반도체 장치

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기(d) 금속 수산화물 및/또는 금속 수산화물 고용체의 평균 입경이 1㎛ 이상이하인반도체 장치. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기(d) 금속 수산화물 및/또는 금속 수산화물 고용체의 상기 에폭시 수지 조성물 전체 질량에 대한 함유 비율이 1질량％ 이상, 10질량이하인반도체 장치. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기(d) 금속 수산화물 및/또는 금속 수산화물 고용체가 결정수를 20질량％ 이상함유하는반도체 장치. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기(d) 금속 수산화물 및/또는 금속 수산화물 고용체가 수산화 알루미늄 및/또는 수산화마그네슘인반도체 장치. [청구항 6] 청구항 5에 있어서,상기 에폭시 수지 조성물이 수산화 지르코늄, 하이드로탈사이트, 베마이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 알루미늄 부식 방지제더 포함하는반도체 장치. [청구항 7] 청구항 1에 있어서,상기(c) 구상 실리카의 모드 지름이 35㎛ 이하이고, 또한 상기 (c) 구상 실리카에 포함되는 55㎛ 이상의 입자의 함유율이 0.1질량이하인반도체 장치. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,상기 에폭시 수지가일반식 (1)：(일반식 (1)에 있어서, -r1-는 페닐렌기 또는 나프틸렌기이고, -r1-가 나프틸렌기인 경우 글리시딜 에테르기의 결합 위치는 α위치여도 되고 β위치여도 되며, -r2-는 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기이고, r3 및 r4는 각각 r1 및 r2에 도입되고 탄소수 1~10의 탄화수소기이며, 이것들은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, a는 0~5의 정수이고, b는 0~8의 정수이며, n1의 평균값은 1 이상, 3 이하의 정수이다)로 나타내는 에폭시 수지,일반식 (2)：(일반식 (2)에 있어서, r5는 탄소수 1~4의 탄화수소기이고, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, r6은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 탄화수소기이고, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, c 및 d는 0 또는 1의 정수이고, e는 0~5의 정수이다)로 나타내는 에폭시 수지,일반식 (3)：(일반식 (3)에 있어서, r7 및 r8은 수소 원자 또는 메틸기이며, n3은 0~5의 정수이다)에서 나타내는 에폭시 수지, 및일반식 (4)：(일반식 (4)에 있어서, n4의 평균값은 0 이상, 4 이하의 정수이다)로 나타내는 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 에폭시 수지포함하는반도체 장치. [청구항 9] 청구항 1에 있어서,상기 경화제가일반식 (5)：(일반식 (5)에 있어서, -r9-는 페닐렌기 또는 나프틸렌기이며, -r9-가 나프틸렌기인 경우 수산기의 결합 위치는 α위치여도 되고 β위치여도 되며, -r10-는 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기이고, r11 및 r12는 각각 r9, r10에 도입되고 탄소수 1~10의 탄화수소기이며, 이것들은 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, f는 0~5의 정수이고, g는 0~8의 정수이며, n5의 평균값은 1 이상, 3 이하의 정수이다)로 나타내는 페놀 수지포함하는반도체 장치. [청구항 10] 청구항 1에 있어서,상기 경화제가일반식 (6)：(일반식 (6)에 있어서, n6의 평균값은 0 이상, 4 이하의 정수이다)으로 나타내는 페놀 수지포함하는반도체 장치.