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질화물계 비정질 연자성 박막, 자성소자 및 질화물계비정질 연자성 박막의 제조방법

uuid
30dce50c-6972-50d5-82f5-eabd50813537
출원번호
1020050060388
출원연도
2005
IPC
C23C
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항2] 제1항에 있어서,상기 박막이 cofen으로이루어진것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막 [청구항4] 제3항에 있어서,상기 연자성 박막이 cofen으로이루어진것을특징으로 하는자성소자 [청구항5] 제4항에 있어서,자성소자가 자성 메모리, 자기헤드, 및 스핀 트랜지스터, 스핀-led, 스핀-fet, 및 스핀-rtd로 이루어지는 스핀소자로 이루어지는 자성소자 그룹으로부터 선택된1종인것을특징으로 하는자성소자 [청구항7] 제6항에 있어서,상기 질소분압이 5×10-5 ~ 5× 10-3torr인것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법 [청구항8] 제7항에 있어서,챔버내로 공급되는질소의유량인것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법 [청구항9] 제7항 또는 제8항에 있어서,챔버내의 가스조성은 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법 [청구항10] 제6항에서 제9항중의 어느 한 항에 있어서,상기 기판과 타겟사이의거리인것을특징으로하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법 [청구항11] 제6항에서 제9항중의 어느 한 항에 있어서,박막상에 형성되는자기장세기인것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법 [청구항12] 제10항에 있어서,박막상에 형성되는자기장세기인것을특징으로 하는질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
질화물계 비정질 연자성 박막의 제조방법에서 챔버 내 가스 조성은 어떠한 성분과 비율로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질화물계 비정질 연자성 박막 제조방법의 가스 조성 조건을 찾는 과업을 수행한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 9에서 가스 조성에 관한 정보를 추출한다.

    • 챔버내의 가스조성은 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    가스 조성의 성분과 비율을 명시한 청구항 9의 문구를 선택한다.

    • 챔버내의 가스조성은 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 바탕으로 가스 조성이 질소가스(0.1~10%)와 비활성가스로 구성됨을 확인한다.

    • 0.1 ∼10%의질소가스
    • 나머지비활성가스
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    가스 조성은 0.1 ∼ 10%의 질소가스 및 나머지 비활성가스로 이루어진다는 결론을 도출한다.

    • 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 적합한 형태로 최종 답변을 작성한다.

    • 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
근거 (evidence)
  • 챔버내의 가스조성은 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
  • 0.1 ∼10%의질소가스
  • 나머지비활성가스
  • 0.1 ∼10%의질소가스및나머지비활성가스로이루어지는것
최종 답변 (final_answer)
챔버 내 가스 조성은 0.1 ∼ 10%의 질소가스 및 나머지 비활성가스로 이루어진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
질화물계 비정질 연자성 박막 제조 시 챔버 내 가스는 일정 비율의 질소와 나머지를 채우는 비활성가스의 혼합물로 구성된다.