스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스

[청구항 1] 진공 용기를 구성하는 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 모체; 및 상기 모체의 상부 측면과 하부 측면 중 적어도 어느 일 측면에서 상기 모체의 길이 방향을 따라 다른 높이를 가지는 편향 전극 을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 편향 전극은 상기 모체의 측면을 따라 전자 방출부에 대응하는 제1 영역과, 전자 방출부에 대응하지 않는 제2 영역으로 이루어지며,상기 제2 영역의 높이가 상기 제1 영역의 높이형성되는전자 방출 표시 디바이스용 스페이서. [청구항 3] 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판 상기 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 소자 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛; 및 상기 제1 기판과 제2 기판에 가해지는 압축력을 지지하는 스페이서를 포함하며, 상기 스페이서는, 모체; 및 상기 모체의 상부 측면 및 하부 측면 중 적어도 어느 일 측면에서 상기 모체의 길이 방향을 따라 다른 높이를 가지는 편향 전극 을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스 [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 편향 전극은 상기 모체의 측면을 따라 상기 전자 방출부에 대응하는 제1 영역과, 상기 전자 방출부에 대응하지 않는 제2 영역으로 이루어지며,상기 제1 영역의 높이을 h1, 상기 제2 영역의 높이를 h2라 할 때, 다음의 조건만족하는전자 방출 표시 디바이스.h2 ＞ h1 [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1 영역과 제2 영역의 높이가일정하게형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 제1 영역의 높이는 일정하게 형성되고, 상기 제2 영역의 높이는 상기 모체의 길이방향따라가변되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제2 영역이 상기 모체의 상부형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기 제1 영역과 제2 영역의 높이가가변되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1 영역은 상기 모체의 하부를 향하여 볼록하게 형성되고,상기 제2 영역은 상기 모체의 상부형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 10] 제4항에 있어서,상기 편향 전극은 크롬(cr), 몰리브덴(mo) 또는 이들합금으로 이루어지는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 11] 제3항에 있어서,상기 모체가 벽체형형성되는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 12] 제4항에 있어서,상기 전자 방출 소자는 전자 방출부 및 이 전자 방출부를 제어하는 구동 전극으로 이루어지며,상기 구동 전극은 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치하면서 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극게이트 전극으로 이루어지는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 캐소드 전극과 게이트 전극 상부에 집속 전극을 더욱 포함하며,상기 집속 전극은 상기 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차영역마다 전자빔 통과를 위한 개구부구비하는전자 방출 표시 디바이스. [청구항 14] 제3항에 있어서,상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(c60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 표시 디바이스.