유도결합형 플라즈마 처리장치

[청구항 1] 처리가스의 유,출입구와, 전계 형성의 경로가 되는 유전체벽을 구비하며, 플라즈마 처리 될 실질상 사각형 단면의 피처리체를 수용하는 반응챔버와 상기 반응챔버의 외부에 상기 유전체벽과 근접하도록 배치되며, 실질상 평면 사각의 형태로 적어도 1회 이상 감겨진 고주파 안테나와 상기 고주파 안테나와 실질상 평행한 평면상에 상기 피처리체를 상기 고주파 안테나에 대해 실질상 45 도의 위상차를 갖도록 탑재하는 하부전극; 및 상기 고주파 안테나와 하부전극에 고주파 전원을 인가하는 전력인가수단 을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 하부전극nan은상기피처리체와실질상위상배치된것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마 처리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 하부전극은 상기 피처리체에 대해실질상45도의위상차배치된것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응챔버는실질상사각형단면갖는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마 처리장치. [청구항 5] 처리가스의 유,출입구와, 전계 형성의 경로가 되는 유전체벽을 구비하며, 플라즈마 처리 될 사각형 단면의 피처리체를 수용하는 반응챔버와 상기 반응챔버의 외부에 상기 유전체벽과 근접하고 상기 반응챔버와 실질상 45 도의 위상차를 갖도록 배치되며, 평면 사각의 형태로 적어도 1회 이상 감겨진 고주파 안테나와 상기 피처리체를 상기 반응챔버와 실질상 위상이 같도록 탑재하는 하부전극; 및 상기 고주파 안테나와 하부전극에 고주파 전원을 인가하는 전력인가수단 을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 처리장치 [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 하부전극nan은상기반응챔버와실질상위상배치된것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제5항 또는 제6항에 있어서,상기 반응챔버는실질상사각형단면갖는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마 처리장치.