Ⅲ-Ⅴ족 질화물 기판 부울과, 그 제조 방법 및 그것의 사용

[청구항 2] 제1항에 있어서,5제곱센티미터 이상의 횡면적을갖는 것인부울. [청구항 3] 제2항에 있어서,이상의 길이를갖는 것인부울. [청구항 4] 제1항에 있어서,본래의 시드 결정으로부터성장된 것인부울. [청구항 6] 제1항에 있어서,직경이 1센티미터 이상이고, 실질적으로 크랙에 구속을 받지 않고 107 결함 cm-2 미만의 상단면 결함 밀도를 갖도록 길이가 1밀리미터 이상인 본래의 시드 결정성장되는 것인부울. [청구항 7] 제1항에 있어서,4밀리미터 이상의 길이를갖는 것인부울. [청구항 8] 제1항에 있어서,10밀리미터 이상의 길이를갖는 것인부울. [청구항 9] 제1항에 있어서,본래의 시드 결정으로부터 성장되며, 상기 부울은 시드 결정보다 더 큰 횡면적을 갖는 극단부구비하는 것인부울. [청구항 10] 제1항에 있어서,축, a-축, m-축, r-축으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 정향을 갖는 시드 결정상에 성장되며, 주 결정축으로부터 10도 미만으로 오프컷되는 것인부울. [청구항 11] 제1항에 있어서,페이스혹은 c-축 정향 시드 결정의 (al,ga,in)-페이스상성장되는 것인부울. [청구항 13] 제1항에 있어서,실리콘 및 게르마늄으로 이루어진 군에서 선택된 도펀트종도핑되는 것인부울. [청구항 14] 제13항에 있어서,실리콘 도펀트종은 시레인유도되는 것인부울. [청구항 15] 제13항에 있어서,게르마늄 도펀트종은 게르마늄유도되는 것인부울. [청구항 16] 제1항에 있어서,실온에서 약 1e15 내지 약 5e19cm-3의전자 농도산출하도록도핑되는 것인부울. [청구항 17] 제1항에 있어서,실온에서 약 5e17 내지 약 1e19cm-3의전자 농도산출하도록도핑되는 것인부울. [청구항 19] 제18항에 있어서,베릴륨, 마그네슘 및 아연으로 이루어진 군에서 선택된 도펀트종도핑되는 것인부울. [청구항 20] 제19항에 있어서,펀트종의 유기금속 소스를 사용하여도핑되는 것인부울. [청구항 21] 제18항에 있어서,실온에서 약 1e15 내지 약 1e19cm-3의 홀(hole)농도산출하도록도핑되는 것인부울. [청구항 22] 제18항에 있어서,실온에서 약 5e17 내지 약 1e19cm-3의 홀(hole)농도산출하도록도핑되는 것인부울. [청구항 23] 제1항에 있어서,바나듐, 크롬, 철, 비소, 마그네슘, 코발트, 니켈 및 구리로 이루어진 그룹으로부터 선택된 도펀트종도핑되는 것인부울. [청구항 24] 제23항에 있어서,펀트종의 증기 소스를 사용하여도핑되는 것인부울. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 도펀트종은 p형 및 딥 레벨 도펀트 고체 소스로 이루어진 그룹으로부터 선택된 고체 소스유도되는 것인부울. [청구항 26] 제23항에 있어서,양호하게는 1e6 이상)ohm-cm 이상의 저항갖는 것인부울. [청구항 27] 제1항에 있어서,비본래의 시드 결정상에성장되는 것인부울. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 중간층 재료는 웨이퍼 소스 재료 내의 변형을 경감 혹은 적응시키는 특성, 웨이퍼 소스 재료의 전기 특성을 변경시키는 특성, 웨이퍼 소스 재료의 결함 밀도를 감소시키는 특성, 웨이퍼 소스 재료를 시드 재료로부터의 분리를 용이하게 하는 특성, 그리고 웨이퍼 소스 재료의 성장 핵생성을 용이하게 하는 특성들 중 하나 이상의 기능 특성갖는 것인부울. