문맥 (context)
[청구항2]
제1항에 있어서,상기 이방 도전성 필름을 유리 기판과 드라이버ic(integrated circuit) 칩 사이에 위치시키고, 130 내지 170℃, 4 내지 7 초간 및 50 내지 90 mpa 압력 조건 하의 본압착 후, 다이 전단 측정기를 이용하여 상기 칩 부위측정된접착력이 20 mpa 이상인, 이방 도전성 필름.
제1항에 있어서,상기 이방 도전성 필름을 유리 기판과 드라이버ic(integrated circuit) 칩 사이에 위치시키고, 130 내지 170℃, 4 내지 7 초간 및 50 내지 90 mpa 압력 조건 하의 본압착 후, 다이 전단 측정기를 이용하여 상기 칩 부위측정된접착력이 20 mpa 이상인, 이방 도전성 필름.
[청구항3]
제1항에 있어서,상기 판상 또는 침상형 무기 입자가 탈크, 운모, 석영, 장석, 벤토나이트, 카오린크레이, 옥, 규석, 방해석, 인산 지르코늄, 버미큘라이트, 몬모릴로나이트, 철몬모릴로나이트, 바이델라이트, 사포나이트, 헥토라이트, 스티븐사이트 및 논트로나이트로 이루어진 군선택되는 것인,이방 도전성 필름.
제1항에 있어서,상기 판상 또는 침상형 무기 입자가 탈크, 운모, 석영, 장석, 벤토나이트, 카오린크레이, 옥, 규석, 방해석, 인산 지르코늄, 버미큘라이트, 몬모릴로나이트, 철몬모릴로나이트, 바이델라이트, 사포나이트, 헥토라이트, 스티븐사이트 및 논트로나이트로 이루어진 군선택되는 것인,이방 도전성 필름.
[청구항4]
제1항에 있어서,상기 무기 입자가 이방 도전성 필름의 고형분 총 중량을 기준으로 5 내지 30중량포함되는,이방 도전성 필름.
[청구항5]
제1항에 있어서,상기 무기 입자의 장축의 길이가 0.5 내지인,이방 도전성 필름.
제1항에 있어서,상기 무기 입자의 장축의 길이가 0.5 내지인,이방 도전성 필름.
[청구항6]
제1항에 있어서,상기 비스페놀f형 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 구조갖는,이방 도전성 필름.[화학식 1]상기 화학식 1에서, r은 각각 독립적으로 수소 또는 c1 내지 c4의 알킬이다.
제1항에 있어서,상기 비스페놀f형 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 구조갖는,이방 도전성 필름.[화학식 1]상기 화학식 1에서, r은 각각 독립적으로 수소 또는 c1 내지 c4의 알킬이다.
[청구항7]
제1항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 비스페놀 f형 에폭시 수지 외의 다른 에폭시 수지를 추가포함하는,이방 도전성 필름.
제1항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 상기 비스페놀 f형 에폭시 수지 외의 다른 에폭시 수지를 추가포함하는,이방 도전성 필름.
[청구항8]
제1항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 바인더 수지 및 경화제 중 1종 이상을 추가포함하는,이방 도전성 필름.
[청구항9]
제8항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 이방 도전성 필름 고형분 총 중량을 기준으로,무기 입자 5 내지 30 중량%;비스페놀 f형 에폭시 수지 10 내지 40 중량%;도전 입자 10 내지 40 중량%;바인더 수지 10 내지 50 중량%; 및경화제 1 내지 10 중량포함하는,이방 도전성 필름.
[청구항10]
제8항에 있어서,상기 경화제가 하기 화학식 2의 구조갖는,이방 도전성 필름.[화학식 2]상기 화학식 2에서, r1 내지 r5는 각각, 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아세틸기, 알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 벤질옥시카르보닐기이고, r6 및 r7은 각각, 독립적으로 알킬기, 벤질기, o-메틸벤질기, m-메틸벤질기, p-메틸벤질기 또는 나프틸메틸기이다.
