공정 모니터링 장치와 그 방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 구동처리부는상기 탐침전극에 적어도 두 개의 기본 주파수를 가지는 교류 전압을 인가하는 구동부;상기 탐침전극에 흐르는 탐침 전류를 측정하는 감지부; 및상기 탐침 전류의 기본 주파수 각각에 대한 고조파 성분을 추출하는 처리부를 포함하되,상기 처리부는 각각의 기본 주파수에 고조파 성분을 처리하여공정모니터링 파라미터추출하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 공정 모니터링 파라미터는 상기 플라즈마와 상기 탐침 구조체에 의해 구성되는 등가 회로의 성분들, 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들, 및 상기 탐침 전극의 표면 상태에 관련된 물리량들 중에서적어도하나포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 교류 전압의 기본 주파수는 제1 기본 주파수 및 제2 기본 주파수를 포함하되,상기 처리부는상기 탐침 전류의 상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수 및 상기 탐침 전류의 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 추출하도록 구성되는 주파수 처리부; 및상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하도록 구성되는데이터 처리부포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 데이터 처리부는상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1 차 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 파라미터를 추출하도록구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 데이터 처리부는상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고,상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수 및 상기 제1 기본 주파수의 제2차 푸리어 시리즈 계수 또는 상기 제2 기본 주파수의 제1 푸리어 계수 및 상기 제2 기본 주파수의 제2차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기 데이터 처리부는상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고,상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 탐침 구조체는 상기 탐침 전극을 상기 플라즈마로 부터 분리시키는 절연보호막을 더 포함하고,상기 감지부는 상기 절연보호막의 정전용량을 회로적으로 보상하는보정부더포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 구동처리부는상기 탐침전극에 적어도 두 개의 기본 주파수를 가지는 교류 전압을 인가하는 구동부;상기 탐침전극에 흐르는 탐침 전류를 측정하는 감지부; 및상기 탐침 전류를 처리하여 상기 플라즈마의 아크 발생 여부를 판단하는아크처리부포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 10] 제1 항에 있어서,상기 구동 처리부는 상기 탐침 구조체와 플라즈마 사이의 정전용량 및 시스 저항 중에서 적어도 하나를 추출하도록구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 탐침 구조체와 상기 구동 처리부 사이에 축전기 및 상기 탐침 전극 상에 절연보호막 중에서적어도하나더포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 탐침구조체는제 1 탐침 전극 및 제2 탐침 전극을 포함하되,상기 제1 탐침 전극에는 제1 기본 주파수가 인가되고, 상기 제2 탐침 전극에는제2기본주파수인가되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 탐침구조체는제 1 탐침 전극 및 제2 탐침 전극을 포함하되,상기 제1 탐침 전극에는 제1 및 제2 기본 주파수가 인가되고,상기제2탐침전극접지된것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 구동처리부는상기 탐침 전극 상에 형성되는 박막에 의한공정모니터링 파라미터의변경을모니터링구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 16] 제1 항에 있어서,상기 탐침전극에 적어도 2개의 기본 주파수의 교류 전압을 인가하는 단계는 시간에 따라 연속적으로 주파수를 증가시키는 방법, 서로 다른 주파수를 갖는 교류 전압을 서로 다른 시간에 인가하는 방법, 및 동시에 복수의 기본 주파수를 인가하는 방법 중에서적어도하나포함하는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치. [청구항 23] 제 20 항에 있어서,상기 제1 기본 주파수의 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 푸리어 계수를 이용하여 상기 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 단계는상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 계수를 이용하여 상기 등가 회로의 성분들을 추출하도록 구성되고,상기 제1 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수와 상기 제2 기본 주파수의 제1차 푸리어 시리즈 계수를 이용하여 상기 플라즈마의 특성에 관련된 물리량들을 추출하도록구성되는것을특징으로 하는공정 모니터링 장치.