게이트 유전 층 또는 패시베이션 층으로서 사용하기 위한 폴리(아릴렌 에테르) 중합체와 이를 사용한 게이트 유전 층, 패시베이션 층, 박막 트랜지스터, 및 다층 전자 장치

[청구항2] 제 1항에 있어서,미만의 온도에서경화될수있는게이트 유전 층 또는 패시베이션 층. 제 1항에 있어서,미만의 온도에서경화될수있는게이트 유전 층. [청구항3] 제 1항에 있어서,경화될 수있는게이트 유전 층 또는 패시베이션 층. 제 1항에 있어서,경화될 수있는게이트 유전 층. [청구항4] 제 1항에 있어서,게이트 유전 층 또는 패시베이션 층을 복사선 원에 노광시키는 단계 및 이 층을 약 180℃ 미만의 온도로 가열시키는 단계를 포함하는 방법에 의해경화될수있는게이트 유전 층 또는 패시베이션 층. 제 1항에 있어서,게이트 유전 층이, 복사선 원에 노광되고, 180℃ 미만의 온도에서 가열됨경화될수있는게이트 유전 층. [청구항5] 제 4항에 있어서,노광시키는 단계가 게이트 유전 층 또는 패시베이션 층을, 전자빔, 광자(photon), 자외선, 가시광선, x선, 열선 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는복사선원노광시키는것을포함하는게이트 유전 층 또는 패시베이션 층. 제 4항에 있어서,복사선 원이, 전자빔, 광자(photon), 자외선, 가시광선, x선, 열선 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나이상인게이트 유전 층. [청구항6] 제 5항에 있어서,복사선 원이, 자외선가시광선인게이트 유전 층. 제 5항에 있어서,노광시키는 단계가 게이트 유전 층 또는 패시베이션층을자외선또는가시광선노광시키는것을포함하는게이트 유전 층 또는 패시베이션 층. [청구항8] 제 7항에 있어서,중합체의 유전 상수가 3.0 미만인중합체. 제 7항에 있어서,중합체의 유전 상수가 약 3.0 미만인중합체. [청구항9] 제 7항에 있어서,중합체의 유전 상수가 2.7을초과하는중합체. 제 7항에 있어서,중합체의 유전 상수가 약 2.7을초과하는중합체. [청구항12] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체래프팅되는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체래프팅되는박막 트랜지스터. [청구항13] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 이상의 불포화 기래프팅되는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 이상의 불포화 기래프팅되는박막 트랜지스터. [청구항14] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 초과의 불포화 기래프팅되는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 초과의 불포화 기래프팅되는박막 트랜지스터. [청구항15] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 아릴함유그래프트사용하여래프팅되는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 아릴함유그래프트사용하여래프팅되는박막 트랜지스터. [청구항16] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 불소화되지 않는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 불소화되지 않는박막 트랜지스터. [청구항17] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체 반복 단위가 하기 구조식으로 표시되는 박막 트랜지스터:상기구조식동일하거나상이한종의 하나 이상의 불포화 기이다. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체 반복 단위가 하기 구조식으로 표시되는 박막 트랜지스터:상기구조식동일하거나상이한종의 하나 이상의 불포화 기이다. [청구항18] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 반복 단위 당 불포화 기의 평균 수가 0.1 내지인박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 반복 단위 당 불포화 기의 평균 수가 0.1 내지인박막 트랜지스터. [청구항19] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 반복 단위 당 불포화 기의 평균 수가 1 내지인박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 반복 단위 당 불포화 기의 평균 수가 1 내지인박막 트랜지스터. [청구항20] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 알킬렌 라디칼, 알킬디엔 라디칼, α-히드록시알킬렌 라디칼, 및 α-히드록시알킬디엔 라디칼로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 알킬렌 라디칼, 알킬디엔 라디칼, α-히드록시알킬렌 라디칼, 및 α-히드록시알킬디엔 라디칼로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는박막 트랜지스터. [청구항21] 제 10항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는다층 전자 장치: 제 10항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는다층 전자 장치: [청구항22] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는박막 트랜지스터: 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가, 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 하나 이상의 불포화 기포함하는박막 트랜지스터: [청구항23] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 독립적으로 선택되는 아릴 라디칼함유하는박막 트랜지스터: 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하기한 기들로 구성되는 군으로부터 독립적으로 선택되는 아릴 라디칼함유하는박막 트랜지스터: [청구항24] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 9,9-비스(4-히드록시페닐)-플루오렌, 2,2-디페닐헥사플루오로프로펜 및 2,2-디페닐프로펜으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 아릴 라디칼포함하는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 9,9-비스(4-히드록시페닐)-플루오렌, 2,2-디페닐헥사플루오로프로펜 및 2,2-디페닐프로펜으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 아릴 라디칼포함하는박막 트랜지스터. [청구항25] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 단위 당 불포화 기의 평균 수가 0.1 초과 내지 1 이하이며, 폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하기 중합체 반복 단위 중 하나포함하는박막 트랜지스터: 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체의 중합체 단위 당 불포화 기의 평균 수가 0.1 초과 내지 1 이하이며, 폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하기 중합체 반복 단위 중 하나포함하는박막 트랜지스터: [청구항26] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 이상의 하기 아릴 라디칼함유하는박막 트랜지스터: 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 하나 이상의 하기 아릴 라디칼함유하는박막 트랜지스터: [청구항27] 제 11항에 있어서,게이트 유전 층의 커패시턴스(capacitance)가 약 5 nf/cm2을초과하는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,게이트 유전 층의 커패시턴스(capacitance)가 5 nf/cm2을초과하는박막 트랜지스터. [청구항28] 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 경화된 형태로 존재하며, 상기 경화된 형태의 중합체가 130 내지 180℃의 경화 온도, 3.0 미만의 유전 상수, 및 0.2 중량% 미만의 최대 수분 흡수율갖는박막 트랜지스터. 제 11항에 있어서,폴리(아릴렌 에테르) 중합체가 경화된 형태로 존재하며, 상기 경화된 형태의 중합체가 약 130 내지 약 180℃의 경화 온도, 약 3.0 미만의 유전 상수, 및 약 0.2 중량% 미만의 최대 수분 흡수율갖는박막 트랜지스터. [청구항31] 제 30항에 있어서,미만의 온도에서경화될수있는패시베이션 층. [청구항32] 제 30항에 있어서,경화될 수있는패시베이션 층. [청구항33] 제 30항에 있어서,패시베이션 층이 복사선 원에 노광되고, 180℃ 미만의 온도에서 가열됨경화될수있는패시베이션 층. [청구항34] 제 33항에 있어서,복사선 원이, 전자빔, 광자(photon), 자외선, 가시광선, x선, 열선 및 이들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나이상인패시베이션 층. [청구항35] 제 34항에 있어서,복사선 원이, 자외선가시광선인패시베이션 층.