가교된 자기 도프형 도전성 폴리머, 그 제조방법, 그폴리머로 피복된 제품 및 전자 디바이스

[청구항 2] 제 1항에 있어서,술폰산기를갖는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머. [청구항 3] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 가교는 술폰 결합을 통하여 형성되고, 상기 술폰 결합은 상기 폴리머의 반복단위에 대하여 1~90몰%의양함유되는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머. [청구항 4] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,선 광전자 분광법으로 측정된 술폰산기의 결합 에너지 보다 0.5~2ev 낮은 결합 에너지를 갖는 결합을 통하여상기폴리머사슬가교된것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머. [청구항 5] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,술폰산기를 갖는 이소티아나프텐골격함유하는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머. [청구항 6] 제 5항에 있어서,술폰 결합을 통해 가교된 구조가 일반식(1)로 나타내어지는 이소티아나프텐 구조인 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, r1~r3은 각각 독립적으로 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알콕시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐옥시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -b1-so3-m+기를 나타내고, b1 및 b2는 각각 독립적으로 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내고, ar은 1가 방향족기, 치환된 1가 방향족기, 1가 복소환기치환된1가 복소환기를 나타내며, m+은 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 7] 제 6항에 있어서,술폰 결합을 통하여 가교된 구조는 일반식(2)로 나타내어지는 구조인 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, r1~r6은 각각 독립적으로 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알콕시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐옥시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -b1-so3-m+기를 나타내고, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 8] 제 7항에 있어서,술폰 결합을 통하여 가교된 구조는 일반식(3)으로 나타내어지는구조인것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 9] 제 2항에 있어서,술폰산기를 갖는복소5원환골격함유하는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머. [청구항 10] 제 9항에 있어서,술폰 결합을 통하여 가교된 구조는 일반식(4)로 나타내어지는 구조를 함유하는 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, x는 -s-, -o- 또는 -n(-r15)-를 나타내고, r15는 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기를 나타내고, b1 및 b2는 각각 독립적으로 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-를 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내고, ar은 1가 방향족기, 치환된 1가 방향족기, 1가 복소환기치환된1가 복소환기를 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 11] 제 10항에 있어서,술폰 결합을 통하여 가교된 구조는 일반식(5)로 나타내어지는 구조인 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, x는 -s-, -o- 또는 -n(-r15)-을 나타내고, r15는 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 2~20개의 탄소원자갖는직쇄상 또는 분기상 알케닐기를 나타내고, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 12] 제 11항에 있어서,술폰 결합을 통하여 가교된 구조는 일반식(6)으로 나타내어지는구조인것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머.(여기서, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 13] 제 7항에 기재된 일반식(2)로 나타내어진 술폰 결합을 통하여 가교된 구조를 함유하는 자기 도프형 도전성 폴리머를 제조하는 방법에 있어서,일반식(7)로 나타내어지는 구조를 갖는 자기 도프형 도전성 폴리머를 탈수 축합하는 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머의 제조방법.(여기서, r1~r3은 각각 독립적으로 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알콕시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐옥시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -b1-so3-m+기를 나타내고, 단, r1~r3 중 하나 이상은 수소원자이고, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+은 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 14] 제 7항에 기재된 일반식(2)로 나타내어지는 술폰 결합을 통하여 가교된 구조를 함유하는 자기 도프형 도전성 폴리머를 제조하는 방법에 있어서,일반식(7)로 나타내어지는 구조 및 일반식(8)로 나타내어지는 구조 중 하나 이상을 갖는 자기 도프형 도전성 폴리머를 탈수 축합하는 것을 특징으로 하는 자기 도프형 도전성 폴리머의 제조방법.(여기서, r1~r3 및 r7~r10은 각각 독립적으로 수소원자, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알콕시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알케닐옥시기, 히드록실기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기트리할로메틸기, 페닐기, 치환 페닐기 또는 -b1-so3-m+기를 나타내고, 단, r7~r10 중 하나 이상은 수소원자이고, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+은 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 15] 제 8항에 기재된 일반식(3)으로 나타내어지는 술폰 결합을 통하여 가교된 구조를 함유하는 자기 도프형 도전성 폴리머를 제조하는 방법에 있어서,일반식(9)로 나타내어지는 모노머를 중합시킴으로써 얻어진자기도프형도전성폴리머를탈수축합하는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머의 제조방법.(여기서, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 17] 제 12항에 기재된 일반식(6)으로 나타내어지는 술폰 결합을 통하여 가교된 구조를 함유하는 자기 도프형 도전성 폴리머를 제조하는 방법에 있어서,일반식(10)으로 나타내어지는 구조를 함유하는자기도프형도전성폴리머를탈수축합하는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머의 제조방법.(여기서, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+는 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 18] 제 12항에 기재된 일반식(6)으로 나타내어지는 술폰 결합을 통하여 가교된 구조를 함유하는 자기 도프형 도전성 폴리머를 제조하는 방법에 있어서,일반식(11)으로 나타내어지는 모노머를 중합시킴으로써 얻어진자기도프형도전성폴리머를탈수축합하는것을특징으로 하는자기 도프형 도전성 폴리머의 제조방법.(여기서, b1은 -(ch2)p-(o)q-(ch2)r-을 나타내고, p 및 r은 각각 독립적으로 0 또는 1~3의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타내며, m+은 수소 이온, 알칼리 금속 이온 또는 4급 암모늄 이온을 나타낸다.) [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 막 두께가 1~1,000nm인것을특징으로 하는도전성 막. [청구항 29] 제 27항에 있어서,상기 기판은실리콘 웨이퍼인것을특징으로 하는피복제품. [청구항 30] 제 27항에 있어서,상기 기판은 산화 인듐주석으로전체또는일부분피복된것을특징으로 하는피복제품. [청구항 34] 제 33항에 있어서,상기 자기 도프형 도전성 폴리머는술폰산기갖는것을특징으로 하는유기 발광 소자. [청구항 35] 제 33항에 있어서,상기 자기 도프형 도전성 폴리머는술폰결합가교된것을특징으로 하는유기 발광 소자. [청구항 38] 제 33항에 있어서,상기 유기 발광층nan은형광발광폴리머재료포함하는것을특징으로 하는유기 발광 소자. [청구항 39] 제 33항에 있어서,상기 유기 발광층nan은인광발광폴리머재료포함하는것을특징으로 하는유기 발광 소자.