구리 인듐 디셀레나이드-기재 광전지 장치 및 그의 제조 방법

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기cis-기재 태양열 흡수재층(506)은, 갈륨, 알루미늄, 붕소, 텔루륨, 황, 이들의 조합물들의 군으로부터 선택된 금속더 포함하는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은,(a) 실리콘-결합 알케닐기 또는 실리콘-결합 수소를 갖는 실리콘 수지와,(b) 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합 수소 원자 또는 실리콘-결합 알케닐기를 갖고, 상기 실리콘 수지를 경화시키는데 충분한 양으로 존재하는 유기규소 화합물과,(c) 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를포함하는 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물로 추가정의되는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 실리콘 수지는 다음 식을 갖고,(r1r22sio1/2)w(r22sio2/2)x(r2sio3/2)y(sio4/2)z여기서, r1은 c1 내지 c10 하이드로카르빌기 또는 c1 내지 c10 할로겐-치환 하이드로카르빌기로서, 모두 지방족 불포화기가 없고, r2는 r1, 알케닐기, 또는 수소이고, w는 0 내지 0.9이고, x는 0 내지 0.9이고, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.85이고, w+x+y+z=l, y+z/(w+x+y+z)는 0.1 내지 0.99이고, w+x/(w+x+y+z)는 0.01 내지 0.9이고, 단, 상기 실리콘 수지는 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합 알케닐기들갖는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 실리콘 수지는,(a) 식 (r1r22sio1/2)w(r22sio2/2)x(r2sio3/2)y(sio4/2)z을 갖는 상기 실리콘 수지와,(d)(iii) 식 r5r12sio(r1r5sio)csir12r5와 r1r22sio(r22sio)dsir22r1을 갖는 고무로부터 선택된 적어도 하나의 실리콘 고무의반응 생성물을 포함하는 고무-개질된 실리콘 수지로서 추가정의되고,여기서, c와 d는 하이드로실릴화 촉매(c) 존재 하에, 선택적으로는, 유기 용매의 존재 하에, 각각 4 내지 1000의 값을 갖고, 단, 실리콘 수지가 (a) 실리콘-결합 알케닐기일 때, (d)(iii)은 실리콘-결합 수소 원자를 갖고, 상기 실리콘 수지가 (a) 실리콘-결합 수소 원자이면, (d)(iii)은 실리콘-결합 알케닐기인, 구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은,(a2) 적어도 2개의 실리콘-결합 히드록시기 또는 가수분해성기를 갖는 실리콘 수지와,선택적으로, (b1) 실리콘-결합 가수분해성기를 갖는 가교제와, 선택적으로, (c1) 촉매량의 축합 촉매를포함하는 축합-경화성 실리콘 조성물로 추가정의되는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 실리콘 수지는 다음 식을 갖고,(r1r62sio1/2)w'(r62sio2/2)x'(r6sio3/2)y'(sio4/2)z'여기서, r1은 c1 내지 c10 하이드로카르빌기 또는 c1 내지 c10 할로겐-치환 하이드로카르빌기로서, 모두 지방족 불포화기가 없고, r6은 r1, -h, -oh, 또는 가수분해성기이고, w'는 0 내지 0.8이고, x'은 0 내지 0.95이고, y'는 0 내지 1이고, z'는 0 내지 0.99이고, w'+x'+y'+z'=l이고, 단 상기 실리콘 수지(a2)는 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합 수소 원자, 히드록시기, 또는 가수분해성기갖는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 실리콘 수지는 다음 식을 갖고,(r1r62si01/2)w'(r62sio2/2)x'(r6si03/2)y'(sio4/2)z'여기서, r1은 c1 내지 c10 하이드로카르빌기 또는 c1 내지 c10 할로겐-치환 하이드로카르빌기로서, 모두 지방족 불포화기가 없고, r6은 r1, -h, -oh, 또는 가수분해성기이고, w'는 0 내지 0.8이고, x'는 0 내지 0.95이고, y'는 0 내지 1이고, z'는 0 내지 0.99이고, w'+x'+y'+z'=1이고, 단, 실리콘 수지(a2)는 r1sio3/2 유닛과 sio4/2 유닛의 합이 0보다 크다는 조건으로 분자당 평균 적어도 2개의 실리콘-결합 수소 원자, 히드록시기, 또는 가수분해성기갖는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은,(a3) (i) 식 (rlr62sio1/2)w'(r62sio2/2)x'(r6sio3/2)y'(sio4/2)z'를 갖는 실리콘 수지와, (ii) (i)의 가수분해성 전구체와, (iii) 식 r83sio(r1r8sio)msir83을 갖는 실리콘 고무로부터 선택된 유기규소 화합물을물의 존재 하에,(iv) 축합 촉매 및 (v) 유기 용매와 반응시켜 제조된 고무-개질 실리콘 수지(여기서, r1은 c1 내지 c10 하이드로카르빌기 또는 c1 내지 c10 할로겐-치환 하이드로카르빌기로서, 모두 지방족 불포화기가 없고, r6은 r1, -h, -oh, 또는 가수분해성기이고, r8은 r1 또는 가수분해성기이고, m은 2 내지 1,000이고, w'는 0 내지 0.8이고, x'는 0 내지 0.95이고, y'는 0 내지 1이고, z'는 0 내지 0.99이고, w'+x'+y'+z'=l임)와,선택적으로, (b1) 실리콘-결합 가수분해성기를 갖는 가교제와,선택적으로, (c1) 촉매량의 축합 촉매를포함하는 축합-경화성 실리콘 조성물로 추가정의되는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 10] 제 6항에 있어서,상기 실리콘 조성물은, 미립자 형태의 무기 충전재더 포함하는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 무기 충전재는, 약 200nm 미만의 적어도 하나의 물리적 치수를 갖는 실리카 나노입자로 추가한정되는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은, 자유 라디칼-경화성 실리콘 조성물로 추가한정되는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 자유 라디칼-경화성 실리콘 조성물은 다음 식을 갖는 실리콘 수지를 포함하고,(r1r92sio1/2)w"(r92sio2/2)x"(r9sio3/2)y"(sio4/2)z",여기서, r1은 c1 내지 c10 하이드로카르빌 또는 c1 내지 c10 할로겐-치환 하이드로카르빌로서, 모두 지방족 불포화기가 없고, r9는 r1, 알케닐, 또는 알키닐이고, w"는 0 내지 0.99이고, x"는 0 내지 0.99이고, y"는 0 내지 0.99이고, z"는 0 내지인,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은, h2sio2/2 유닛을 포함하고, 1,500 내지 1,000,000 값 범위의 중량-평균 분자량을 가지며, 실온에서 액체인 시클릭 이수소폴리실록산들포함하는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 15] 제 1항에 있어서,상기 실리콘 조성물은 실록산 단위 식 [h2sio2/2]x"'[hsio3/2]y"'[sio4/2]z"'을 갖는 수소폴리실록산을 포함하고, 여기몰 분율 0.12 ≤ x"' < 1.0, 0 ≤ y"' ≤ 0.88, 0 ≤ z"' ≤ 0.30을 나타내고, y"' 및 z"'는 동시에 0이 아니며, x"' + y"' + z"' = 1인, 구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 16] 제 1항에 있어서,상기 기판(106)은, 섬유 강화더 포함하는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 기판(106)은, 나노 충전재더 포함하는,구리 인듐 디셀레나이드(cis)-기재 광전지 장치(104). [청구항 19] 제 18항에 있어서,상기cis-기재 광전지 장치(104)는, 상기 기판(106) 위에 모놀리식집적된,어레이(102).