웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법

[청구항 1] 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착가능한 비실리콘 열가소성 수지층(a)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착가능한 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)이,(b-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,(b-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(si-h기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (b-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (b-2)성분 중의 si-h기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,(b-3) 백금계 촉매,를 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)이, 추가로, (b-4)성분으로서 반응제어제: 상기 (b-1) 및 상기 (b-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부,를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)의 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편의 180°필박리력이 2gf 이상 50gf 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)이, 하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.[화학식 1][식 중, r1~r4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, b는 양수, a는 0 또는 양수이다. 단 a+b=1이다. x는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.[화학식 2](식 중, z은[화학식 3]중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r5, r6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고,상호동일할수상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)] [청구항 6] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)이, 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.[화학식 4][식 중, r1~r4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, b는 양수, a는 0 또는 양수이다. 단, a+b=1이다. 나아가, y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.[화학식 5](식 중, v는[화학식 6]중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, r7, r8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고,상호동일할수상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)] [청구항 8] 지지체 상에 가접착재층이 형성되며, 또한 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체로서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리가능하게 접착된 비실리콘 열가소성 수지층(a)으로 이루어진 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 열경화성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리가능하게 접착된 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 갖는 복합 가접착재층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)이,(b-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산,(b-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소원자에 결합한 수소원자(si-h기)를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산: 상기 (b-1)성분 중의 알케닐기에 대한 (b-2)성분 중의 si-h기의 몰비가 0.3 내지 10이 되는 양,(b-3) 백금계 촉매,를 함유하는조성물의경화물층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공체. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)이, 추가로, (b-4)성분으로서 반응제어제: 상기 (b-1) 및 상기 (b-2)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1내지10질량부함유하는것을특징으로 하는웨이퍼 가공체. [청구항 11] 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 중합체층(b)의 열경화 후에 있어서의 25mm폭의 시험편의 180°필박리력이 2gf이상이하인것을특징으로 하는웨이퍼 가공체. [청구항 12] 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)이, 하기 일반식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.[화학식 7][식 중, r1~r4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, b는 양수, a는 0 또는 양수이다. 단, a+b=1이다. x는 하기 일반식(2)로 표시되는 2가의 유기기이다.[화학식 8](식 중, z은[화학식 9]중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r5, r6은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고,상호동일할수상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)] [청구항 13] 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 실록산 변성 중합체층(c)이, 하기 일반식(3)으로 표시되는 반복단위를 갖는 중량평균분자량이 3,000~500,000인 실록산 결합 함유 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 갖는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.[화학식 10][식 중, r1~r4는 동일할 수도 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이고, b는 양수, a는 0 또는 양수이다. 단, a+b=1이다. 나아가, y는 하기 일반식(4)로 표시되는 2가의 유기기이다.[화학식 11](식 중, v는[화학식 12]중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, r7, r8은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이고,상호동일할수상이할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]