도전성 패턴의 형성 방법 및 그 형성 장치, 및 그 도전성 패턴을 갖는 기판

[청구항 12] 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서, 감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과, 상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고, 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하고, 상기 묘화 패턴을 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결시켜, 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치 [청구항 13] 제12항에 있어서,귀금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,비금속 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리대에 배치하여 마이크로파 hegd표면파 플라즈마에 노출시키고, 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 16] 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서, 감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단과, 상기 패턴을 묘화한 기재를 상기 처리실 내에 배치하기 위한 처리대를 구비하고, 상기 처리실의 반입구에 부수되어 있는 제1 예비실과, 그 반출구에 부수되어 있는 제2 예비실과, 상기 제1 예비실을 감압하는 동시에 반입구를 개방시켜, 패턴을 묘화한 기재를 제1 예비실로부터 처리실 내의 처리대 상으로 송입하는 반입 기구와, 상기 제2 예비실을 감압하는 동시에 반출구를 개방시켜, 패턴을 묘화한 기재를 처리실 내의 처리대 상으로부터 제2 예비실로 송출하는 반출 기구를 구비하고, 반입 기구에 의한 반입과, 처리대에서의 플라즈마 처리와, 반출 기구에 의한 반출을 일련으로 행하고, 상기 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 처리실 내에서, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 상기 묘화 패턴의 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치 [청구항 17] 제16항에 있어서,귀금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,비금속 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자의 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 기재를, 상기 반입 기구에 의해 반입하고, 처리대에서 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 반출 기구에 의해 반출하고, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 환원 처리하고, 소결 처리하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 20] 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리대에는, 패턴이 묘화된 기재의 이면을 냉각하는냉각수단구비한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 21] 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리대에는, 상기 묘화한 기재를 공기 흡인하고, 인쇄물을 처리대에 접합시키는흡인유지수단마련한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 22] 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리대의 받침면을 완만한팽출면형성한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 23] 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리대를 회전시키는구동수단구비한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 24] 제18항 또는 제19항에 있어서,제2 예비실에는, 묘화한 기재를 취출하기 전에, 소결된 도전성 패턴의 산화를 억제하는산화억제가스의공급수단구비한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 25] 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 비도전성의 기재에 패턴을 묘화하고, 이 패턴에 존재하는 미립자를 소결 처리하여 도전성 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치에 있어서, 감압실로서 구성한 처리실의 조사창으로부터 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에 조사창을 따라 표면파 플라즈마를 발생시키는 무전극의 플라즈마 발생 수단을 구비하고, 또한, 상기 처리실 내에는, 패턴을 묘화한 긴 직경의 가요성 기재가 감겨 있는 권입 릴과, 그 가요성 기재를 감는 권취 릴과, 이들 2개의 릴 사이에 설치되고 묘화 패턴에 마이크로파 표면파 플라즈마를 조사시키는 플라즈마 처리 롤러를 구비하고, 권입 릴로부터 공급되는 상기 가요성 기재를 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를, 전자 온도가 낮고, 전자 밀도가 높은 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결 처리를 연속적으로 실시하고, 도전성 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 장치 [청구항 26] 제25항에 있어서,귀금속 미립자를 분산한 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 긴 형상의 가요성 기재를 권입 릴로부터 공급하고, 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시켜 소결 처리를 연속적으로 실시하고,도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 처리실에 마이크로파 에너지와 함께 환원성 기체를 공급하고, 환원성 기체의 분위기 중에서 표면파 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 구비하고,비금속 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 비금속의 미립자를 분산한 분산액을 사용하여 패턴을 묘화한 긴 형상의 가요성 기재를 권입 릴로부터 공급하고, 플라즈마 처리 롤러를 통해 권취 릴로 이동시키는 동안에, 묘화 패턴에 존재하는 미립자를 마이크로파 표면파 플라즈마에 노출시키고, 환원 처리와 소결 처리를 연속적으로 실시하여도전성패턴형성하는것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,가요성 기재가, 구리 미립자 또는 표면이 적어도 산화되어 있는 구리 미립자를 분산시킨 미립자 분산액을 사용하여 긴 형상의 기재에패턴묘화한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 29] 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,플라즈마 처리 롤러에는, 가요성 기재의 이면을 냉각하는냉각수단마련한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 30] 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,플라즈마 처리 롤러와 권취 릴 사이에, 가요성 기재를 안내하면서 온도를 내리는냉각롤러배치한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 31] 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,권입 릴, 권취 릴, 플라즈마 처리 롤러를 구동하는 구동 수단에는, 권입 릴과 권취 릴과 함께, 플라즈마파 처리 롤러를 적은 범위에서 정역회전시키는정역회전 구동수단구비한것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 32] 제12항, 제16항, 제25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 수단은, 처리실의 조사창으로부터 주파수 2450㎒의 마이크로파 에너지를 공급하고, 처리실 내에는, 전자 온도가 약 1ev 이하, 전자 밀도가 약 1×1011 내지 1×1013㎝-3인 마이크로파 표면파 플라즈마를 발생시키는구성인것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 33] 제14항, 제15항, 제18항, 제19항, 제27항, 제28항 중 어느 한 항에 있어서,수소 가스 등의 환원성 기체를 사용하는 것을특징으로 하는,패턴 형성 장치. [청구항 34] 제12항 내지 제33항 중어느 한 항에 기재된 패턴 형성 장치에 있어서 패턴형성한,기판.