반도체 소자의 제조 장치

[청구항2] 제1 항에 있어서,상기 제1 노즐부 및 제2 노즐부에, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 복수의 반도체 기판들 표면에 분사하기 위한 분사구들포함하는원자층 증착 장치. [청구항3] 제1 항에 있어서,상기 제1 노즐부 및 제2 노즐부와 연결되어, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 튜브 외부에서 상기 튜브 내부로 주입하는 제1 주입부 및 제2 주입부; 상기 공정튜브 외부에서, 상기 제1 주입부 및 상기 제2 주입부와 각각 연결되며, 상기 박막 형성을 위한 제1 소스 및 제2 소스를 각각 공급하는 제1 소스공급부와 제2 소스공급부더 포함하는원자층 증착 장치. [청구항4] 제3 항에 있어서,상기 제1 소스공급부에, 액체로 된 소스 물질을 기상 소스인 상기 제1 소스로 기화시키는소스기화부를포함하는원자층 증착 장치. [청구항5] 제3 항에 있어서,상기 박막은 하프늄 산화막(hfo2)이고, 상기 제1 소스공급부에서 공급되는 상기 제1 소스는 테트라키스 에틸메틸아미노 하프늄(temah), 하프늄 터셔리-부톡사이드(htb), 테트라키스 다이메틸아미노 하프늄(tdmah), 테트라키스 다이에틸아미노 하프늄(tdeah), 또는 하프늄 클로라이드인원자층 증착 장치. [청구항6] 제3 항에 있어서,상기 박막은 지르코늄 산화막(zro2)이고, 상기 제1 소스부에서 공급되는 상기 제1 소스는 지르코늄 터셔리부톡사이드(ztb), 테트라키스 에틸메틸아미노 지르코늄(temaz), 테트라키스 디메틸아미노 지르코늄(tdmaz), 테트라키스 디에틸아미노 지르코늄(tdeaz), 또는 지르코늄 테트라염화물인원자층 증착 장치. [청구항7] 제3 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 소스공급부에서 공급되는 상기 제2 소스인원자층 증착 장치. [청구항8] 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결합부는 쿼츠포함하는원자층 증착 장치. [청구항9] 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결합부는 제1 노즐부 및 제2 노즐부와 탈부착가능하도록만들어진 원자층 증착 장치.