도전성 조성물, 축전 디바이스용 하지층 부착 집전체, 축전 디바이스용 전극 및 축전 디바이스

[청구항2] 제1항에 있어서,도전성 조성물의 고형분 합계 100 질량% 중 도전성 탄소재료(a)의 함유량이 10~70 질량%이고, 수용성 수지(b)의 함유량이 1~50 질량%이며, 수분산 수지 미립자(c)의 함유량이 10~70질량인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항3] 제1항 또는 제2항에 있어서,수분산 수지 미립자(c)에 포함되는 수지 미립자 중 올레핀계 수지 미립자의 비율이 50~100 질량인도전성 조성물. [청구항4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,수분산 수지 미립자(c)에 포함되는 올레핀계 수지 미립자가 적어도 카르복실산 또는 카르복실산에스테르로 변성된 폴리올레핀 수지 입자이며, 폴리올레핀 수지 입자의 적외 흡수 스펙트럼에 있어서, 2,800~3,000 ㎝-1의 최대 피크 높이(극대 흡광도)(x)와, 1,690~1,740 ㎝-1의 최대 피크 높이(극대 흡광도)(y)의비인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항5] 제4항에 있어서,수분산 수지 미립자(c)에 포함되는 올레핀계 수지 미립자가 적어도 카르복실산 또는 카르복실산에스테르로 변성된 폴리에틸렌으로 이루어지며,상기인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항6] 제4항에 있어서,수분산 수지 미립자(c)에 포함되는 올레핀계 수지 미립자가 적어도 카르복실산 또는 카르복실산에스테르로 변성된 폴리프로필렌으로 이루어지며,상기인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,도전성 조성물이 도공(塗工)된도막의광택값인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항8] 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,도전성 탄소재료(a)가 1차 입자가 응집하여 2차 입자가 형성된 카본블랙이고, 1차 입자경이 1~100 ㎚이며,체적평균입자경인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항9] 제8항에 있어서,상기 카본블랙의 체적 평균 입자경이 수분산 수지 입자(c)에 포함되는 올레핀계 수지 미립자의 체적 평균 입자경보다도 큰 것특징으로 하는도전성 조성물. [청구항10] 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,추가로 수용성 다가 금속화합물(e)을 포함하며, 수분산 수지 미립자(c) 중 올레핀계 수지 미립자의 고형분 질량(c')과 다가 금속화합물(e) 중 금속이온의 질량(e')의 질량비 (e')/(c')가 0.001~0.1질량인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,수분산 수지 미립자(c) 중의 올레핀계 수지 미립자와 다가 금속화합물(e)로 이루어지는 수분산응집미립자포함하는것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항12] 제11항에 있어서,수분산 수지 미립자(c) 중 올레핀계 수지 미립자의 체적 평균 입자경(cv1)이 0.05~1 ㎛이며, 상기 (cv1)과 상기 수분산 응집 미립자의 체적 평균 입자경(cv2)의비인것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,축전 디바이스용 전극의 하지층 형성용인 것을특징으로 하는도전성 조성물. [청구항17] 제16항에 있어서,상기 축전 디바이스가 비수전해질 이차전지, 전기이중층 커패시터 또는 리튬 이온 커패시터 중하나인축전 디바이스.