납 프리 땜납 합금, 플럭스 조성물, 솔더 페이스트 조성물, 전자 회로 기판 및 전자 제어 장치

[청구항2] 제1항에 있어서,001질량％ 이상 0.25질량％이하더포함하는것을특징으로 하는납 프리 땜납 합금. [청구항3] ag를 2질량％ 이상 3.1질량％ 이하로, cu를 0질량％ 초과 1질량％ 이하로, sb를 1질량％ 이상 5질량％ 이하로, bi를 3.1질량％ 이상 4.5질량％ 이하로, ni를 0.01질량％ 이상 0.25질량％ 이하로, co를 0.001질량％ 이상 0.25질량％ 이하 포함하고 잔부가 sn을 포함하며, ag와 cu와 sb와 bi와 ni와 co의 각각의 함유량(질량％)이 하기 식 (a) 내지 (d) 모두를 만족시키는 것을 특징으로 하는 납 프리 땜납 합금 [청구항4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,을 0질량％ 초과 6질량％이하더포함하는것을특징으로 하는납 프리 땜납 합금. [청구항5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,중 적어도 1종을 합계로 0.001질량％ 이상 0.05질량％이하더포함하는것을특징으로 하는납 프리 땜납 합금. [청구항6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,중 적어도 1종을 합계로 0.001질량％ 이상 0.05질량％이하더포함하는것을특징으로 하는납 프리 땜납 합금. [청구항8] 제7항에 있어서,상기 플럭스 조성물은, 상기 활성제 (b)의 배합량이 플럭스 조성물 전량에 대하여 4.5질량％ 이상 35질량％ 이하이고,상기 활성제 (b)로서, (b-1) 탄소수가 3 내지 4인 직쇄의 포화 디카르복실산을 플럭스 조성물 전량에 대하여 0.5질량％ 이상 3질량％ 이하, (b-2) 탄소수가 5 내지 13인 디카르복실산을 플럭스 조성물 전량에 대하여 2질량％ 이상 15질량％ 이하, 및 (b-3) 탄소수가 20 내지 22인 디카르복실산을 플럭스 조성물 전량에 대하여 2질량％ 이상 15질량％이하포함하는것을특징으로 하는솔더 페이스트 조성물. [청구항9] 제8항에 있어서,소수가 3 내지 4인 직쇄의 포화 디카르복실산 (b-1)은 말론산 및 숙신산 중 적어도 한쪽이고,상기 탄소수가 5 내지 13인 디카르복실산 (b-2)는 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 2-메틸아젤라산, 세바스산, 운데칸이산, 2,4-디메틸-4-메톡시카르보닐운데칸이산, 도데칸이산, 트리데칸이산 및 2,4,6-트리메틸-4,6-디메톡시카르보닐트리데칸이산으로부터 선택되는 적어도 1종이고,상기 탄소수가 20 내지 22인 디카르복실산 (b-3)은 에이코사이산, 8-에틸옥타데칸이산, 8,13-디메틸-8,12-에이코사디엔이산 및 11-비닐-8-옥타데센이산으로부터 선택되는적어도1종인것을특징으로 하는솔더 페이스트 조성물.