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비휘발성 메모리소자의 제조방법 및 구조

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출원번호
1020020010439
출원연도
2002
IPC
H01L 21/8247
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 11] 선택 트랜지스터 사이에 채널이 직렬로 연결된 복수의 셀 트랜지스터를 가지는 복수 개의 단위 셀 스트링과 상기 인접한 두 개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역이 연결되기 위해 상기 단위 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 도전층으로 형성되는 콘택패드와 상기 콘택패드와 이후에 형성될 비트라인을 접촉하기 위해 형성되는 콘택과 상기 콘택 상부에 단위 셀 스트링과 평행하게 형성되는 비트라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자의 구조 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 콘택 패드는 두 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조. [청구항 13] 제 11 항 또는 제 12항에 있어서,상기 콘택형성영역은 상기 선택트랜지스터와 인접한 상기 셀 스트링 상에 위치하고, 이후에 형성할 비트라인과 연결하기 위한 콘택을 형성하는영역인것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조. [청구항 14] 선택 트랜지스터 사이에 채널이 직렬로 연결된 복수의 셀 트랜지스터를 가지는 복수 개의 단위 셀 스트링과 상기 인접한 두 개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역이 연결되기 위해 상기 단위 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 도전층으로 형성되는 콘택패드와 상기 도전층으로 형성된 콘택패드 상부에 단위 셀 스트링과 평행하고 상기 콘택패드와 접촉할 수 있도록 형성되는 비트라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자의 구조 [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 콘택 패드는 두 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두 개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조. [청구항 16] 제 14 항 및 제 15 항에 있어서,상기 콘택형성영역은 상기 선택트랜지스터와 인접한 상기 셀 스트링 상에 위치하고, 이후에 형성할 비트라인과 연결하기 위한 콘택을 형성하는영역인것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 메모리소자의 구조에서 콘택패드가 워드라인 및 비트라인과 이루는 방향 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    비휘발성 메모리소자의 콘택패드가 워드라인 및 비트라인과 이루는 방향 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 12 및 15에서 콘택패드의 방향성에 관한 구체적인 기술 내용을 추출한다.

    • 상기 콘택 패드는 두 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적으로 대응하는 '워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교한다'는 구절을 선택한다.

    • 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 바탕으로 콘택패드는 워드라인과 평행한 관계이며, 비트라인과는 직교하는 관계임을 논리적으로 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    콘택패드는 워드라인과는 평행하고 비트라인과는 직교하는 방향 관계를 가진다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 최종 답변을 추출된 문구 그대로 생성한다.

근거 (evidence)
  • 상기 콘택 패드는 두 셀 스트링의 콘택형성영역 상에 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조
  • 워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 함으로써 두개의 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해형성한것을특징으로 하는비휘발성 메모리소자의 구조
최종 답변 (final_answer)
워드라인과는 평행하고, 비트라인과는 직교하도록 방향 관계를 설정하고 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리소자에서 인접한 단위 셀 스트링의 콘택형성영역을 연결하기 위해, 콘택패드를 워드라인과 평행하고 비트라인과 직교하는 방향으로 배치하는 구조에 관한 것이다.