고분자 전해질막 및 그 제조방법

[청구항2] 제1항상기 고분자 전해질막은상기 이온전도체 100 중량부에 대하여,상기 산화안정제가 0.1 내지 5 중량부로포함되는 것인고분자 전해질막. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 이온 전도체는 술폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아릴에테르술폰, 술폰화 폴리에테르에테르케톤, 술폰화 폴리벤즈이미다졸, 술폰화 폴리술폰, 술폰화 폴리스티렌, 술폰화 폴리포스파젠 및 이들의 조합으로 이루어진군선택되는하나인 것인고분자 전해질막. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 페놀계 산화안정제는 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 펜타에리트리틸 테트라키스 [3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 옥타데실-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리에틸렌 글리콜 비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 2,4-비스(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-t-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진, 2,2-티오-디에틸렌 비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], n,n'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시-히드로신나마이드), 3,5-디-t-부틸-4-히드록시-벤질포스포네이트 디에틸 에스테르, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질) 이소시아누레이트 및 3,9-비스{2-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시]-1,1-디메틸에틸}-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데칸 및 이들의 조합으로 이루어진군선택된하나인 것인고분자 전해질막. [청구항5] 제1항에 있어서,상기 아민계 산화안정제는 모노옥틸디페닐아민, 모노노닐디페닐아민, 4,4'-디부틸디페닐아민, 4,4'-디펜틸디페닐아민, 4,4'-디헥실디페닐아민, 4,4'-디헵틸디페닐아민, 4,4'-디옥틸디페닐아민, 4,4'-디노닐디페닐아민 등의 디알킬디페닐아민계, 테트라부틸디페닐아민, 테트라헥실디페닐아민, 테트라옥틸디페닐아민, 테트라노닐디페닐아민, α-나프틸아민, 페닐-α-나프틸아민, 또한 부틸페닐-α-나프틸아민, 펜틸페닐-α-나프틸아민, 헥실페닐-α-나프틸아민, 헵틸페닐-α-나프틸아민, 옥틸페닐-α-나프틸아민, 노닐페닐-α-나프틸아민 및 이들의 조합으로 이루어진군선택된하나인 것인고분자 전해질막. [청구항6] 제1항에 있어서,상기 유황계 산화안정제는 펜타에리트리틸 테트라키스(3-라우릴티오프로피오네이트), 디스테아릴 3,3'-티오디프로피오네이트, 디라우릴 3,3'-티오디프로피오네이트 및 디스미리스틸 3,3'-티오디프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진군선택된하나인 것인고분자 전해질막. [청구항7] 제1항에 있어서,상기 인계 산화안정제는 트리스(노닐페닐)포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 디스테아릴 펜타에리트리톨 디포스파이트, 비스(2,6-디-t-부틸-4-메틸페닐) 펜타에리트리톨 디포스파이트 및 이들의 조합으로 이루어진군선택된하나인 것인고분자 전해질막. [청구항8] 제1항에 있어서,상기 다공성 지지체는 나일론, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리아릴렌에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 이들의 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나포함하는 것인고분자 전해질막. [청구항9] 제1항에 있어서,상기 다공성 나노섬유 웹 지지체는 폴리이미드 다공성 나노섬유 지지체이고,상기 이온전도체는 폴리아릴렌에테르술폰계 이온전도체 또는 폴리에테르에테르술폰계 이온전도체이고, 그리고,상기 산화안정제는 페놀계산화안정제인 것인고분자 전해질막.