픽셀의 누설전류를 방지할 수 있는 영상 촬상 장치 및 그방법

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 로우 드라이버에 의해 임의의 한 행이 선택될 경우, 상기 선택된 행의 픽셀은 상기 리셋 전압 및 상기 신호 전압출력하는영상 촬상 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 로우 드라이버에 의해 선택된 행은 상기 로우 드라이버에서 생성된 활성화된 선택신호에 의해 활성화되는영상 촬상 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 누설 전류 차단부는 상기 열들에 각각 대응되는 누설 전류 차단 회로들포함하는영상 촬상 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 누설 전류 차단 회로들은, 상기 로우 드라이버의 제어에 의해 누설 전류 차단 전압을 생성하고, 상기 생성된 누설 전류 차단 전압을 각각 대응하는 열들제공하는영상 촬상 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 누설 전류 차단 전압은 상기 활성화된선택신호의 전압 레벨보다 낮은 영상 촬상 장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,열들의 픽셀들은 상기 누설 전류 차단 전압입력받는영상 촬상 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,열들의 픽셀들 중 선택되지 않는 행의 픽셀들은 상기 누설 전류 차단 전압에 응답하여 오프 상태되는영상 촬상장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 픽셀들은상기 리셋 전압을 생성하고, 상기 생성된 리셋 전압을 출력하는 리셋 회로;빛을 감지하고, 상기 감지된 빛에 대응하는 상기 신호 전압을 출력하는 감지 회로;상기 리셋 회로에서 출력된 상기 리셋 전압 및 상기 감지 회로에서 출력된 상기 신호 전압을 전송하기 위한 버퍼로 사용되는 소스 팔로워 회로; 및상기 로우 드라이버의 제어에 의해 선택되며, 상기 누설전류차단 전압을 입력받는 선택회로를 각각 포함하고,상기 로우 드라이버에 의해 선택된 픽셀의 선택회로는 상기 소스 팔로워 회로로부터 전송된 상기 리셋 전압 및 상기 신호 전압출력하는영상 촬상장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 로우 드라이버에 의해 선택되지 않은 픽셀의 선택회로는 상기 누설 전류 차단 전압에 응답해서 오프 상태되는영상 촬상장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 리셋 회로, 상기 소스 팔로워 회로, 및 상기 선택회로는 엔모스 트랜지스터구성된영상 촬상장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터는 공핍형트랜지스터인영상 촬상 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 공핍형 트랜지스터는피형 에피 상의 피형웰;상기 피형웰에 형성되어 활성영역을 한정하는 절연막;상기 활성영역 상에 배치된 게이트;상기 게이트와 상기 활성영역 사이에 개재된 게이트 옥사이드;상기 게이트 양측의 활성영역에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역; 및상기 게이트 아래의 활성영역에 형성된 엔 타입으로 도핑된 엔타입 채널 영역을 포함하고,상기 엔형 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는 절연막도핑되어 있는영상 촬상장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 엔타입 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는절연막도핑되어않은영상 촬상장치 [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터는 피 에피 피웰형트랜지스터인영상 촬상 장치. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,피 에피 피웰형 트랜지스터는피형 에피;상기 피형 에피에 형성되어 활성영역을 한정하는 절연막;상기 절연막을 둘러싸서 접촉된 피형웰;상기 활성영역 상에 배치된 게이트;상기 게이트와 상기 활성영역 사이에 개재된 게이트 옥사이드; 및상기 게이트 양측의 활성영역에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역포함하는영상 촬상장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막과 같은 경계선상배치되는영상 촬상 장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막의 경계선보다 안쪽배치되는영상 촬상 장치. [청구항 19] 제 11 항에 있어서,상기 엔모스 트랜지스터는 피 에피 피웰 공핍형트랜지스터인영상 촬상 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 피 에피 피웰 공핍형 트랜지스터는피형 에피;상기 피형 에피에 형성되어 활성영역을 한정하는 절연막;상기 절연막을 둘러싸서 접촉된 피형웰;상기 활성영역 상에 배치된 게이트;상기 게이트와 상기 활성영역 사이에 개재된 게이트 옥사이드;상기 게이트 양측의 활성영역에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역; 및상기 게이트 아래의 활성영역에 형성된 엔 타입으로 도핑된 엔타입 채널 영역을 포함하고,상기 엔타입 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는 절연막도핑되어 있는영상 촬상장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막과 같은 경계선상배치되는영상 촬상장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막의 경계선보다 안쪽배치되는영상 촬상장치. [청구항 23] 제 19 항에 있어서,상기 피 에피 피웰 공핍형 트랜지스터는피형 에피;상기 피형 에피에 형성되어 활성영역을 한정하는 절연막;상기 절연막을 둘러싸서 접촉된 피형웰;상기 활성영역 상에 배치된 게이트;상기 게이트와 상기 활성영역 사이에 개재된 게이트 옥사이드;상기 게이트 양측의 활성영역에 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역; 및상기 게이트 아래의 활성영역에 형성된 엔 타입으로 도핑된 엔타입 채널 영역을 포함하고,상기 엔타입 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는 절연막을 둘러싸서 접촉된피형웰도핑되어않은영상 촬상장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막과 같은 경계선상에 배치되고, 상기 엔타입 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는절연막도핑되어않은영상 촬상장치. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 피형웰은 상기 절연막 아래에 배치되며, 상기 절연막의 경계선보다 안쪽에 배치되고, 상기 엔타입 채널 영역은 상기 게이트 양측에 형성되어 있는절연막도핑되어않은영상 촬상장치. [청구항 26] 제 9 항에 있어서,상기 리셋 회로, 상기 소스 팔로워 회로, 및 상기 선택회로는 피모스 트랜지스터구성된영상 촬상장치. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 누설 전류 차단부는 상기 복수의 픽셀들에서부터 상기 비트 라인으로의 누설 전류를 차단하도록 상기 비트라인을 누설 전류 차단 전압설정하는영상 촬상 장치. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,상기 선택되지 않은 픽셀들은 상기 비트라인에 설정된 상기 누설 전류 차단 전압에 응답해서 오프상태되는영상 촬상 장치. [청구항 33] 제 30 항에 있어서,상기 누설 전류 차단부는 상기 비트라인들에 각각 대응되는 누설 전류 차단 회로들포함하는영상 촬상 장치.