파장 변환 부재 및 발광 장치

[청구항1] 광원과, 중합성 관능기를 갖는 이온성 액체에서 유래되는 구성 단위를 포함하는 수지와, 상기 수지 중에 분산된 반도체 나노 입자 형광체를 갖고, 상기 광원의 적어도 일부를 일체적으로 덮는 파장 변환부를 구비하는 발광 장치 [청구항5] 제4항에 있어서,상기 아크릴산에스테르기를 갖는 이온성 액체가, 2-(메타크릴로일옥시)-에틸트리메틸암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 또는 1-(3-아크릴로일옥시-프로필)-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐이미드인발광 장치. [청구항6] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체가, 파장 380 내지 780㎚의 가시광발광하는 것인발광 장치. [청구항7] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체가, inp, inn, inas, insb, inbi, zno, in2o3, ga2o3, zro2, in2s3, ga2s3, in2se3, ga2se3, in2te3, ga2te3, cdse, cdte 및 cds로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 한 종의 재료포함하는발광 장치. [청구항8] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체가, 적색 발광하는 제1 반도체 나노 입자 형광체 및 녹색 발광하는 제2 반도체 나노 입자 형광체포함하는발광 장치. [청구항9] 제8항에 있어서,광원에 가까운 측으로부터 순서대로 제1 파장 변환층과 제2 파장 변환층을 구비하고, 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층 중 어느 한쪽이 적색 발광하는 제1 반도체 나노 입자 형광체를 포함하고, 다른 쪽이 녹색 발광하는 제2 반도체 나노 입자 형광체포함하는발광 장치. [청구항10] 제9항에 있어서,상기 제1 파장 변환층이 적색 발광하는 제1 반도체 나노 입자 형광체를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층이 녹색 발광하는 제2 반도체 나노 입자 형광체포함하는발광 장치. [청구항11] 제8항에 있어서,상기 광원이 청색 발광하는 것이고, 발광 장치가 백색발광하는 것인발광 장치. [청구항12] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체가, 그 표면에 이온성 표면 수식 분자결합된 것인발광 장치. [청구항13] 제12항에 있어서,상기 이온성 표면 수식 분자가, 2-(디에틸아미노)에탄티올염산염, 헥사데실트리메틸암모늄브로마이드, 미리스틸트리메틸암모늄브로마이드 및 티오콜린브로마이드로 이루어지는군선택되는하나인발광 장치. [청구항14] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체 이외의 형광체를더 포함하는발광 장치. [청구항15] 제14항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체 이외의 형광체가, caalsin3 적색 형광체 및 yag:ce 황색 형광체 중하나인발광 장치. [청구항16] 제1항 또는 제3항에 있어서,투광성을 갖는 가스 배리어층더 구비하는발광 장치. [청구항17] 제16항에 있어서,상기 가스배리어층이, 유리, 실리콘 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료형성된 것인발광 장치. [청구항18] 제16항에 있어서,상기 가스배리어층이, 무기 재료를 포함하는 산란제분산된 것인발광 장치. [청구항19] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체는, 상기 수지 중에, 클러스터 형상의 집합체를 형성분산된 것인발광 장치. [청구항20] 제19항에 있어서,상기 반도체 나노 입자 형광체는, 상기 수지 중에,반도체나노입자형광체끼리서로접촉하지분산되어 있는발광 장치. [청구항21] 제19항에 있어서,상기 클러스터 형상의 집합체에 있어서, 서로 가장 근접하는 상기 반도체 나노 입자 형광체끼리의 직선 거리이하인발광 장치.