고체 촬상소자

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제2반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 상기 제3반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이보다 깊은 것특징으로 하는고체 촬상소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제2반도체층에 접하는 상기 제1반도체층의 불순물 농도는, 상기 제3반도체층에 접하는 상기 제1반도체층의 불순물 농도보다 적은 것특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제2반도체층하면dp 대항하는 상기 제1반도체층의 아래에 접하여,제1도전형의제4반도체층가진것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,수단은, 상기 전하를 전송하는 상기 제2반도체층의 각 열(列) 마다에 형성된 상기 제3반도체층을 채널부로하는 복수개의 제1의 ccd 레지스터(3)와, 상기 제1 ccd 레지스터의 일단부에 착설되고, 상기 제1 ccd 레지스터를 전송되어온 상기 전하를 병렬적으로 받아내는 제2 ccd 레지스터(11)와, 상기 제2 ccd 레지스터의 일단부에 착설된출력증폭기로이루어진것을특징으로 하는고체촬성소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,수단은, 상기 제2반도체층의 각각에 대응해서 형성된 복수개의 상기 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 각각에 접속된신호선이루어진것을특징으로 하는고체촬성소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그일부분있는것을특징으로 하는고체촬성소자. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그 제1반도체층 하면의주변부의적어도일부분있는것을특징으로 하는고체촬성소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제2반도체층 하면에 대항하는 상기 제1반도체층 하면의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가, 그 제1반도체층 하면의 주변부 전체에 걸쳐서있는것을특징으로 하는고체촬성소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제2반도체층과 상기 제3반도체층으로 이루어진 화소간을 분리하는 수단으로 피일드·플레이트·게이트사용한것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 피일드·플레이트·게이트를 상기 반도체기판내에 인서어트하여, 상기 제2반도체층을 소오스, 상기 피일드·플레이트·게이트를 게이트, 상기 반도체기판을 드레인으로 하는 mos전계효과트랜지스터구성하는것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제2반도체층의 상기 반도체기판 표면으로부터의 깊이가,상기제3반도체층사이있는것을특징으로 하는고체촬상소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 제2반도체층은 상기 제1반도체층내의 상기 표면상에 2차원형상으로 복수개 형성되어있고, 서로,상기제1반도체층분리되어있는것을특징으로 하는고체촬상소자.