집적회로에 이용하기 위한 래치-업 방지회로

[청구항 2] 제1항에 있어서,의 도전성을 가진 반도체기판은 제1의 도전성으 ㅣ트로프형태의 반도체지역으로 대치되고, 제2도전성을 가진 트로프형태의 반도체지역은 제2도전성의 반도체기판으로 대치되며, 제1의 도전성을 가진 트로프형태의 반도체지역이제2도전성의반도체기판내삽입되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치 [청구항 3] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 전자적인 방지회로는 비교기,증폭기및전자스위치구성되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 비교기는 부하소자와 제1의 전계효과 트랜지스터의 직렬 조합회로로 구성되고, 이 직렬회로의 부하소자의 제1단자는 양의 전압에 연결되어 있고, 이 직렬회로의 제2단자는 비교기의 제1의 입력단을 형성하는 제1의 전계효과 트랜지스터의 단자 및 그 기판단자로서 동시에 작용하며, 제1전계효과 트랜지스터의 게이트단자가 접지전위에 연결된비교기입력단으로되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,전자스위치가 p 채널 전계효과 트랜지스터로 구성되고, 이 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자가 상기 직렬회로의 제1전계효과 트랜지스터와 부하소자의 접속점에 연결되며, 그 기판단자가 양의 전압으로 연결되고 그 드레인단자가 제2의 캐패시터표면에 연결되며, 그 소오스단자가 캐패시터에 대한바이어스전압발생기연결되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,전자스위치가 인버터 뒤에오는 n 채널 전계효과 트랜지스터를 포함하고, 그 입력단이 직렬회로의 제1의 전계효과 트랜지스터와 부하소자의 접속점에 연결되며, 인버터의 출력단이 n 채널 전계효과 트랜지스터의 게이트단자로 연결되며, n 채널 전계효과 트랜지스터의 기판단자가 부의 전압으로 연결되는 반면 그 소오스단자가 제2의 캐패시터표면에 연결되고, 또 그 드레인단자가 캐패시터에 대한바이어스전압발생기연결되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 부하소자는 제1전계효과 트랜지스터와 다른 채널형태의 제2의 전계효과 트랜지스터구성되고, 그 게이트단자는 제1전계효과 트랜지스터의 게이트단자로 연결되며, 그 기판단자가양의전압연결되어있는것을특징으로 하는cmos 집적회로. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기 부하소자는캐패시터로되는것을특징으로 하는cmos 집적회로 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 캐패시터는 제1의 전계효과 트랜지스터의 채널형태와 반대인 제2의 전계효과 트랜지스터로 형성되고, 그 소오스단자는 접지로 연결되고, 또 그 드레인 및 기판 단자가 양의전압(공급전압연결되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 캐패시터는 전계효과 트랜지스터의 게이트용량에 의해형성되어지는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 11] 제1항 또는 제2항에 있어서,기판바이어스 전압발생기의 출력단은 전자스위치를 통해 접지전위로 유지되는 회로점으로 연결되며 그 전자 스위치는 기판바이어스 전압단자로부터 분류된 전악을 통해구동되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 12] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판바이어스 전압 발생기, 캐피시터에 대한 바이어스 전압발생기,전자적 방지회로 및 전자스위치는모두반도체기판위집적되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치. [청구항 13] 제1항 또는 2항에 있어서,상기 집적회로가 고밀도의 다이나믹 반도체 메모리에 대한주변회로사용되는것을특징으로 하는cmos 집적회로장치.