 92]
제91항에 있어서,상기 액정 디스플레이 재료와 상기 전극들nan은사실상동일평면상있는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
[청구항 93]
제88항에 있어서,상기 액정 디스플레이 재료와 상기 전극들nan은수직배열되는것을특징으로 하는평판 파넬 디스플레이.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 매트릭스 어레이에서 선택수단과 복수개의 어드레스 라인들 사이에 위치하며, 사실상 비도전성 상태와 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 리셋 가능한 재료의 층은 무엇을 포함하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation질문에서 요구하는 '리셋 가능한 재료의 층'의 구성 성분을 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 12에서 리셋 가능한 재료의 층이 선택수단과 어드레스 라인 사이에 위치하며 비도전성 및 높은 도전성 상태를 가짐을 확인한다.
- 사실상 비도전성인 상태와 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 리셋트 가능한 재료의 층이 상기 선택수단과 상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나 사이에 있고, 이 리셋트 가능한 재료는 상기 상태들 사이에서셋트및리셋트가능한것을특징으로 하는어레이
- 상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물포함하는것을특징으로 하는어레이
-
3근거 선택
evidence_selection리셋 가능한 재료의 구체적인 성분을 명시한 청구항 13을 선택한다.
- 상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물포함하는것을특징으로 하는어레이
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4논리 통합
logical_integration청구항 12의 조건과 청구항 13의 재료 구성을 결합하여 답변을 도출한다.
- 사실상 비도전성인 상태와 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 리셋트 가능한 재료의 층이 상기 선택수단과 상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나 사이에 있고, 이 리셋트 가능한 재료는 상기 상태들 사이에서셋트및리셋트가능한것을특징으로 하는어레이
-
5결론 도출
conclusion_formulation리셋 가능한 재료의 층은 칼콘화물을 포함한다.
- 상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물포함하는것을특징으로 하는어레이
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변인 '칼콘화물'을 추출하여 작성한다.
근거 (evidence)
- 사실상 비도전성인 상태와 비교적 높은 도전성 상태를 갖는 리셋트 가능한 재료의 층이 상기 선택수단과 상기 복수개의 어드레스 라인들중의 하나 사이에 있고, 이 리셋트 가능한 재료는 상기 상태들 사이에서셋트및리셋트가능한것을특징으로 하는어레이
- 상기 리셋트 가능한 재료는칼콘화물포함하는것을특징으로 하는어레이
최종 답변 (final_answer)
칼콘화물
핵심 해석 (core_interpretation)
전자 매트릭스 어레이에서 선택수단과 어드레스 라인 사이에 위치하여 전기적 상태를 전환할 수 있는 리셋 가능한 재료로 칼콘화물을 사용함을 명시하고 있다.