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 중간층은 vpe, cvd, pvd, mbe, movpe, hvpe 로 이루어진 그룹으로부터 선택된증착프로세스에의해증착되는 것인부울. [청구항 31] 제28항에 있어서,상기 중간층은 시드 결정의 변경, 엣칭혹은패턴처리에의해형성되는 것인부울. [청구항 32] 제28항에 있어서,상기 중간층은 하나의 층 혹은 다층 혹은 재료상구성되는 것인부울. [청구항 33] 제1항에 있어서,106 결함cm-2 미만의 표면 결함 밀도갖는 것인부울. [청구항 34] 제1항에 있어서,104 결함cm-2 미만의 표면 결함 밀도갖는 것인부울. [청구항 35] 제1항에 있어서,1센티미터 이상의 직경과, 실질적으로 크랙에 구속을 받지 않는 1밀리미터 이상의 길이갖는 것인부울. [청구항 36] 제1항에 있어서,축, a-축, m-축, r-축으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 정향을 갖는 시드 결정상에 성장되며, 주 결정축으로부터 1 내지 10도로 오프컷된 오프컷 정향, n-페이스 및 (in, al, ga)-페이스갖는 것인부울. [청구항 37] 제1항에 있어서,질화물은포함하는 것인부울. [청구항 38] 제1항에 있어서,질화물은포함하는 것인부울. [청구항 40] 제39항에 있어서,실온에서 1e15 내지 5e19cm-3의전자 농도산출하도록도핑되는 것인부울. [청구항 42] 제1항에 있어서,광학 발진 기법에 의해 생산된 시드 결정상성장되는 것인부울. [청구항 43] 제1항에 있어서,희생 템플릿상에 (al,ga,in)n의 성장과, 물리적, 열적, 엣칭, h-분열 및 취약화 제거 기법로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제거 기법에 의해 상기 템플릿의 제거에 의해 생산된 시드 결정상성장되는 것인부울. [청구항 45] 제44항에 있어서,축, a-축, m-축, r-축으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 정향갖는 것인웨이퍼. [청구항 46] 제44항에 있어서,결정축으로부터 0.5 내지 1도 오프컷된 정향갖는 것인웨이퍼. [청구항 47] 제44항에 있어서,페이스와 에피택셜 성장을 위해 준비된 c-축 정향된 웨이퍼의 (al,ga,in)-페이스 중 하나 이상갖는 것인웨이퍼. [청구항 48] 제44항에 있어서,본래의 시드 결정으로부터성장되는 것인웨이퍼. [청구항 49] 제48항에 있어서,슬라이싱 혹은 컷팅 이외의 것에 의해 본래의 시드 결정분할되는 것인웨이퍼. [청구항 52] 제51항에 있어서,10 제곱마이크로미터 면적에 걸쳐 5옹스트롬 미만의 rms 거칠기의 표면갖는 것인웨이퍼. [청구항 53] 제51항에 있어서,1미터 이상의 곡률 반경을갖는 것인웨이퍼. [청구항 54] 제51항에 있어서,3 도보다 더 양호하게 배향된 평탄부갖는 것인웨이퍼. [청구항 55] 제51항에 있어서,쪼개짐에 의해 생산된 평탄부갖는 것인웨이퍼. [청구항 56] 제51항에 있어서,평균 웨이퍼 두께의 20% 미만갖는 것인웨이퍼. [청구항 57] 제51항에 있어서,평균 웨이퍼 두께의 5% 미만갖는 것인웨이퍼. [청구항 58] 제51항에 있어서,50마이크로미터 미만의 워프(warp)를갖는 것인웨이퍼. [청구항 59] 제51항에 있어서,10마이크로미터 미만의 워프를갖는 것인웨이퍼. [청구항 60] 제51항에 있어서,웨이퍼내에 혹은 웨이퍼상의 마이크로일렉트로닉 소자 구조더 포함하는 것인웨이퍼. [청구항 61] 제51항에 있어서,상기 마이크로일렉트릭 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 자외선 광검출기, 고전자 이동도 트랜지스터, 쌍극성 트랜지스터, 이종접합 쌍극성 트랜지스터, 파장 분할 멀티플렉싱 컴포넌트, 고출력 정류기로 이루어진 그룹선택되는 것인웨이퍼. [청구항 111] 제110항에 있어서,상기 소자는 발광 다이오드 및 레이저로 이루어지는 그룹선택되는 것인마이크로일렉트로닉 소자 구조. [청구항 112] 제110항에 있어서,상기 기판nan은쪼개있는 것인마이크로일렉트로닉 소자 구조. [청구항 113] 제112항에 있어서,비정재(free-standing) 재료상있는 것인마이크로일렉트로닉 소자 구조.