문맥 (context)
[청구항 12]
본 기판 위에 형성된 절연막에 콘택홀 을 형성하는 단계,
더미 기판을 스퍼터 식각 챔버에 로딩하는 단계,
상기 더미 기판이 로딩된 상태에서 상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝하는 단계,
상기 컨디셔닝 공정을 진행한 챔버 내에 콘택홀이 형성되어 있는 본 기판을 로딩하는 단계,
상기 본 기판을 스퍼터 식각하는 단계,
상기 콘택홀 위에 접착막 및 베리어막을 순차적으로 형성하는 단계,
상기 베리어막 위에 텅스텐을 증착하여 콘택홀을 매립한 다음 베리어막이 드러나도록 텅스텐을 에치백 하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 형성된 반도체소자의 금속 플러그
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 펄스 파워와 rf 파워 중 어느 하나의 파워를 더미 웨이퍼의 전극에 인가하고, 다른 하나의 파워를 스퍼터 식각 챔버 벽의 전극에 인가하여컨디셔닝진행하여형성되는반도체소자의 금속 플러그.
[청구항 14]
제 12항에 있어서,상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 다음, 콘택홀이 형성된 결과물을 스퍼터 식각하기 전에 퍼지 공정을 2~5회더추가진행하여형성되는반도체소자의 금속 플러그.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체소자의 금속 플러그를 형성하는 방법 중, 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 이후 본 기판을 로딩하여 스퍼터 식각하기 전 단계 사이에 수행되는 추가 공정은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 후 본 기판을 로딩하여 스퍼터 식각하기 전 단계 사이에 수행되는 추가 공정을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 컨디셔닝 이후와 스퍼터 식각 이전의 공정 순서를 확인한다.
- 상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 다음, 콘택홀이 형성된 결과물을 스퍼터 식각하기 전에 퍼지 공정을 2~5회더추가진행하여
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '컨디셔닝 이후'와 '스퍼터 식각 전' 사이의 공정인 '퍼지 공정'을 선택한다.
- 상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 다음, 콘택홀이 형성된 결과물을 스퍼터 식각하기 전에 퍼지 공정을 2~5회더추가진행하여
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4논리 통합
logical_integration청구항 14의 문맥상 컨디셔닝 단계와 스퍼터 식각 단계 사이에 퍼지 공정이 삽입되어 있음을 파악한다.
- 상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 다음, 콘택홀이 형성된 결과물을 스퍼터 식각하기 전에 퍼지 공정을 2~5회더추가진행하여
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5결론 도출
conclusion_formulation추가되는 공정은 2~5회의 퍼지 공정임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 스퍼터 식각 챔버를 컨디셔닝한 다음, 콘택홀이 형성된 결과물을 스퍼터 식각하기 전에 퍼지 공정을 2~5회더추가진행하여
최종 답변 (final_answer)
퍼지 공정을 2~5회 더 추가진행
핵심 해석 (core_interpretation)
스퍼터 식각 챔버 컨디셔닝 후 본 기판을 스퍼터 식각하기 전, 공정의 안정성을 위해 2~5회의 퍼지 공정을 추가로 수행하는 제조 방법을 나타낸다.