탄화규소단결정의승화성장법

[청구항2] 제 1 항에 있어서,탄화규소 종정을 승화 시스템 안으로 도입하기에 앞서 연마된 탄화규소 종정을 준비하는단계포함함을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항3] 제 1 항에 있어서,탄화규소의 단일 종정을 탄화규소 소오스 분말을 함유하는 승화 시스템 안으로 도입하는 단계는 먼저 소오스분말과 종정을 서로서로 분리하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항4] 제 1 항에 있어서,탄화규소 종정을 탄화규소 소오스분말을 함유하는 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 탄화규소 종정을 미리 결정된 입자크기의 분포를 갖는 탄화규소 소오스 분말을 함유하는 승화시스템 안으로 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항5] 제 1 항에 있어서,탄화규소 소오스분말의 온도를 높이는 단계는 소오스 분말의 온도를 약 2250℃와 약 2350℃사이구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항6] 제 1 항에 있어서,탄화규소 소오스 분말의 온도를 높이는 단계는탄화규소소오스분말의온도구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항7] 제 1 항에 있어서,종정의 온도를 높이는 단계는 종정의 온도를 약 2150℃와 2250℃사이구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항8] 제 1 항에 있어서,종정의 온도를 높이는 단계는종정의온도구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항9] 제 1 항에 있어서,탄화규소 소오스분말을 도입하는 단계는 새로운 탄화규소 소오스분말을 승화시스템 안으로 연속적으로 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항10] 제 1 항에 있어서,탄화규소의 단일 종정을 도입하는 단계는 낮은 정수 밀러(miller) 지수 면에 상응하는 면이 절단된 낮은 정수 밀러 지수면의 법선 축에 비수직인 면을 쐬어 절단된 종정을 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항12] 제 11 항에 있어서,탄화규소 종정을 탄화규소 소오스분말을 함유하는 승화시스템 안으로 도입하는 단계에 앞서 연마된 탄화규소 종정을 준비하는단계포함함을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항13] 제 11 항에 있어서,탄화규소이 단일 종정을 탄화규소 소오스분말을 함유하는 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 먼저 소오스 분말과 종정을 서로서로 분리하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항14] 제 11 항에 있어서,탄화규소의 종정의 탄화규소 소오스분말을 함유하는 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 실제로 일정한 풀리타입 조성비를 갖는 탄화규소 소오스분말을 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항16] 제 15 항에 있어서,탄화규소 종정 및 탄화규소 소오스 분말을 승화시스템 안으로 도입하는 단계에 앞서 연마된 탄화규소 종정을 준비하는단계포함함을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항17] 제 15 항에 있어서,종정 및 탄화규소 소오스분말을 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 실제로 일정한 폴리타입 조성비를 갖는 탄화규소 소오스 분말을 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항18] 제 15 항에 있어서,탄화규소 종정 및 탄화규소 소오스 분말을 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 미리 결정된 표면영역 분포를 갖는 탄화규소 소오스분말을 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항19] 제 15 항에 있어서,탄화규소 소오스 분말을 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 소오스분말을 시스템 안으로 연속적으로 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항20] 제 15 항에 있어서,탄화규소를 시스템 안으로 연속적으로 도입하는 단계는 소오스로부터 나사전달 메카니즘을 이용하여 시스템 쪽으로 탄화규소 분말을 연속적으로 공급하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항21] 제 15 항에 있어서,탄화규소를 시스템 안으로 연속적으로 도입하는 단계는 탄화규소 분말을 시스템 안으로 이동시키기 위해 소오스로부터 초음파 에너지를 이용하여 시스템 쪽으로 탄화규소 분말을 연속적으로 공급하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항22] 제 15 항에 있어서,탄화규소 소오스분말을 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 테일러 망사체를 통과하는 샘플의 무게 백분율에 의해 결정되는 바와 같이 다음의 입자크기 분포를 갖는 탄화규소 분말을 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항24] 제 23 항에 있어서,탄화규소 종정 및 탄화규소 소오스분리를 승화시스템 안으로 도입하기에 앞서 연마된 탄화규소 종정을 준비하는단계포함함을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항25] 제 23 항에 있어서,탄화규소 종정 및 탄화규소 소오스분리를 승화시스템 안으로 도입하는 단계는 먼저 소오스분말과 종정을 서로서로 분리하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항26] 제 23 항에 있어서,종정과 소오스분말 사이의 열경사도를 증가시키는 단계는 처음에 종정의 성장표면 온도가 소오스 분말보다 더 낮은 온도를 유지하는 동안에 소오스 분말의 온도를 증가시키도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항27] 제 23 항에 있어서,열경사도를 증가시키는 단계는 20℃/cm 의 열경사도를 도입하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항28] 제 23 항에 있어서,열경사도를 증가시키는 단계는 약 20℃/cm에서 약 50℃/cm 로 열경사도를 증가시키도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항31] 제 30 항에 있어서,종정의 성장표면과 소오스분말 사이의 고정된 열경사도를 유지하는 단계는 탄화규소가 승화하는 곳의 온도보다는 낮고 그리고 소오스분말의 온도보다도 낮지만 소오스분말의 온도에 접근하는 온도에서의 종정과 탄화규소가 승화하기에 충분한 온도에서의 소오스분말을 유지하는 동안에 종정이 성장할 때 종정의 성장표면과 소오스분말 사이의 상대운동을 제공하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항32] 제 30 항에 있어서,종정의 성장표면과 소오스분말 사이의 고정된 열경사도를 유지하는 단계는 결정이 성장할 때 종정의 성장 표면과 소오스분말 사이에 고정된 거리를 유지하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법. [청구항33] 제 30 항에 있어서,종정의 성장표면과 소오스분말 사이의 고정된 열경사도를 유지하는 단계는 소오스분말의 온도와 종정의 온도를 따로따로 관측함으로써 그리고 소오스분말의 온도와 종정의 온도를 따로따로 조정함으로써 소오스분말과 종정온도를 독립적으로 제어하도록구성됨을특징으로 하는탄화규소 단결정의 승화 성장법.