섬유 격자-안정화형 반도체 펌프 소스

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 광커플링 시스템은 상기 반도체 게인소자의 결합에 평행한 면에서, 상기 광섬유의 상기 제 1 단부에서 나온 광을 상기 플레어형 게인섹션 좁은 단부에 가까운 영역에초첨배치된것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 광섬유는분극유지섬유인것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 광커플링 시스템은 도넛형 초점전력을 가진소자포함하는것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 광섬유는 여기가능한섬유게인매체결합된것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 반사지수격자는 선택된 반사 대역폭내의 광을 반사하고, 상기 반도체 펌프소스에서 나온 광은 상기 반사 대역폭과 거의 동일한스펙트럼 대역폭가진것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 게인소자로부터 상기 광섬유에 결합된 광의 분율은 상기 반사지수격자로부터 상기 게인소자으로의 상기 피드백에 의해강화되는것을특징으로 하는반도체 펌프소스. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 광학적 게인영역의 출력단부의 폭nan은상기광학적게인영역의상기제1단부의폭이상인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 광학적 게인영역의 상기 출력폭은 10 ㎛ 보다 큰 것특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 파장-선택 반사기는상기광섬유내브래그섬유격자인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,상기 파장-선택 반사기의 상기 반사율값과 상기 출력단부와 상기 파장-선택 반사기사이의 분리거리는 상기 게인소자에서 나온 광출력의 간섭성붕괴를 유도하도록선택된것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 파장-선택반사기의상기반사율값미만인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 출력단부와 상기 파장-선택 반사기사이의 분리거리는 0.5 m 내지 2 m사이범위인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 15] 제 8 항에 있어서,상기 광섬유는상기분극유지단일모드섬유인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 16] 제 8 항에 있어서,상기 광섬유는 상기 여기가능 섬유매체에 광학적으로 결합되는제2단부갖는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는희토류도핑섬유인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는희토류도핑섬유레이저인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는희토류도핑섬유증폭기인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 반도체 게인소자의 상기 출력단부는 상기 여기가능한섬유매체내라만게인유도하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는상기섬유라만 증폭기인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는섬유라만공진기인것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체는상기캐스케이드형라만공진기포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 24] 제 16 항에 있어서,상기 여기가능 섬유매체에 결합된섬유광통신네트워크더포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 25] 제 8 항에 있어서,상기 광커플링 시스템은 상기 도넛형 초점전력을 가진1개이상의소자포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,전원의 상기 도넛형 초점전력을 가진 1개이상의 소자는 도넛형 표면 프로화일을 가진반사표면포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 27] 제 8 항에 있어서,상기 광학적 게인영역은 상기 게인소자의 제 1 단부에서 1개의 단부를 가진 상기 지수유도 채널과 상기 게인소자의 출력단부의 넓은 단과 지수유도 채널의 다른 단에 연결된 좁은 단을 가진테이퍼게인영역포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 28] 제 8 항에 있어서,상기 반사지수격자는 선택된 반사 대역폭내에서 광을 반사하고, 상기 반도체 펌프소스에서 나온 광은 반사 대역폭과 거의 동일한스펙트럼 대역폭가진것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 29] 제 8 항에 있어서,상기 게인소자에서 상기 광섬유에 결합된 광의 분율은, 상기 반사율지수격자에서 상기 게인소자에피드백강화되는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 30] 제 8 항에 있어서,상기 게인소자로 흐르는 공급전류에 결합되고 상기 게인소자온도를 안정화시키도록 결합된제어기더포함하는것을특징으로 하는반도체 광소스. