레이저 가공용 도전성 페이스트, 도전성 시트, 신호배선의 제조방법 및 전자 기기

[청구항2] 제1항에 있어서,상기 도전성 미립자의 d10 평균 입자 직경이 0.3~1μm, d90 평균 입자 직경이 상기 d10 평균 입자 직경5배인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항3] 제1항에 있어서,상기 바인더 수지는 수평균 분자량이 10,000~50,000이고, 유리 전이온도인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 바인더 수지는 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리우레탄 우레아 및 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항5] 제4항에 있어서,상기 에폭시 수지는 비스페놀 a형 에폭시 수지 및 비스페놀 f형 에폭시 수지 중적어도 하나인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분산제는알루미늄 킬레이트인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항7] 제6항에 있어서,상기 알루미늄 킬레이트의 배위자는 아세틸 아세토네이트기, 메틸 아세트 아세토네이트기 및 에틸 아세트 아세토네이트기로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항8] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분산제는 인산계분산제인레이저자 가공용 도전성 페이스트. [청구항9] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,레이저 광 증감제를더 포함하는레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항11] 제10항에 있어서,상기 도전성 피막의 표면거칠기 ra가 0.3μm이하인도전성 시트. [청구항14] 제2항에 있어서,상기 바인더 수지는 수평균 분자량이 10,000~50,000이고, 유리 전이온도인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항15] 제14항에 있어서,상기 바인더 수지는 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리우레탄 우레아 및 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항16] 제15항에 있어서,상기 에폭시 수지는 비스페놀 a형 에폭시 수지 및 비스페놀 f형 에폭시 수지 중적어도 하나인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항17] 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분산제는알루미늄 킬레이트인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항18] 제17항에 있어서,상기 알루미늄 킬레이트의 배위자는 아세틸 아세토네이트기, 메틸 아세트 아세토네이트기 및 에틸 아세트 아세토네이트기로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상인레이저 가공용 도전성 페이스트. [청구항19] 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 분산제는 인산계분산제인레이저자 가공용 도전성 페이스트. [청구항20] 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,레이저 광 증감제를더 포함하는레이저 가공용 도전성 페이스트.