문맥 (context)
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 제 2 소스영역의 두께는 상기 제 1 소스영역 두께보다 작은 것특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 제 2 소스영역nan은상기제2영역의상기보디영역전면피복하는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 4]
청구항 1에 있어서,상기 제 2 영역의 상기 보디영역에서 상기 제 2 소스영역 근방부분의 불순물농도는, 상기 제 2 영역의 상기 보디영역에서 그 밖의 부분의 불순물농도보다 높은 것특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 5]
청구항 1에 있어서,상기 트렌치는 상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역에도 형성되며,상기 게이트전극은, 상기 트렌치 상부에 오목부가 남도록 형성되고,상기 제 2 영역의 상기 보디영역은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 트렌치는 상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역에도 형성되며,상기 게이트전극은, 상기 트렌치 상부에 오목부가 남도록 형성되고,상기 제 1 소스영역 및 상기 제 2 소스영역의 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되며, 또 이 각 노출부분 및 상기 각 소스영역의 상면에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 7]
청구항 5에 있어서,상기 제 2 영역의 상기 보디영역은, 그 상부에 상대적으로 불순물농도가 높은 고농도영역을 가지며,상기 고농도영역은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 8]
청구항 5에 있어서,상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 각 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 9]
청구항 5에 있어서,상기 오목부에는, 상기 게이트전극과의 사이에 절연층을 개재하고 다른 전극이 형성되며,상기 다른 전극은, 상기 오목부 벽면에서상기제2소스영역및상기제2영역의상기보디영역과접하는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 11]
청구항 10에 있어서,상기 제 2 영역의 상기 보디영역 위쪽에, 상기 제 1 소스영역과 전기적으로 접속하는 제 2 소스영역이 형성되며,상기 오목부에는, 상기 게이트전극과의 사이에 절연층을 개재하고 다른 전극이 형성되며,상기 다른 전극은, 상기 오목부 벽면에서상기제2소스영역및상기제2영역의상기보디영역과접하는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 12]
청구항 11에 있어서,전극은,상기제1소스영역및상기제2소스영역각각상면과접하는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 13]
청구항 10에 있어서,상기 제 2 영역의 상기 보디영역 위쪽에, 상기 제 1 소스영역과 전기적으로 접속하며, 또 상기 제 1 영역의 소스영역보다 얇은제2소스영역형성되는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 14]
청구항 10에 있어서,상기 제 2 영역의 상기 보디영역은, 그 상부에 상대적으로 불순물농도가 높은 고농도영역을 가지며,상기 고농도영역은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기 오목부에는, 상기 게이트전극과의 사이에 절연층을 개재하고 다른 전극이 형성되며,상기 다른 전극은, 상기 오목부 벽면에서상기고농영역과접하는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 26]
청구항 1 또는 청구항 10에 있어서,상기 트렌치 폭은 0.25㎛ 이하이며,상기트렌치의아스펙트비5이상인것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 27]
청구항 26에 있어서,상기 트렌치 수는1500이상인것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 30]
청구항 28 또는 청구항 29에 있어서,상기 제 3 반도체층에는, 상기 트렌치가 연재되는 방향을 따라 상기 제 4 반도체층이주기적형성되는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 31]
청구항 28 또는 청구항 29에 있어서,상기 트렌치는 복수 개 형성되며,상기 각 트렌치 폭은 0.25㎛ 이하이고,상기 각트렌치간피치이하인것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
[청구항 32]
청구항 31에 있어서,트렌치의 아스펙트비는5이상인것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
종형게이트 반도체장치에서 게이트전극이 트렌치 상부에 오목부가 남도록 형성될 때, 제 2 영역의 보디영역과 제 2 소스영역이 각각 오목부 벽면에 노출되어 전기적 접촉이 이루어지는 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게이트전극의 오목부 형성 시 제 2 영역의 보디영역과 제 2 소스영역이 오목부 벽면에 노출되어 전기적 접촉이 이루어지는 구성을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 제 2 소스영역 및 제 2 영역의 상기 보디영역 각각이 오목부 벽면에 노출되어 전기적 접촉이 취해지는 구성을 확인하였다.
- 상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 각 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '제 2 영역의 보디영역'과 '제 2 소스영역'이 모두 오목부 벽면에 노출되어 접촉한다는 내용을 담은 청구항 8의 구절을 선택한다.
- 상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 각 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 8은 게이트전극의 오목부 벽면을 통해 제 2 소스영역과 제 2 영역의 보디영역이 각각 노출되어 전기적 접촉이 일어나는 구체적인 구성을 명시하고 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 청구항 8에 명시된 구성을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 문구를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
근거 (evidence)
- 상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 각 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는것을특징으로 하는종형게이트 반도체장치
최종 답변 (final_answer)
상기 제 2 소스영역 및 상기 제 2 영역의 상기 보디영역 각각은 상기 오목부 벽면에 노출되고, 또 이 각 노출부분에서 전기적 접촉이 취해지는 구성이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
게이트전극의 오목부 벽면을 활용하여 제 2 소스영역과 제 2 영역의 보디영역을 노출시킴으로써, 해당 영역들과의 전기적 접촉을 구현하는 기술적 구성에 관한 것이다.