양자 점 발광층

[청구항 1] (a) 각각의 코어가 정공 및 전자의 재결합에 반응하여 빛을 방출하는 반도체 물질을 갖는 다수의 발광 코어로서, 각각의 발광 코어가 제 1 밴드갭(bandgap)을 한정하는(defining) 다수의 발광 코어 (b) 상기 발광 코어 주위에 각각 형성되어 코어/쉘 양자 점을 형성하는 다수의 반도체 쉘로서, 각각의 반도체 쉘이 상기 제 1 밴드갭보다 넓은 제 2 밴드갭을 갖는 다수의 반도체 쉘; 및 (c) 상기 반도체 쉘에 접속되어 반도체 매트릭스를 통해 전도성 경로를 제공하고, 각각의 반도체 쉘 및 그의 상응하는 발광 코어에 접속되어 정공 및 전자의 재결합을 허용하는, 반도체 매트릭스 를 포함하는 무기 발광층 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,각각의 발광 코어가 iv, iii-v 또는 ii-vi 형 반도체 물질포함하는무기 발광층. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,각각의 발광 코어nan가포함하는무기 발광층 [청구항 4] 제 1 항에 있어서,각각의 반도체 쉘이 ii-vi 형 반도체 물질포함하는무기 발광층. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,각각의 반도체 쉘이 zns를포함하는무기 발광층. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,각각의 반도체 쉘이 ii-vi 형 반도체 물질포함하는무기 발광층. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 매트릭스가 iv, iii-v 또는 ii-vi 형 반도체 물질을 포함하는 무기 나노입자형성되는무기 발광층. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 반도체 매트릭스 물질의 밴드갭이 상기 반도체 쉘 물질의 밴드갭이내인무기 발광층. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 층 두께가 10 내지인무기 발광층. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 침착된 필름을 250 내지 300 ℃의 온도에서 60 분 이하어닐링하는무기 발광층. [청구항 12] (a) 이격된 애노드 및 캐쏘드 전극; 및 (b) 상기 애노드와 캐쏘드 전극 사이에 배치된 제 1 항에 따른 무기 발광층 을 포함하는 무기 발광 디바이스 [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 애노드와 무기 발광 층 사이에 배치된 p-형 수송층포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기p-형 수송층이 p-형포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기p-형 수송층의 전도성이 질소 또는 리튬 또는 이들 모두를 포함하는도판트에의해향상된무기 발광 디바이스. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,와 무기 발광층 사이에 배치된 n-형 수송층포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기n-형 수송층이 n-형포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기n-형 수송층의 전도성이 al, in 또는 ga를 포함하는 iii형도판트에의해향상된무기 발광 디바이스. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,와 무기 발광층 사이에 배치된 n-형 수송층포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기n-형 수송층이 n-형포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기n-형 수송층의 전도성이 al, in 또는 ga를 포함하는 iii형도판트에의해향상된무기 발광 디바이스. [청구항 22] (a) 기판; (b) 상기 기판상에 형성된 애노드 및 상기 애노드와 이격된 캐쏘드; 및 (c) 상기 애노드와 캐쏘드 사이에 배치된, 제 1 항에 따른 무기 발광층 을 포함하는 무기 발광 디바이스 [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 기판이 p-형 반도체 물질포함하는무기 발광 디바이스. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 발광층이 상기 기판의 한 면상에 형성되고, 상기 애노드가 상기 기판의 다른 면상형성된,무기 발광 디바이스. [청구항 25] 제 22 항에 있어서,상기 기판이 유리, 금속 호일, 또는 플라스틱으로 제조되고, 상기 애노드가 상기 기판상형성된,무기 발광 디바이스.