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 제 1 여기가능 섬유매체를 통해서 광신호에 전달된 광신호전송유닛과, 상기 제 1 여기가능 섬유매체를 통해서 전파한 후에 광신호를 검출하기 위해서 결합된상기광신호검출유닛더포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,파장에서 작동하는 복수의 광전송기와 상기 복수의 광전송기로부터 나온 광신호를 수신하도록 결합된 다중기를 포함하고, 상기 다중기는 다중출력신호를 상기 제 1 여기가능섬유 매체에 전달하도록 결합한출력가진것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 34] 제 32 항에 있어서,상기 광신호 검출기는 제 1 여기가능 섬유매체에서 다중신호를 수신하도록 결합된 분리기와 상기 분리기에서 나온 분리신호를 수신하기 위해서 결합된복수의검출기포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 35] 제 31 항에 있어서,상기 제 1 광여기가능 섬유매체는라만게인매체포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 제 1 광여기가능 섬유매체는라만증폭기포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 제 1 여기가능 섬유매체는라만레이저인것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 38] 제 31 항에 있어서,상기 제 1 여기가능섬유 매체는희토류도핑섬유증폭기인것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 39] 제 31 항에 있어서,상기 제 1 여기가능섬유 매체는희토류도핑섬유레이저인것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 40] 제 31 항에 있어서,제 2 광섬유를 가진 제 2 펌프레이저, 제 2 광섬유를 따라 전파하며 제 2 펌프레이저에 의한 광출력을 더 포함하고, 상기 제 1 펌프레이저 및 제 2 펌프레이저에서 나온 광출력을 수신하도록 결합하며, 상기 제 1 펌프레이저 및 상기 제 2 펌프레이저에서 나온 광을 상기 제 1 여기가능섬유 매체에 전달하도록 연결하는광학적 광결합기더포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 41] 제 40 항에 있어서,상기 제 1 펌프레이저에서 발산된 펌프광은 상기 제 2 펌프레이저에서 발산된 펌프광의 파장과 다른제1파장가진것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 42] 제 40 항에 있어서,상기 제 1 펌프레이저에서 발산된 펌프광은 상기 제 2 펌프레이저에서 발산된 펌프광의 파장과 실질적으로 유사한제1파장가진것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 43] 제 40 항에 있어서,상기 제 1 펌프레이저 및 상기 제 2 펌프레이저를 수신하도록 그리고 광을 상기 제 1 및 상기 제 2 여기가능 섬유매체에 전달하도록 결합된광학적 광스프릿터더포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 44] 제 31 항에 있어서,상기 제 1 펌프레이저에서 나온 광을 수신하기 위해서 결합된 광학적 광스프릿터, 상기 제 2 여기가능 섬유매체, 광학적 광스프릿터에서 나온 펌프광을 수신하기 위해서 결합된 상기 제 1및상기제2여기가능섬유매체더포함하는것을특징으로 하는광섬유 시스템. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 모드선택영역nan은상기반도체게인소자내위치한것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 47] 제 46 항에 있어서,상기 광학적 게인영역은 상기 반도체 게인소자의 상기 제 1 단부에서 1개의 단를 가진 우세한 지수유도채널과 상기 반도체 게인소자의 상기 출력단부에서 넓은 단을 가지고 단일모드채널의 다른 단에 결합된 좁은 단을 가진 테이퍼 게인영역을 포함하고, 모드선택영역은상기단일모드채널포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 48] 제 45 항에 있어서,상기 모드선택영역nan은상기광커플링시스템내위치한것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 49] 제 45 항에 있어서,상기 모드선택영역nan은상기광섬유포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,상기 광섬유는 섬유중을 가진 상기 단일모드섬유이고 상기 모드선택영역은섬유중심더포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 51] 제 45 항에 있어서,상기 모드선택영역은 2개이상의 상기 반도체 게인소자, 상기 광커플링시스템,및상기광섬유내에있는것을특징으로 하는반도체 레이저 장치. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 광섬유의 전파형태에서의 상기 반도체 게인소자에서 나온 커플링 효율은 50 % 보다 더 큰 것특징으로 하는레이저 장치. [청구항 54] 제 52 항에 있어서,상기 광섬유의 전파형태에서의 상기 반도체 게인소자에서 나온 커플링 효율은 70 % 보다 더 큰 것특징으로 하는레이저 장치. [청구항 55] 제 52 항에 있어서,상기 광피드백소자는 파장선택적이고, 상기 반도체 게인소자의 출력단부에서 나온 광의 스펙트럼은 실질적으로상기광피드백소자의반사율 스펙트럼제어되는것을특징으로 하는레이저 장치. [청구항 56] 제 52 항에 있어서,상기 광피드백소자는상기광섬유함께배치된것을특징으로 하는레이저 장치. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 반사기는 상기 광섬유내에 형성된섬유브래그 격자인것을특징으로 하는레이저 장치. [청구항 58] 제 52 항에 있어서,상기 광피드백소자는상기레이저장치내간섭성붕괴유도하는것을특징으로 하는레이저 장치.