프랙탈 다이폴 안테나

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 안테나와 동일한 구조를 구비하지만 상기 적어도 한 쌍의 전기 분기선을 구비하지 않는 다른 안테나를 위해 제공된 주파수 대역에 대해 리턴 로스의 감소하도록 구성되고동작되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 급전 단자(22)에 배치됨과 동시에 평형 급전을 제공하기 위해 상기 한 쌍의 대향 배치된 방사 아암(21a, 21b)을 동축 케이블(82)에 연결하도록 구성된밸룬더포함하는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,복수의 주파수 대역이 상기 안테나와 동일한 구조를 구비하지만 상기 밸룬은 구비하지 않는 다른 안테나에서 관측되는 주파수 대역 내에서 하나의 광폭 주파수 대역을 제공하도록 구성되고동작되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 5] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,적어도 2점은 상기 중심 축선을 중심으로 한 각방사아암의프랙탈부분의대향가장자리상선택되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 6] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,비전도성 재료로 제조된 기판을 더 포함하고, 상기 2 개의 방사 아암(21a, 21b)은 상기 기판의 표면 상에 적층되는전도성재료의층형성되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 2 개의 방사 아암nan은상기기판의일측면상배치되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 2 개의 방사아암 중 1 개의 방사 아암은 상기 기판의 일측면 상에 배치되고, 2 개의 방사 아암 중 다른 1개의 방사 아암은 상기 기판의 타측면상배치되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 9] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 프랙탈 형상은 시어핀스키가스켓인것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 급전 단자는 각삼각형시어핀스키가스켓부분의꼭지점연결되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,적어도 2개의 점은 각삼각형시어핀스키가스켓부분의밑변의꼭지점선택되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 프랙탈 형상의 자기상사성의 반복률은 2보다 큰 것특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 13] 제 3 항에 있어서,상기 방사 아암의 임피던스는동축 케이블의임피던스정합되는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 14] 제 3 항에 있어서,룬(81)은 비전도성 기판의 제1측면 및 제2측면 상에 전도성 재료의 제1층(82a) 및 전도성 재료의 제2층(82b)을 각각 포함하고; 상기 제1층 및 제2층은 각각 협폭의 스트립(83a, 83b) 및 광폭의 스트립(84a, 84b)을 포함하고, 상기 협폭의 스트립 및 광폭의 스트립은 상기 방사 아암에 대해 근접 단부(831a, 831b, 841a, 841b) 및 원격 단부(832a, 832b, 842a, 842b)를 구비하고, 각 협폭의 스트립은 그 근접 단부의 위치에서 대응하는 방사 아암의 급전점(22a, 22b)에 연결되고, 그 원격 단부의 위치에서 브릿지 스트립(85a, 85b)을 통해 동일 전도성 층의 대응하는 광폭의 스트립에 연결되고; 상기 제1층(82a)의 협폭의 스트립(83a)은 상기 제2층(82b)의 광폭의 스트립(84b)의 하측에 위치하고, 상기 제2층(82b)의 협폭의 스트립(83b)은 상기 제1층(82a)의 광폭의 스트립(84a)의상측위치하는것을특징으로 하는다이폴 안테나. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 급전 단자에 배치됨과 동시에 평형 급전을 제공하기 위해 상기 한 쌍의 대향 배치된 방사 아암을 동축 케이블(82)에 연결하도록 구성된밸룬더포함하는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 17] 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,통신 장치, 방해 전파 기지, 레이더, 및 원격 측정 기지를 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 장치. [청구항 18] 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 다이폴 안테나는 20 mhz 내지 40 ghz의 주파수 범위 내에서 동작하도록구성되는것을특징으로 하는전자 장치.