제1항에 있어서,상기 경화제가 하기 화학식 2의 구조갖는,이방 도전성 필름.[화학식 2]상기 화학식 2에서, r1 내지 r5는 각각, 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아세틸기, 알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 벤질옥시카르보닐기이고, r6 및 r7은 각각, 독립적으로 알킬기, 벤질기, o-메틸벤질기, m-메틸벤질기, p-메틸벤질기 또는 나프틸메틸기이다.
[청구항11]
제10항에 있어서,상기 화학식2는, r1이 아세틸기이고, r2 내지 r5는 수소이고, r6는 o-메틸벤질기메틸기인,이방 도전성 필름.
제10항에 있어서,상기 화학식2는, r1이 아세틸기이고, r2 내지 r5는 수소이고, r6는 o-메틸벤질기메틸기인,이방 도전성 필름.
[청구항12]
제10항에 있어서,상기 화학식2는, r1, r2, r4 및 r5는 수소이고, r3 및 r6은 메틸기이며, r7는 나프틸메틸기인,이방 도전성 필름.
제10항에 있어서,상기 화학식2는, r1, r2, r4 및 r5는 수소이고, r3 및 r6은 메틸기이며, r7는 나프틸메틸기인,이방 도전성 필름.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이방 도전성 필름의 고형분 총 중량을 기준으로 할 때, 무기 입자, 비스페놀 f형 에폭시 수지, 도전 입자, 바인더 수지 및 경화제가 각각 포함하는 중량 범위는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 9에서 명시된 이방 도전성 필름의 구성 성분별 중량 범위를 추출하는 과업을 수행한다.
- 제8항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 이방 도전성 필름 고형분 총 중량을 기준으로
-
2정보 추출
information_extraction청구항 9에 나열된 각 성분과 그에 대응하는 중량 수치를 추출한다.
- 무기 입자 5 내지 30 중량%
- 비스페놀 f형 에폭시 수지 10 내지 40 중량%
- 도전 입자 10 내지 40 중량%
- 바인더 수지 10 내지 50 중량%
- 경화제 1 내지 10 중량
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 5가지 성분의 중량 범위 데이터를 모두 선택한다.
- 무기 입자 5 내지 30 중량%
- 비스페놀 f형 에폭시 수지 10 내지 40 중량%
- 도전 입자 10 내지 40 중량%
- 바인더 수지 10 내지 50 중량%
- 경화제 1 내지 10 중량
-
4논리 통합
logical_integration추출된 각 성분의 중량 범위를 고형분 총 중량 기준이라는 조건과 결합한다.
- 이방 도전성 필름 고형분 총 중량을 기준으로
-
5결론 도출
conclusion_formulation각 성분별 중량 범위를 정리하여 답변을 구성한다.
- 무기 입자 5 내지 30 중량%
- 비스페놀 f형 에폭시 수지 10 내지 40 중량%
- 도전 입자 10 내지 40 중량%
- 바인더 수지 10 내지 50 중량%
- 경화제 1 내지 10 중량
-
6답변 생성
answer_generation최종적으로 리스트 형식의 답변을 생성한다.
근거 (evidence)
- 제8항에 있어서,상기 이방 도전성 필름은 이방 도전성 필름 고형분 총 중량을 기준으로
- 무기 입자 5 내지 30 중량%
- 비스페놀 f형 에폭시 수지 10 내지 40 중량%
- 도전 입자 10 내지 40 중량%
- 바인더 수지 10 내지 50 중량%
- 경화제 1 내지 10 중량
- 이방 도전성 필름 고형분 총 중량을 기준으로
최종 답변 (final_answer)
이방 도전성 필름의 고형분 총 중량을 기준으로 한 각 성분의 중량 범위는 다음과 같다.
- 무기 입자: 5 내지 30 중량%
- 비스페놀 f형 에폭시 수지: 10 내지 40 중량%
- 도전 입자: 10 내지 40 중량%
- 바인더 수지: 10 내지 50 중량%
- 경화제: 1 내지 10 중량%
핵심 해석 (core_interpretation)
청구항 9에 명시된 이방 도전성 필름의 성분별 중량 함량 범위를 정확히 파악하는 것이다.