문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제3 절연층 패턴은 각 배선의 상면 및 측벽에 연속적으로 형성되고, 상기 콘택 패턴은 각배선상면의제3절연층패턴위형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제3 절연층 패턴은 상기 콘택 스페이서에 정렬되어형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 콘택 패턴은 상기 배선의 폭보다 큰폭형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는 상기 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘으로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 캐패시터 콘택 영역은 랜딩 패드전극인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 제3 절연층 패턴은 각 비트라인의 상면 및 측벽에 연속적으로 형성되고, 상기 콘택 패턴은 각비트라인상면의제3절연층패턴위형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,비트라인의 측벽에 형성된 상기 제3 절연층 패턴은 상기 콘택 스페이서에 정렬되어형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제7항에 있어서,상기 콘택 패턴은 상기 비트라인의 폭보다 큰폭형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 12]
제7항에 있어서,상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는 상기 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 14]
제7항에 있어서,상기 캐패시터 콘택 영역과 접속되도록 상기 스토리지 노드 콘택홀의 내부에 형성되고, 제2 도전층으로 이루어진스토리지노드 콘택 플러그더구비하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 스토리지 노드 콘택 플러그는 상기 콘택 패턴의 표면과 평탄화되도록형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 제3 절연층 패턴은 각 비트라인의 상면 및 측벽에 연속적으로 형성되고, 상기 스토리지 노드 콘택 플러그는 상기 제3 절연층 패턴의 표면과 평탄화되도록형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 콘택 패턴 및 콘택 스페이서가 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖도록 구성될 때, 해당 콘택 패턴과 콘택 스페이서를 구성할 수 있는 물질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는 콘택 패턴 및 콘택 스페이서의 구성 물질을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5와 12에서 콘택 패턴 및 콘택 스페이서가 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다는 점을 확인한다.
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는 상기 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘으로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection해당 물질의 구체적인 종류가 명시된 청구항 6과 13을 선택한다.
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘으로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
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4논리 통합
logical_integration식각 선택비를 갖는 물질의 구체적인 예시로 실리콘 질화물 또는 폴리실리콘이 언급되어 있음을 통합한다.
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 실리콘 질화물과 폴리실리콘을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 실리콘 질화물, 폴리실리콘을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는 상기 제3 절연층 패턴에 대해 식각 선택비를 갖는물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘으로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
- 상기 콘택 패턴 및 상기 콘택 스페이서는실리콘 질화물또는폴리실리콘중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치
최종 답변 (final_answer)
실리콘 질화물, 폴리실리콘
핵심 해석 (core_interpretation)
제3 절연층 패턴과의 식각 선택비를 확보하기 위해 콘택 패턴 및 콘택 스페이서의 재료로 실리콘 질화물 또는 폴리실리콘을 사용한다.