전계발광소자의 제조방법 및 전계발광소자

[청구항 12] 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막트랜지스터부의 소스/드레인전극 상에 콘택홀을 갖고 형성된 평탄화막 상기 평탄화막 상에 일부 형성되며 상기 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터부의 소스/드레인전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 콘택전극 상기 평탄화막 상에 형성되며 상기 콘택전극과 이격되어 화소 내에 분리 형성된 제1 및 제2전극 상기 평탄화막 상에 형성되며 상기 화소 내에 상기 제1 및 제2전극의 일부가 노출되도록 형성된 절연막 상기 절연막의 상부에 형성되어 상기 콘택전극과 상기 제2전극의 일부를 가리고 상기 화소의 주위를 둘러싸도록 역테이퍼 형상으로 형성된 격벽 상기 제1전극 상에 형성된 하부 발광층 상기 하부 발광층 상에 형성되어 상기 격벽에 의해 화소별로 분리 형성되며 상기 콘택전극에 전기적으로 연결되도록 형성된 제3전극 상기 제3전극 상에 형성된 상부 발광층; 및 상기 상부 발광층 상에 형성되어 상기 격벽에 의해 화소별로 분리 형성되며 상기 제2전극에 전기적으로 연결되도록 형성된 제4전극을 포함하는 전계발광소자 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제1전극은 상기 콘택전극과 이격되어 상기 화소 내의 전면에 형성되어 있고, 상기 제2전극은 상기 콘택전극이 형성된 영역 일측에 형성되어 상기 화소의 경계선 양쪽에 걸쳐형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 절연막은 상기 화소를 구획화하며 상기 화소의 경계선을 구분하여 상기 화소 간의 전기적 간섭을 없애도록 경사진마름모형태형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 기판 전면에는 상기 박막트랜지스터부, 상기 하부 및 상부 발광층과 상기 격벽을 모두 둘러싸며 상기 평탄화막 보다 더 넓게 형성된 보호막을 추가더 포함하는전계발광소자. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기제1, 제2 및 제4전극은 애노드전극으로써, 일함수가 큰 금속이나 일함수가 크면서 투명한도전층형성된것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 17] 제12항에 있어서,상기 제3전극은 공통 캐소드전극으로써, 불투명한 금속성 재질로 형성되어 빛을 반사할 수 있는반사막기능하는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 전계발광소자는 상기 기판의 어느 한쪽에 형성된 구동부와 상기 박막트랜지스터부가 연결되어 있으며, 상기 구동부와 상기 제3전극이 연결되어 있고, 상기 제1전극 또는 상기 제2전극 중 어느 하나에 선택적으로 연결되어 상기 제1전극 또는 상기 제2전극 중 어느 하나와 상기 제3전극에 전압이 인가되어 상부 또는 하부 쪽으로선택발광하는것을특징으로 하는전계발광소자. [청구항 19] 제12항에 있어서,상기 하부 및 상부 발광층nan은유기물형성된것을특징으로 하는전계발광소자.