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가스 분사 판을 구비하는 반도체 장치의 제조설비

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출원번호
1020010026756
출원연도
2001
IPC
C23C
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항1] 웨이퍼가 로딩되는 정전척과 그 위로 상기 웨이퍼 전면에 고르게 소오스 가스를 분사할 수 있는 가스 분사 판이 구비된 반도체 장치의 제조 설비에 있어서, 상기 가스 분사 판의 가장 자리에 손상 방지를 위한 보호 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 설비 [청구항2] 제 1 항에 있어서,상기 보호 수단nan은상기가스분사판의안쪽부분확장된것을특징으로 하는반도체 장치의 제조 설비. [청구항3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 보호 수단은 테프론막인것을특징으로 하는반도체 장치의 제조 설비.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치 제조 설비의 가스 분사 판 가장자리에 구비된 보호 수단의 구조적 특징과 그 재질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    가스 분사 판 보호 수단의 구조적 특징과 재질을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1, 2, 3에서 보호 수단에 관한 정보를 추출한다.

    • 가스 분사 판의 가장 자리에 손상 방지를 위한 보호 수단이 구비
    • 보호 수단nan은상기가스분사판의안쪽부분확장된것
    • 보호 수단은 테프론막
  3. 3근거 선택evidence_selection

    구조적 특징(안쪽 부분 확장)과 재질(테프론막)에 해당하는 근거를 선택한다.

    • 가스분사판의안쪽부분확장된것
    • 보호 수단은 테프론막
  4. 4논리 통합logical_integration

    보호 수단은 가스 분사 판의 안쪽 부분이 확장된 구조를 가지며, 그 재질은 테프론막임을 결합한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    보호 수단은 가스 분사 판의 안쪽 부분이 확장된 형태이며 테프론막으로 이루어져 있다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 적합한 형태로 최종 답변을 작성한다.

근거 (evidence)
  • 가스 분사 판의 가장 자리에 손상 방지를 위한 보호 수단이 구비
  • 보호 수단nan은상기가스분사판의안쪽부분확장된것
  • 보호 수단은 테프론막
  • 가스분사판의안쪽부분확장된것
최종 답변 (final_answer)
가스 분사 판의 보호 수단은 가스 분사 판의 안쪽 부분이 확장된 구조를 가지며, 그 재질은 테프론막이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
가스 분사 판의 가장자리에 위치한 보호 수단은 안쪽 부분이 확장된 형태이며 테프론막으로 구성된다.